基于Ag@UiO-66-NH2/CsPbBr3的电致化学发光分子印迹传感器及应用制造技术

技术编号:30516429 阅读:14 留言:0更新日期:2021-10-27 22:59
本发明专利技术公开了一种基于Ag

【技术实现步骤摘要】
基于Ag@UiO

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NH2/CsPbBr3的电致化学发光分子印迹传感器及应用


[0001]本专利技术属于电致化学发光分子印迹传感
,具体涉及一种基于Ag
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@UiO

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NH2/CsPbBr3的分子印迹材料、制备方法及在电致化学发光分子印迹传感器中的应用。

技术介绍

[0002]呋喃西林(5

硝基
‑2‑
呋喃半脲,NFZ)是一种合成的硝基呋喃衍生物,NFZ具有良好的抗菌效果,它能够抑制乙酰辅酶A,进而干扰微生物糖类代谢,从而起到抑制细菌的作用,对多种革兰氏阳性和阴性细菌具有高度耐药性。它曾被用作饲料添加剂广泛应用于家禽、家畜、水产鱼类传染病的预防和治疗,也可用作消毒防腐药,用于人皮肤及黏膜感染的治疗。呋喃西林在动物源性食品中的残留可以通过食物链传递给人类,长期摄入会引起各种疾病,对人体有致癌、致畸胎等副作用。美国、澳大利亚、加拿大、日本、新加坡、欧盟等已明文规定禁止在食品工业中使用该类药物,并严格执行对水产中硝基呋喃的残留检测。
[0003]然而,由于高抗菌效率和低成本,NFZ仍然在相当大的程度上被非法使用。因此有必要开发一种灵敏,快速,方便,高效的分析方法来分析NFZ。已经开发并应用了几种方法,包括高效液相色谱

质谱法(HPLC

MS)、纸色谱法、分光光度法和电化学法。上述方法中由于仪器的复杂性,前期处理过程较长或仪器成本较贵等因素,使它们在快速低成本检测方面的多样化应用有所限制。与这些分析技术相比,电致化学发光(ECL)具有独特的优越性。它的外加电压起到了调控的作用,分析成本低,样品处理方便,灵敏度高,检测时间短。但是,大多数电致发光技术难以识别特定的分析物。因此,有必要引入分子印迹技术(MIT)以提高特异性检测能力。
[0004]分子印迹技术(MIT)是一种类模拟构筑抗原

抗体作用的聚合方法,被广泛应用于具有嵌合目标分子作用的MIP材料的制备中。通过交联剂与溶剂引发剂的作用或电化学手段使模板分子与功能单体间形成具有相互作用的聚合物;通过极性或酸碱溶剂以及电解作用去除模板以形成大小,形状相匹配的三维空间结构微孔和特异性结合位点,使MIP具备出色的选择性能,能够特异性识别并结合与印迹孔穴结构和性质相似的物质。由于其固有的识别能力,MIP不仅可以识别小分子,还可以识别诸如病毒,蛋白质和微生物等生物大分子靶标。此外,MIP对于分析物的选择和保留具有很高的效率;由于其制备简单且稳定性和选择性强,使得MIP在生物传感的应用中具有巨大的潜力。
[0005]金属有机结构框架材料(Metal

organic Frameworks,MOFs)是由金属离子簇作为节点,有机配体作为连接体,自组装而成的一类具有永久孔隙度的开放型多孔晶体框架材料。由于其独特的性质,如高表面积、官能团和暴露的活性位点,多孔膜被发现在各种领域具有许多潜在的应用(例如,气体储存和分离、催化剂和电化学传感器。其中UiO

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NH2具有出色的化学稳定性和大量的不饱和金属位点,也被认为是开发具有优异电化学发光性能的新型复合材料的理想宿主。然而,就电化学分析而言,MOF材料具有导电性差的缺点。
[0006]作为一种新兴的纳米材料,钙钛矿纳米材料具有高的荧光量子产率、窄的半峰宽
以及荧光波长可以覆盖整个可见光区等特点,在短时间内引起了广泛的关注。大量的研究工作主要集中于新型钙钛矿材料的制备、光物理性质的研究以及在光电器件上的应用等方面。与传统半导体纳米材料相比,钙钛矿材料具有优异的性能和较好的应用潜能。目前,钙钛矿纳米材料已经成为光电子器件中一种重要的发光材料。

