太阳能电池及其制备方法、光伏组件技术

本申请涉及一种太阳能电池及其制备方法、光伏组件，太阳能电池包括：P型半导体衬底，P型半导体衬底包括相对设置的第一表面和第二表面；设置在P型半导体衬底的第二表面的隧穿氧化层和P+掺杂导电层，P+掺杂导电层含有第一掺杂元素和第二掺杂元素，第一掺杂元素和第二掺杂元素的导电类型相反，第一掺杂元素和P型半导体衬底的导电类型相同，第一掺杂元素在P+掺杂导电层中的掺杂浓度大于所述第二掺杂元素在所述P+掺杂导电层中的掺杂浓度；设置在P型半导体衬底的第一表面的第一钝化层，穿过第一钝化层与P型半导体衬底形成接触的第一电极；及设置在P+掺杂导电层表面的第二钝化层，穿过第二钝化层与P+掺杂导电层形成接触的第二电极。

【技术实现步骤摘要】

【】本申请涉及太阳能光伏组件，尤其涉及一种太阳能电池及其制备方法、光伏组件。

技术介绍

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技术介绍

1、太阳能电池可以利用太阳能发电，是解决能源危机的一个重要发展方向。通常使用半导体工艺技术在半导体晶片上制造太阳能电池，通过照射到太阳能电池上的太阳辐射迁移到太阳能电池的掺杂区的电子和空穴，使得电子和空穴移动形成电流，进而发电。

2、太阳能电池根据衬底类型分为p型电池和n型电池。相比于n型电池，p型电池的制备工艺简单，成本低，但是其光电转换效率不如n型电池，为了提升p型电池在太阳能电池领域的竞争力，对p型电池进行改进以提升光电转换效率成为目前光伏产业急需解决的问题。

技术实现思路

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技术实现思路

1、为了克服上述缺陷，本申请提供一种太阳能电池及其制备方法、光伏组件，能够改善p+掺杂导电层的薄膜质量，提升p型电池的钝化效果，从而提高p型电池的光电转化效率。

2、第一方面，本申请实施例提供了太阳能电池，包括：

3、p型半导体衬底，所述p型半导体本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种太阳能电池，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的太阳能电池，其特征在于，所述第一掺杂元素包括B、Al和Ga中的至少一种；和/或所述第二掺杂元素包括P、As和Sb中的至少一种。

3.根据权利要求1所述的太阳能电池，其特征在于，所述第一掺杂元素在所述P+掺杂导电层中的激活浓度C1满足：1×1018cm-3≤C1≤1×1021cm-3；和/或所述第二掺杂元素在所述P+掺杂导电层中的掺杂浓度C2满足：1×1016cm-3≤C2＜1×1018cm-3。

4.根据权利要求1所述的太阳能电池，其特征在于，所述P+掺杂导电层中的平均晶粒尺寸大于等于10...

【技术特征摘要】

1.一种太阳能电池，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的太阳能电池，其特征在于，所述第一掺杂元素包括b、al和ga中的至少一种；和/或所述第二掺杂元素包括p、as和sb中的至少一种。

3.根据权利要求1所述的太阳能电池，其特征在于，所述第一掺杂元素在所述p+掺杂导电层中的激活浓度c1满足：1×1018cm-3≤c1≤1×1021cm-3；和/或所述第二掺杂元素在所述p+掺杂导电层中的掺杂浓度c2满足：1×1016cm-3≤c2＜1×1018cm-3。

4.根据权利要求1所述的太阳能电池，其特征在于，所述p+掺杂导电层中的平均晶粒尺寸大于等于100nm。

5.根据权利要求1所述的太阳能电池，其特征在于，所述p+掺杂导电层为单层结构。

6.根据权利要求1所述的太阳...

【专利技术属性】
技术研发人员：郑晶茗，毛杰，王钊，郑霈霆，杨洁，张昕宇，
申请(专利权)人：晶科能源海宁有限公司，
类型：发明
国别省市：