提供一种高密度记录中的信号质量良好且保存可靠性高的光学信息记录介质及其记录再生方法和记录再生装置。为此，本发明专利技术的光学信息记录介质，在透明基板上具备依次包括记录层和电介质层的至少一个信息层，所述电介质层包含从５０分子％以上９８分子％以下的Ｚｎ－Ｏ和２分子％以上５０分子％以下的Ｙ－Ｏ、Ｃｅ－Ｏ、Ｎｂ－Ｏ、Ｔａ－Ｏ、Ｃｒ－Ｏ和Ｍｏ－Ｏ中选出的一种或者多种化合物。
【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及一种通过向基板上所形成的薄膜照射激光等高能量光束， 能记录和再生信号质量高的信息信号的光学信息记录介质及其制造方法、 记录再生方法以及记录再生装置。
技术介绍
关于在透明基板上形成薄膜，向该薄膜照射縮小成微小的光斑(spot)激光，来记录再生信息信号的记录介质，正在积极地进行研究开发。作为可一次写入(write once)类型的记录介质，公知在基板上形成了以氧化物 为母材掺杂了金属元素等的材料、例如Te和Te02的混合物的TeOx (0<x<2)记录薄膜的记录介质(例如参照专利文献l)。从该记录介质， 通过照射再生用光束，可得到大的反射率变化。TeOx记录薄膜可以不用实施激光退火等初始化处理，而是在成膜后 的非晶质状态下，直接照射激光，来形成结晶的记录标记(mark)。这是 非可逆过程、且不能实现通过改写来进行的修改或擦除，因此，采用了该 记录薄膜的介质能作为仅可以写入一次的记录介质来利用。在TeOx记录薄膜中，记录后到信号饱和为止，即到记录薄膜经过激 光照射进行了充分的结晶化为止，需要一些时间。因此采用了该记录薄膜 的介质不适合直接作为例如将数据记录在盘(disk)中并在进行了一次旋 转后对该数据进行验证的计算机用数据文件那样要求高速响应性的介质。 为了克服该缺点，提出了在TeOx中作为第3元素添加Pd、 Au等的方案 (例如参照专利文献2、 3、 4)。Pd和Au被认为在TeOx薄膜中激光照射时发挥促进Te的结晶成长 的作用，通过该作用，得以高速生成Te和Te—Pd合金或者Te—Au合金 的结晶粒。Pd和Au，其抗氧化性高且不会破坏TeOx薄膜的高耐湿性。另外，作为用于增加每一枚介质所处理的信息量的基本的方法， 一般 采用通过縮短激光的波长、或者增加聚光激光的物镜的开口数，縮小激光 的光斑直径，来提高记录面密度的方法。此外，近年来，层叠了多个信息 层的多层构造介质也走向实用化。为了应对这种高密度记录、多层记录，还提出了在TeOx中添加了 Pd、 Au等的记录材料的组成和改良了膜厚的记录介质(例如参照专利文献5)。 而且，还通过追加反射层，利用光学的增强(enhance)效果和通过冷却抑 制标记间热干扰的效果，来提高记录密度(例如参照专利文献6)。当进行如上所述的高密度记录、尤其进行采用了青紫色激光的记录的 时候，有可能记录层因激光加热所产生的热负荷，而根据情况受到损伤， 因噪声的上升等，导致记录信号的质量劣化，不适合高密度记录。为了防 止这些情况，设置电介质等的保护层是有效的。作为保护层的性能，要求 (1)耐热性高、保护记录层以避免其受热而损伤；(2)与记录层的密接 性良好、即使在高温*高湿条件下也不产生剥离、扩散；(3)透明性高且 具有适当的折射率，并且增强记录层的光学变化；(4)其本身具有热稳 定性、且即使在高温高湿下粒径、组成分布也不变动等。尤其在一次写入 式的记录介质中，不仅需要能够进行高密度记录，保存可靠性高也是非常 重要的。例如，即使记录完毕的时候得到充分的信号质量，但是例如放置 在高温或者高湿环境下的情况下，可能会因为刚记录完毕时没有产生影响 的热损伤的影响表面化，而导致噪声上升等。另外，如上所述，为了防止记录层因激光加热所产生的热负荷而受到 损伤，导致噪声的上升等，进而记录信号的质量劣化的情况，作为除了设 置电介质等的保护层的方法以外的方法，设置金属等散热性高的层也是有 效的。 一般方法是通过在相同层中采用具有适当的光学常数的材料以使之 具有反射功能，也即作为反射层，通过这样，利用光学的干扰效果，提高 记录层的光吸收率来提高记录灵敏度，进而增强记录层的光学变化。对反 射层也要求高的耐热性、与相邻层的密接性、甚至要求高的保存可靠性。专利文献l:日本特开昭50—46317号公报专利文献2:日本特开昭60_203490号公报专利文献3:日本特开昭61—68296号公报专利文献4:日本特开昭62 — 88152号公报专利文献5:国际公开专利WO98/09823号公报(第20—23页、图4) 专利文献6:日本特开2002—251778号公报
技术实现思路
