一种湿法刻蚀设备及其管理方法技术

本发明专利技术公开了一种湿法刻蚀设备及其管理方法，湿法刻蚀设备包括缓冲区和刻蚀区，在缓冲区内靠近刻蚀区的入口处设置有气雾监控装置，以在入口打开时监控从刻蚀区扩散至缓冲区的气雾的颗粒数量；气雾监控装置与湿法刻蚀设备的上位机连接，在气雾的颗粒数量积累到预设值时，气雾监控装置向上位机发送报警信号；上位机根据报警信号控制报警器报警。本发明专利技术的技术方案可以对扩散至缓冲区的气雾的颗粒数量进行监控，在气雾的颗粒数量达到需要清理的阈值时，通知人员及时对缓冲区进行清理，避免现有技术中清理不及时容易污染基板增加不良率，或清理过于频繁造成能源浪费。或清理过于频繁造成能源浪费。或清理过于频繁造成能源浪费。

【技术实现步骤摘要】
一种湿法刻蚀设备及其管理方法


[0001]本专利技术涉及湿法刻蚀设备管理技术，尤其涉及一种湿法刻蚀设备及其管理方法。

技术介绍

[0002]在显示面板的制备工艺中，常常用到湿法刻蚀工艺，此工艺利用刻蚀液将玻璃基板上未被光刻胶覆盖的部分刻蚀掉，以形成所需的金属图案。
[0003]湿法刻蚀设备主要包括缓冲区、刻蚀区、清洗区、缓冲区和干燥区等，刻蚀设备通过传送轴将基板传送至各个区间，进行相应的处理。其中，刻蚀区中设置有一定数量的喷管，用于喷洒刻蚀液，喷管会在基板进入前提前打开，以对刻蚀区进行清洗。缓冲区与刻蚀区之间具有旋转门，在基板准备进入时，旋转门打开，再通过传送轴将基板从缓冲区传送至刻蚀区。由于刻蚀区提前喷洒刻蚀液，而刻蚀液中含有挥发性的酸，因此，旋转门打开后，会有酸性气雾从刻蚀区扩散至缓冲区，气雾凝结后会残留在传送轴、旋转门的转轴、或基板上，造成残渣不良，影响基板的最终刻蚀形貌，因此需要及时对缓冲区进行清理。
[0004]目前的一种解决方案是定期对缓冲区进行清理，然而，由于不同时间内，湿法刻蚀设备的使用情况以及刻蚀液的流量等因素本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种湿法刻蚀设备，包括缓冲区和刻蚀区；其特征在于，在所述缓冲区内靠近所述刻蚀区的入口处设置有气雾监控装置，以在所述入口打开时监控从所述刻蚀区扩散至所述缓冲区的气雾的颗粒数量；所述气雾监控装置与所述湿法刻蚀设备的上位机连接，在气雾的颗粒数量积累到预设值时，所述气雾监控装置向所述上位机发送报警信号；所述上位机根据所述报警信号控制报警器报警。2.根据权利要求1所述的湿法刻蚀设备，其特征在于，所述气雾监控装置包括激光光源、光路调整元件和第一感光元件；所述光路调整元件包括第一反射器；所述第一反射器和所述第一感光元件固定于所述缓冲区靠近所述刻蚀区的腔壁上，且分别位于所述入口的相对两侧；所述激光光源出射的激光经所述第一反射器反射后形成封闭所述入口的光幕，在无气雾遮挡时，所述光幕中与所述入口投影重叠的光线入射至所述第一感光元件；所述第一感光元件感测入射至所述第一感光元件的第一光强信息，并根据所述第一光强信息确定扩散至所述缓冲区的气雾的颗粒数量。3.根据权利要求2所述的湿法刻蚀设备，其特征在于，所述气雾监控装置还包括第二感光元件，所述第二感光元件固定于所述缓冲区靠近所述刻蚀区的腔壁上；所述激光光源出射的部分激光经所述光路调整元件后入射至所述第二感光元件；所述第二感光元件感测入射至所述第二感光元件的第二光强信息，并将所述第二光强信息发送至所述上位机；所述上位机根据所述第二光强信息调整所述激光光源的功率。4.根据权利要求3所述的湿法刻蚀设备，其特征在于，所述光路调整元件还包括半透半反射器；所述激光光源出射的部分激光经所述半透半反射器反射至所述第一反射器，再经所述第一反射器反射至所述半透半反射器，并从所述半透半反射器透射至所述第一感光元件；所述激光光源出射的部分激光经所述半透半反射器透射至所述第二感光元件。5.根据权利要求3所述的湿法刻蚀设备，其特征...

【专利技术属性】
技术研发人员：王伟，
申请(专利权)人：乐金显示光电科技中国有限公司，
类型：发明
国别省市：