一种晶体谐振器的陶瓷外壳及晶体谐振器制造技术

技术编号:40855175 阅读:4 留言:0更新日期:2024-04-01 15:53
本申请适用于陶瓷封装技术领域,提供了一种晶体谐振器的陶瓷外壳及晶体谐振器,该陶瓷外壳用于封装晶体谐振器的晶体;该陶瓷外壳包括可伐环和陶瓷基底;陶瓷基底上设置有凹槽,凹槽的开口方向为朝向陶瓷基底的上表面;陶瓷基底的上表面的四周边缘处设置有可伐环焊接盘,陶瓷基底的上表面设置有电极,电极位于凹槽的左侧;可伐环通过可伐环焊接盘与陶瓷基底焊接在一起;晶体置于凹槽上方,凹槽为晶体提供起振空间;晶体的起振电极与电极相连接。本申请能够避免增加电极厚度带来的加工难的问题。

【技术实现步骤摘要】

本申请属于晶体谐振器,尤其涉及一种晶体谐振器的陶瓷外壳及晶体谐振器


技术介绍

1、通常情况下,晶体谐振器中的石英晶片起振需要一定的起振空间。现有的方法是通过增加电极厚度将晶片架起,但是想要一次加工就实现厚电极层,对于多层陶瓷外壳加工工艺来说是非常困难的,而采用多次加工的方式会引入多次公差的叠加,精度控制困难。并且以目前自动化应用水平来说,多次加工是不利于点胶以及装片过程准确识别的。


技术实现思路

1、有鉴于此,本申请提供了一种晶体谐振器的陶瓷外壳及晶体谐振器,能够避免增加电极厚度带来的加工难的问题。

2、为达到上述目的,本申请采用如下技术方案:

3、第一方面,本申请实施例提供了一种晶体谐振器的陶瓷外壳,用于封装晶体谐振器的晶体;晶体谐振器的陶瓷外壳包括可伐环和陶瓷基底;

4、陶瓷基底上设置有凹槽,凹槽的开口方向为朝向陶瓷基底的上表面;陶瓷基底的上表面的四周边缘处设置有可伐环焊接盘,陶瓷基底的上表面设置有电极,电极位于凹槽的左侧;

5、可伐环通过可伐环焊接盘与陶瓷基底焊接在一起;

6、晶体置于凹槽上方,凹槽为晶体提供起振空间;晶体的起振电极与电极相连接。

7、在一些实施例中,可伐环焊接盘和电极为在陶瓷基底的上表面一同加工成型。

8、在一些实施例中,凹槽的左侧边缘与电极的右侧重合,凹槽的右侧边缘与可伐环的第一边缘相距第一设定距离;凹槽的右侧边缘与可伐环之间的空间用于搭载晶体;

9、晶体的右侧边缘与可伐环的第一边缘相距第二设定距离;第一设定距离大于第二设定距离。

10、在一些实施例中,凹槽的开口所在平面的中心与晶体的起振中心重合。

11、在一些实施例中,凹槽的长度大于晶体的起振电极的长度,凹槽的宽度小于可伐环的宽度。

12、在一些实施例中,晶体的起振电极通过导电胶和金属连接部分与电极相连接。

13、在一些实施例中,电极的数量为2个。

14、在一些实施例中,陶瓷基底的四角设置为圆角。

15、在一些实施例中,还包括盖板;盖板设置在可伐环上方;盖板、可伐环与陶瓷基底共同将晶体封装。

16、第二方面,本申请实施例提供了一种晶体谐振器,包括如第一方面任一项的晶体谐振器的陶瓷外壳。

17、本申请实施例的有益效果为:通过在陶瓷基底上设置有凹槽,晶体谐振器的晶体与凹槽围成非密闭腔体,晶体振动空间由该腔体提供,避免加厚电极带来的工艺难度问题。

本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种晶体谐振器的陶瓷外壳,其特征在于,用于封装所述晶体谐振器的晶体;所述晶体谐振器的陶瓷外壳包括可伐环和陶瓷基底;

2.根据权利要求1所述的晶体谐振器的陶瓷外壳,其特征在于,所述可伐环焊接盘和所述电极为在所述陶瓷基底的上表面一同加工成型。

3.根据权利要求1所述的晶体谐振器的陶瓷外壳,其特征在于,所述凹槽的左侧边缘与所述电极的右侧重合,所述凹槽的右侧边缘与所述可伐环的第一边缘相距第一设定距离;所述凹槽的右侧边缘与所述可伐环之间的空间用于搭载所述晶体;

4.根据权利要求1所述的晶体谐振器的陶瓷外壳,其特征在于,所述凹槽的开口所在平面的中心与所述晶体的起振中心重合。

5.根据权利要求1所述的晶体谐振器的陶瓷外壳,其特征在于,所述凹槽的长度大于所述晶体的起振电极的长度,所述凹槽的宽度小于所述可伐环的宽度。

6.根据权利要求1所述的晶体谐振器的陶瓷外壳,其特征在于,所述晶体的起振电极通过导电胶和金属连接部分与所述电极相连接。

7.根据权利要求1所述的晶体谐振器的陶瓷外壳,其特征在于,所述电极的数量为2个。

8.根据权利要求1所述的晶体谐振器的陶瓷外壳,其特征在于,所述陶瓷基底的四角设置为圆角。

9.根据权利要求1至8任一所述的晶体谐振器的陶瓷外壳,其特征在于,还包括盖板;

10.一种晶体谐振器,其特征在于,包括如权利要求1至9任一项所述的晶体谐振器的陶瓷外壳。

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【技术特征摘要】

1.一种晶体谐振器的陶瓷外壳,其特征在于,用于封装所述晶体谐振器的晶体;所述晶体谐振器的陶瓷外壳包括可伐环和陶瓷基底;

2.根据权利要求1所述的晶体谐振器的陶瓷外壳,其特征在于,所述可伐环焊接盘和所述电极为在所述陶瓷基底的上表面一同加工成型。

3.根据权利要求1所述的晶体谐振器的陶瓷外壳,其特征在于,所述凹槽的左侧边缘与所述电极的右侧重合,所述凹槽的右侧边缘与所述可伐环的第一边缘相距第一设定距离;所述凹槽的右侧边缘与所述可伐环之间的空间用于搭载所述晶体;

4.根据权利要求1所述的晶体谐振器的陶瓷外壳,其特征在于,所述凹槽的开口所在平面的中心与所述晶体的起振中心重合。

5.根据权利要求1所...

【专利技术属性】
技术研发人员:刘明郭静张驰
申请(专利权)人:河北中瓷电子科技股份有限公司
类型:新型
国别省市:

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