一种增益耦合分布反馈式半导体激光器及其制作方法技术

本申请公开了一种增益耦合分布反馈式半导体激光器及其制作方法，该方法包括获得激光器下结构体，激光器下结构体包括由下至上依次层叠的衬底、缓冲层和下包层；采用原位激光诱导图形化外延技术在激光器下结构体的上表面外延生长无缺陷的量子点阵列作为有源层，形成增益光栅；增益光栅的布拉格波长位于量子点阵列的有效增益区内；在有源层的上表面外延生长上包层，并在激光器下结构体的下表面生长下导电层；在上包层的上表面生长绝缘层，并刻蚀绝缘层形成导电区；在绝缘层的上表面生长上导电层，得到增益耦合分布反馈式半导体激光器。采用原位激光诱导图形化外延技术生长有源层，可避免引入缺陷；不需制备光栅，实现纯增益耦合，制作流程非常简单。制作流程非常简单。制作流程非常简单。

【技术实现步骤摘要】
一种增益耦合分布反馈式半导体激光器及其制作方法


[0001]本申请涉及半导体
，特别是涉及一种增益耦合分布反馈式半导体激光器及其制作方法。

技术介绍

[0002]半导体激光器称为半导体激光二极管，或激光二极管(Laser Diode，LD)，具有体积小、重量轻、低功率驱动、高效率输出、调制方便、寿命长和易于集成等优点。半导体激光器可分为普通法布里
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珀罗型(Fabry
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Perot，简称FP)激光器和分布反馈型(Distributed Feed Back，简称DFB)激光器，其中，FP
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LD的制作工艺简单，DFB
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LD的制作工艺复杂。
[0003]增益耦合分布反馈式半导体激光器是DFB
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LD的一种，传统的增益耦合分布反馈式半导体激光器的制备方式主要有三种，第一种是直接在有源层上刻蚀光栅，或者在有光栅的衬底上外延生长非均匀有源层，实现增益耦合；第二种是在有源层附近制作一个窄带隙材料的吸收光栅，对光场产生周期性的吸收，实现增益耦合；第三种是本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种增益耦合分布反馈式半导体激光器制作方法，其特征在于，包括：获得激光器下结构体，所述激光器下结构体包括由下至上依次层叠的衬底、缓冲层和下包层；采用原位激光诱导图形化外延技术在所述激光器下结构体的上表面外延生长无缺陷的量子点阵列作为有源层，形成增益光栅；所述增益光栅的布拉格波长位于所述量子点阵列的有效增益区内；在所述有源层的上表面外延生长上包层，并在所述激光器下结构体的下表面生长下导电层；在所述上包层的上表面生长绝缘层，并刻蚀所述绝缘层形成导电区；在所述绝缘层的上表面生长上导电层，得到增益耦合分布反馈式半导体激光器。2.如权利要求1所述的增益耦合分布反馈式半导体激光器制作方法，其特征在于，所述采用原位激光诱导图形化外延技术在所述激光器下结构体的上表面外延生长无缺陷的量子点阵列作为有源层包括：采用分子束外延技术在所述激光器下结构体的上表面外延生长无缺陷的量子点阵列作为有源层。3.如权利要求1所述的增益耦合分布反馈式半导体激光器制作方法，其特征在于，所述采用原位激光诱导图形化外延技术在所述激光器下结构体的上表面外延生长无缺陷的量子点阵列作为有源层包括：采用金属有机化学气相沉积外延技术在所述激光器下结构体的上表面外延生长无缺陷的量子点阵列作为有源层。4.如权利要求1所述的增益耦合分布反馈式半导体激光器制作方法，其特征在于，在所述上包层的上表面生长绝缘层之前，还包括：刻蚀所述上包层，在所述上包层形成脊条；相应的，在所述上包层的上表面生长绝缘层，并刻蚀所述绝缘层形成导电区包括：在所...

【专利技术属性】
技术研发人员：彭长四，石震武，耿彪，杨新宁，缪力力，庄思怡，祁秋月，
申请(专利权)人：苏州大学，
类型：发明
国别省市：