【技术实现步骤摘要】
一种具有保护晶元功能的薄膜沉积设备
[0001]本技术涉及晶元加工
，具体为一种具有保护晶元功能的薄膜沉积设备。
技术介绍
[0002]晶元是指制作硅半导体电路所用的硅晶片，其原始材料是硅，高纯度的多晶硅溶解后掺入硅晶体晶种，然后慢慢拉出，形成圆柱形的单晶硅，硅晶棒在经过研磨，抛光，切片后，形成硅晶元片，也就是晶元，目前国内晶元生产线以8英寸和12英寸为主，而在晶元的生产过程中需要进行薄膜沉积，但是现有的薄膜沉积设备在对于晶元进行加工时未设置有保护功能，在晶元进行加工时容易出现损坏。
技术实现思路
[0003]本技术的目的在于提供一种具有保护晶元功能的薄膜沉积设备，以解决上述
技术介绍
中提出的薄膜沉积设备未设置保护功能的问题。
[0004]为实现上述目的，本技术提供如下技术方案：一种具有保护晶元功能的薄膜沉积设备，包括反应室，所述反应室顶端设置有出气口，所述反应室底端设置有进气口，所述反应室的顶端内壁左右对称设置有两组支撑杆，且支撑杆与反应室的内壁固定连接，两组所述支撑杆的底端面均设置有固定连接的支撑...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种具有保护晶元功能的薄膜沉积设备，包括反应室(10)，其特征在于：所述反应室(10)顶端设置有出气口(12)，所述反应室(10)底端设置有进气口(3)，所述反应室(10)的顶端内壁左右对称设置有两组支撑杆(9)，且支撑杆(9)与反应室(10)的内壁固定连接，两组所述支撑杆(9)的底端面均设置有固定连接的支撑架(6)，两组所述支撑架(6)上均设置有放置槽(8)，两组所述支撑架(6)上均设置有晶元(7)，所述晶元(7)设置在放置槽(8)中。2.根据权利要求1所述的一种具有保护晶元功能的薄膜沉积设备，其特征在于：两组所述支撑架(6)之间设置有连接杆(11)，且连接杆(11)与两组支撑架(6)固定连接，所述连接杆(11)的底端面设置有加热丝(13)，且加热丝(13)与连接杆(11)固定连接。3.根...
【专利技术属性】
技术研发人员：何威威，
申请(专利权)人：苏州欣威晟电子科技有限公司，
类型：新型
国别省市：
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