技术实现思路

[0007]为解决上述现有技术中存在的问题,本专利技术首先提供了一种Ag
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NH2/CsPbBr3复合发光材料,该复合发光材料中,Ag掺杂包覆于MOF金属有机框架材料表面,CsPbBr3以纳米粒子的形式负载于Ag掺杂的MOF中,其中MOF金属有机框架材料为UiO

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NH2。
[0008]上述Ag
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NH2/CsPbBr3复合发光材料的制备方法包括如下步骤:
[0009](1)热注入法制备钙钛矿CsPbBr3纳米材料;
[0010](2)水热法制备Ag
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NH2;
[0011](3)上述CsPbBr3与Ag
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NH2复合制备Ag
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NH2/CsPbBr3。
[0012]本专利技术进一步公开了基于上述Ag
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NH2/CsPbBr3复合发光材料的电致化学发光分子印迹材料及在电致化学发光分子印迹传感器中的应用,该分子印迹材料由Ag
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NH2/CsPbBr3复合发光材料与印迹聚合物膜复合然后除去模板分子而得。
[0013]在上述专利技术的基础上,本专利技术具体公开了一种基于上述Ag
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NH2/CsPbBr3复合发光材料的电致化学发光分子印迹材料及其制备方法,将Ag
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NH2分散在超纯水中,然后将其溶液滴到裸露的玻碳电极表面,干燥后得到Ag
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NH2/GCE,将钙钛矿CsPbBr3纳米粒子溶液滴到Ag
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NH2/GCE上,干燥后得到Ag
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NH2/CsPbBr3/GCE,将修饰有复合发光纳米材料的玻碳电极浸入含有功能单体和模板分子NFZ的PBS缓冲溶液中,电聚合后得到修饰有复合发光纳米材料和印迹聚合物膜的电极,记为Ag
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NH2/CsPbBr3/MIP/GCE,将所述电极浸入含甲醇

乙酸溶液中搅拌除去模板分子,得到电致化学发光分子印迹材料。
[0014]其中,上述分子印迹材料中功能单体优选为吡咯。
[0015]优选的,NFZ与吡咯的摩尔比为1:6。
[0016]优本文档来自技高网
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【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种Ag
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NH2/CsPbBr3复合发光材料,其特征在于:Ag掺杂包覆于MOF金属有机框架材料表面,CsPbBr3以纳米粒子的形式负载于Ag掺杂的MOF中,其中MOF金属有机框架材料为UiO

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NH2。2.权利要求1所述Ag
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NH2/CsPbBr3复合发光材料的制备方法,其特征在于包括如下步骤:(1)热注入法制备钙钛矿CsPbBr3纳米材料;(2)水热法制备Ag
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NH2;(3)上述CsPbBr3与Ag
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NH2复合制备Ag
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NH2/CsPbBr3。3.一种基于权利要求1所述Ag
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NH2/CsPbBr3复合发光材料的电致化学发光分子印迹材料,其特征在于:由Ag
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NH2/CsPbBr3复合发光材料与印迹聚合物膜复合然后除去模板分子而得。4.基于Ag
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NH2/CsPbBr3复合发光材料的电致化学发光分子印迹材料在电致化学发光分子印迹传感器中的应用。5.一种基于Ag
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NH2/CsPbBr3复合发光材料的电致化学发光分子印迹材料的制备方法,其特征在于:将Ag
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NH2分散在超纯水中,然后将其溶液滴到裸露的玻碳电极表面,干燥后得到Ag
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@UiO

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NH2/GCE,将钙钛矿CsPbBr3纳米材...

【专利技术属性】
技术研发人员:鲁志伟孙萌萌何杰戴世杰王妍媖刘涛饶含兵
申请(专利权)人:四川农业大学
类型:发明
国别省市:

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