本专利技术是为了解决上述问题而提出的，其目的在于提供一种高密度记 录中的信号质量良好且保存可靠性高的光学信息记录介质。为了上述问题，本专利技术的光学信息记录介质，在透明基板上具备依次 包括记录层和电介质层的至少一个信息层，所述电介质层包含从50分子 %以上98分子％以下的Zn—O和2分子％以上50分子％以下的Y—O、 Ce—O、 Nb—O、 Ta—O、 Cr一O和Mo—O中选出的一种或者多种化合物。另外，本专利技术的光学信息记录介质的记录再生方法，对上述光学信息 记录介质，以波长为450nm以下的光束来进行记录再生。此外，本专利技术的光学信息记录介质的记录再生装置，至少具备记录 再生部，对上述光学信息记录介质，照射波长为450nm以下的光束，进行 记录再生；和检测部，检测来自所述光学信息记录介质的反射光。根据本专利技术，可提供一种高密度记录中的信号质量良好且保存可靠性 高的光学信息记录介质、其记录再生方法和记录再生装置。附图说明图1是本专利技术的光学信息记录介质的一种构成例的剖视图。 图2是本专利技术的光学信息记录介质的一种构成例的剖视图。 图3是本专利技术的光学信息记录介质的一种构成例的剖视图。 图4是本专利技术的光学信息记录介质的记录再生装置的一例的概略图。 图5是本专利技术的光学信息记录介质的记录再生中所采用的记录脉冲波 形的一例的概略图。符号说明 1透明基板 2记录层3电介质层 4激光 5物镜6反射层 7保护层 8保护基板 9上部保护层 10分离层 ll第l信息层 12第n信息层 13激光二极管14半透明反射镜(halfmirror) 15马达(motor) 16光学信息记录介质 17光电探测器(photodetector)18记录再生部具体实施例方式下面参照附图，具体地说明本专利技术的实施方式。 (实施方式l)图1 3是本专利技术的光学信息记录介质的一种构成例的局部剖视图。如图1所示，本专利技术的光学信息记录介质在透明基板1，作为信息层， 依次至少包括记录层2、电介质层3。针对该光学信息记录介质，从透明 基板1一侧用物镜5来聚光激光4并照射，来进行记录再生。另外，如图2所示，根据需要，在电介质层3的与记录层2相反一侧 设置反射层6、在透明基板1与记录层2之间设置保护层7、在反射层6 的与电介质层3相反一侧设置保护基板8、或者在反射层6与保护基板8 之间设置上部保护层9。另外，如图3所示，本专利技术的光学信息记录介质，也可以在透明基板 1与保护基板8之间，隔着分离层IO设置第1信息层11至第n信息层12(其中，n是2以上的整数)的n個信息层。此时至少某一个信息层需要 具有从靠近透明基板1的一侧起按顺序与图1或者图2所示的相同的多层 薄膜构造。针对该光学信息记录介质的各信息层，从透明基板1一侧用物 镜5来聚光激光4并照射，来进行记录再生。作为记录层2的材料，优选是一次写入式的记录材料，更优选是包含 氧化物母材的材料。作为氧化物母材，Te—O、 Sb—O、 Bi—O、 Ge—O、 Sn—O、 Ga—O和In—O在记录再生特性方面优良，还能组合采用它们中 的一本文档来自技高网...
【技术保护点】
一种光学信息记录介质，在透明基板上具备依次包括记录层和电介质层的至少一个信息层，所述电介质层包含从５０分子％以上９８分子％以下的Ｚｎ－Ｏ和２分子％以上５０分子％以下的Ｙ－Ｏ、Ｃｅ－Ｏ、Ｎｂ－Ｏ、Ｔａ－Ｏ、Ｃｒ－Ｏ和Ｍｏ－Ｏ中选出的一种或者多种化合物。
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】JP 2005-12-2 349022/2005;JP 2005-12-26 372889/20051.一种光学信息记录介质，在透明基板上具备依次包括记录层和电介质层的至少一个信息层，所述电介质层包含从50分子％以上98分子％以下的Zn-O和2分子％以上50分子％以下的Y-O、Ce-O、Nb-O、Ta-O、Cr-O和Mo-O中选出的一种或者多种化合物。2. 根据权利要求1所述的光学信息记录介质，其特征在于， 所述信息层在所述电介质层的与所述记录层相反一侧还具备反射层。3. —种光学信息记录介质，在透明基板上具备依次包括一次写入式 的记录层、包含50分子％以上98分子％以下的Zn—O的电介质层和反射 层的至少一个信息层，所述反射层包含含有Ag的95原子％以上99.95原子％以下的主成 分；和含有从Pd、 Cu、 Bi、 Nd、 Y、 Ga中选出的一种或者多种元素的0.05 原子。％以上5原子％以下的副成分。4. 根据权利要求1 3中任一项所述的光学信息记录介质，其特征在于，所述记录层包含从Te—O、 Sb—O、 Bi—O、 Ge—O、 Sn—O、 Ga—O 和In—O中选出的一种或者多种氧化物母材。5. —种光学信息记录介质，在透明基板上依次具备记录层、电介质层和反射层，其中所述记录层 包含从Te—O、 Sb—O、 Bi—O、 Ge—O、 Sn—O、 Ga—O和In—O中选出 的一种或者多种氧化物母材，所述电介质层包含50分子％以上98分子％ 以下的氧化物，所述反射层包含含有Ag的95原子％以上99.95原子％以下的主成 分；和含有从Pd、 Cu、 Bi、 Nd、 Y、 Ga中选出的一种或者多种元素的0.05 原子％以上5原子％以下的副成分。6. 根据权利要求5所述的光学信息记录介质，其特征在于， 所述氧化物是Zn—O。7. 根据权利要求3或6所述的光学信息记录介质，其特征在于，所述电介质层还包含从2分子％以上50分子％以下的Y—0、Ce—0、 Nb_0、 Ta—0、 Cr—0和Mo—0中选出的一种或者多种化合物。8. 根据权利要求4 7中任一项所述的光学信息记录介质，其特征在于，所述记录层还包含从Te、 Sb、 Bi、 Ge、 Sn、 G...
【专利技术属性】
技术研发人员：北浦英树，土居由佳子，山田升，
申请(专利权)人：松下电器产业株式会社，
类型：发明
国别省市：JP[日本]
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