太阳能电池的制备方法技术

本申请提供了一种太阳能电池的制备方法，包括以下步骤：将硅片放置于反应炉内，并使得炉口的温度为第一温度，炉体的温度为第二温度，第一温度低于第二温度；调整炉内气压为第一预定气压，沿炉口向反应炉内通入硅源及氧源；调整炉内气压至第二预定气压，开启等离子源，激发氧源变为氧等离子体，激发硅源变为硅等离子体，氧等离子体与硅等离子体反应后沉积于硅片上；向反应炉内通入惰性气体。本申请提供的太阳能电池的制备方法，通过提升隧穿氧化层的均匀性，可提升整体电池效率，进而提高发电效率。电效率。电效率。

【技术实现步骤摘要】
太阳能电池的制备方法


[0001]本专利技术涉及光伏
，尤其涉及一种太阳能电池的制备方法。

技术介绍

[0002]太阳能组件是指利用光伏半导体材料的光生伏打效应而将太阳能转化为直流电能的发电设备，太阳能组件的核心是太阳能电池。
[0003]现有背面钝化接触技术中的TOPCon(隧穿氧化层钝化接触 Tunnel Oxide Passivated Contact)太阳能电池仍有进步的空间，效率可以进一步提升。

技术实现思路

[0004]有鉴于此，本申请提供了一种太阳能电池的制备方法，在批量制造中提升电池效率。
[0005]本申请提供一种太阳能电池的制备方法，包括以下步骤：将硅片放置于反应炉内，并使得炉口的温度为第一温度，炉体的温度为第二温度，所述第一温度低于所述第二温度；调整炉内气压为第一预定气压，沿所述炉口向所述反应炉内通入硅源及氧源；调整炉内气压至第二预定气压，开启等离子源，激发所述氧源变为氧等离子体，激发所述硅源变为硅等离子体，所述氧等离子体与所述硅等离子体反应后沉积于所述硅片上；向所述反应炉内通入惰性气体。
[0006]采用上述技术方案后，有益效果是：提高了隧穿氧化层的均匀性，进而提高了太阳能电池的转换效率，提升了电池效率的集中度。
[0007]在一种可能的设计中，所述反应炉还包括炉尾，所述炉尾的温度为第三温度；所述第三温度大于所述第二温度；或，所述第三温度等于所述第二温度。
[0008]在一种可能的设计中，所述反应炉还包括炉尾，沿所述炉口到所述炉尾的方向，所述反应炉内的温度逐渐升高。
[0009]在一种可能的设计中，所述炉口的温度与所述炉尾的温度的差值在5℃~15℃之间，且沿所述炉口到所述炉尾的方向，所述反应炉内的温度均匀升高。
[0010]在一种可能的设计中，所述第二温度为170℃
‑
230℃。
[0011]在一种可能的设计中，在将硅片放置于反应炉内，并使得炉口的温度为第一温度，炉体的温度为第二温度，所述第一温度低于所述第二温度后，重复其余步骤，使得所述硅等离子体及所述氧等离子体多次沉积于所述硅片上。
[0012]在一种可能的设计中，所述第一预定气压为10Pa
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100Pa；和/或，第二预定气压为30Pa
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120Pa。
[0013]在一种可能的设计中，所述硅源为三二甲氨基硅烷、四乙氧基矽烷或正硅酸乙脂中的至少一种；和/或，所述氧源为臭氧、氧气中的至少一种。
[0014]在一种可能的设计中，在将硅片放置于反应炉内前，对所述硅片进行碱抛光处理。
[0015]在一种可能的设计中，所述硅片经过碱抛光处理后的反射率为50%
‑
55%。
[0016]本申请实施例的其他特征和优点将在随后的说明书中阐述，并且，部分地从说明书中变得显而易见，或者通过实施本申请实施例而了解。本申请实施例的目的和其他优点在说明书以及附图所特别指出的结构来实现和获得。
附图说明
[0017]为了更清楚地说明本专利技术实施例的技术方案，下面将对实施例中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本专利技术的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动性的前提下，还可以根据这些附图获得其它的附图。
[0018]图1为本申请实施例提供的太阳能电池的制备方法的流程图；图2为本申请实施例提供的反应炉的结构示意图；图3为本申请实施例提供的硅片九点法测试隧穿氧化层厚度的示意图。
[0019]附图标记：1
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反应炉；11
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炉口；12
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炉尾；13
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第一温区；14
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第二温区；15
