【技术实现步骤摘要】
具有颗粒监测功能的去离子水清洗设备
[0001]本技术涉及半导体
,尤其涉及用于清洗硅晶圆的湿法清洗设备,特别是涉及一种具有颗粒监测功能的去离子水清洗设备。
技术介绍
[0002]湿法清洗工艺中的晶圆清洗是先在超纯水中开始清洗,然后用化学品去除氧化膜、晶圆表面的颗粒、有机物和金属不纯物之后在超纯水中进行最后的清洗。可以看到,在湿法清洗工艺中,超纯水占很大的影响力。从超纯水的制作到湿法清洗再到供给管路的管理,以及湿法清洗机台内的污染物的管理都是晶圆清洗品质管理中的重要变数。相较于单片式清洗设备,在去离子水清洗槽内一次性投入25片或50片晶圆的批次型清洗设备中,超纯水的影响力更大。因而,为防止导致晶圆表面的器件性能劣化的原因产生,比如污染物的再附着或是物理化学性的表面状态变化,从超纯水制作品质及管理层面而言都需要严格的水质标准。
[0003]晶圆厂内对超纯水的要求通常为,电阻率为18MΩCm以上,TOC(总有机碳)为5ppb以下,超纯水中大于0.5μm的液体颗粒数最大为1,为防止晶圆表面生成氧化膜,溶氧量需在5pp ...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种具有颗粒监测功能的去离子水清洗设备,其特征在于,包括:去离子水清洗槽、补给管路、颗粒监测装置、控制装置及报警装置;所述去离子水清洗槽用于承载去离子水及待清洗件;所述补给管路一端与所述去离子水清洗槽相连通,另一端与去离子水源相连接;所述颗粒监测装置位于所述补给管路上且与所述去离子水清洗槽相邻;所述控制装置与所述颗粒监测装置及报警装置相连接,以当所述颗粒监测装置监测到去离子水中的颗粒数量超过预设值时由所述报警装置产生报警信息。2.根据权利要求1所述的具有颗粒监测功能的去离子水清洗设备,其特征在于,所述去离子水清洗设备还包括显示装置,与所述控制装置相连接,以实时显示所述颗粒监测装置的监测结果。3.根据权利要求1所述的具有颗粒监测功能的去离子水清洗设备,其特征在于,所述补给管路上设置有电动阀,所述电动阀与所述控制装置相连接,以当所述颗粒监测装置监测到去离子水中的颗粒数量超过预设值时由所述控制装置控制所述电动阀关闭。4.根据权利要求1所述的具有颗粒监测功能的去离...
【专利技术属性】
技术研发人员:吴镐硕,朴灵绪,
申请(专利权)人:苏州恩腾半导体科技有限公司,
类型:新型
国别省市:
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