【技术实现步骤摘要】
一种塑料封装外壳
[0001]本技术属于半导体封装
，具体涉及一种塑料封装外壳。
技术介绍
[0002]LDMOS芯片(laterally
‑
diffused metal
‑
oxide semiconductor，横向扩散金属氧化物半导体)及GaN芯片制作的器件均为高频大功率晶体管，应用于无线通信基站中的功率放大组件，是提升基站中射频功率信号的关键部件。热阻抗对于高频大功率晶体管是一个非常重要的参数，但是现有的封装技术如：陶瓷外壳封装和灌封，散热性能较差，生产工艺较复杂，已难以满足LDMOS芯片和GaN 芯片等半导体器件在散热方面的需求，亟待开发一种高热导率、且生产工艺相对简单、易于实现大规模生产的封装外壳。
技术实现思路
[0003]本技术要解决的技术问题是提供一种塑料封装外壳，其采用塑料侧墙替代了陶瓷侧墙，形成气密性封装外壳，在满足气密封装的同时，节约制作成本，提高了生产效率。
[0004]为了解决上述技术问题，本申请实施例提供了一种塑料封装外壳，包括：
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种塑料封装外壳，其特征在于，包括：塑料框架，所述塑料框架由塑料侧墙围设成环状，所述塑料侧墙具有相对设置的内壁和外壁；金属引线，塑封设置在所述塑料侧墙上，所述金属引线贯通所述塑料侧墙预设区域的内壁和外壁、且一端伸入至所述塑料框架内用于键合芯片、另一端伸出所述塑料框架外用于连接外部电路；金属热沉，固定于所述塑料框架的下部；所述塑料侧墙与所述金属热沉围合成顶面开窗的腔体。2.如权利要求1所述的塑料封装外壳，其特征在于，所述塑料侧墙包括整体成型上侧墙和下侧墙，上、下侧墙之间在围成的所述塑料框架内侧呈台阶设置，所述金属引线的一端设置在所述台阶上。3.如权利要求2所述的塑料封装外壳，其特征在于，所述金属引线与所述塑料框架的塑封面上设有用于所述上、下侧墙相互连接和熔合的通孔。4.如权利要求2或3所述的塑料封装外壳，其特征在于，所述金属引线与所述塑料框架的塑封面上还加工有微坑，在所述金属引线与所述上、下侧墙之间形成微观的互锁结构。5.如权利要求4所述的塑料封装外壳，其特征在于，所述微坑的直径小于等于1微米，深度大于等于1微米。6.如权利要求1所述的塑料封装外壳，其特征在于，所述塑料框架通过注塑工艺一体成型，在用于与注塑流道连通的两侧墙上设有向内凹的工艺槽，所述工艺槽的宽度与所述注塑流道相适配、并贯通相应塑料侧墙的上下表...
【专利技术属性】
技术研发人员：李军，梁坤龙，孟玉清，谢志刚，冯聪聪，
申请(专利权)人：河北中瓷电子科技股份有限公司，
类型：新型
国别省市：
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