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第三温区；2
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石墨舟；3
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硅片。
[0020]此处的附图被并入说明书中并构成本说明书的一部分，示出了符合本申请的实施例，并与说明书一起用于解释本申请的原理。
具体实施方式
[0021]为了更好的理解本申请的技术方案，下面结合附图对本申请实施例进行详细描述。
[0022]应当明确，所描述的实施例仅仅是本申请一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本申请中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其它实施例，都属于本申请保护的范围。
[0023]在本申请实施例中使用的术语是仅仅出于描述特定实施例的目的，而非旨在限制本申请。在本申请实施例和所附权利要求书中所使用的单数形式的“一种”、“所述”和“该”也旨在包括多数形式，除非上下文清楚地表示其它含义。
[0024]应当理解，本文中使用的术语“和/或”仅仅是一种描述关联对象的关联关系，表示可以存在三种关系，例如，A和/或B，可以表示：单独存在A，同时存在A和B，单独存在B这三种情况。另外，本文中字符“/”，一般表示前后关联对象是一种“或”的关系。
[0025]需要注意的是，本申请实施例所描述的“上”、“下”、“左”、“右”等方位词是以附图
所示的角度来进行描述的，不应理解为对本申请实施例的限定。此外，在上下文中，还需要理解的是，当提到一个元件连接在另一个元件“上”或者“下”时，其不仅能够直接连接在另一个元件“上”或者“下”，也可以通过中间元件间接连接在另一个元件“上”或者“下”。
[0026]为了下述各实施例的描述清楚简洁，首先给出相关概念或技术的简要介绍：原子层沉积：原子层沉积是通过将气相前驱体脉冲交替地通入反应器并在沉积基体上化学吸附并反应而形成沉积膜的一种方法（技术）。当前驱体达到沉积基体表面，它们会在其表面化学吸附并发生表面反应。在前驱体脉冲之间需要用惰性气体对原子层沉积反应器进行清洗。由此可知，沉积反应前驱体物质能否在被沉积材料表面化学吸附，是实现原子层沉积的关键。由气相物质在基体材料的表面吸附特征可以看出，任何气相物质在材料表面都可以进行物理吸附，但是要实现在材料表面的化学吸附必须具有一定的活化能，因此能否实现原子层沉积，选择合适的反应前驱体物质是很重要的。
[0027]气体吸附：根据吸附力的不同，气体吸附可分为物理吸附和化学吸附。物理吸附是气体分子受范德瓦尔斯力的吸引作用而附着在吸附剂表面之上，与气体的液化过程相类似，其特点是吸附较弱，吸附热较小，吸附不稳定，较易脱附，但对吸附的气体一般无选择性，温度越低吸附量越大，能形成多层吸附，分子筛吸附泵和低温泵的吸气作用就属于物理吸附。
[0028]化学吸附是靠固体表面原子与气体分子间形成吸附化学键实现的，与发生化学反应相类似，同物理吸附相比，化学吸附的特点是吸附强，吸附热大，稳定不易脱附，吸附有选择性，温度较高时发生化学吸附的气体分子增多，只能紧贴表面形成单层吸附（在化学吸附的分子上面还能形成物理吸附），溅射离子泵和电子管中吸气剂的吸气作用就包括化学吸附。
[0029]下面根据本申请实施例提供的太阳能电池的本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种太阳能电池的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：将硅片放置于反应炉内，并使得炉口的温度为第一温度，炉体的温度为第二温度，所述第一温度低于所述第二温度；调整炉内气压为第一预定气压，沿所述炉口向所述反应炉内通入硅源及氧源；调整炉内气压至第二预定气压，开启等离子源，激发所述氧源变为氧等离子体，激发所述硅源变为硅等离子体，所述氧等离子体与所述硅等离子体反应后沉积于所述硅片上；向所述反应炉内通入惰性气体。2.根据权利要求1所述的太阳能电池的制备方法，其特征在于，所述反应炉还包括炉尾，所述炉尾的温度为第三温度；所述第三温度大于所述第二温度；或，所述第三温度等于所述第二温度。3.根据权利要求1所述的太阳能电池的制备方法，其特征在于，所述反应炉还包括炉尾，沿所述炉口到所述炉尾的方向，所述反应炉内的温度逐渐升高。4.根据权利要求3所述的太阳能电池的制备方法，其特征在于，所述炉口的温度与所述炉尾的温度的差值在5℃~15℃之间，且沿所述炉口到所述炉尾的方向，所述反应炉内的温度均匀升高。5.根据权利要求1所述的太阳能电池的制备方法，...

【专利技术属性】
技术研发人员：于琨，刘长明，张昕宇，
申请(专利权)人：晶科能源海宁有限公司，
类型：发明
国别省市：