处理腔室的漏率侦测方法和装置制造方法及图纸

本申请实施例提供一种处理腔室的漏率侦测方法和装置，该方法包括：在处理腔室中，对固定在静电吸盘上的基板进行加工处理之后，通过氩气等离子体释放静电吸盘与基板之间的电荷；在释放电荷的过程中，实时获取处理腔室中官能基的发射光谱，发射光谱用于确定官能基的波长和强度之间的关系；根据发射光谱确定波长在640纳米至660纳米之间的第一强度和波长在490纳米至510纳米之间的第二强度；计算第一强度与第二强度的比值，侦测处理腔室的漏率。由于释放电荷是生产基板过程中不可缺少的步骤，从而不需要停止生产基板，不会影响基板的产量。此外，在检测到生产一个基板的漏率异常时可以避免继续生产下一个基板，可以降低基板的报废率。率。率。

【技术实现步骤摘要】
处理腔室的漏率侦测方法和装置


[0001]本申请实施例涉及半导体制造技术，尤其涉及一种处理腔室的漏率侦测方法和装置。

技术介绍

[0002]半导体设备中可以包括处理腔室，基板需要在处理腔室中进行一系列的处理。在半导体设备的长期生产过程中，大量腐蚀性气体、高温、超低压力等生产条件，会导致处理腔室中的密封圈、石英等部件的密封性能失效。从而导致空气进入处理腔室中，使处理腔室中的生产条件发生变化，进而导致生产的基板报废。
[0003]现有技术中，检测处理腔室中是否进入空气的方法是离线进行的，也就是需要在处理腔室未工作的情况下进行检测。从而，通常每隔一天或多天停止生产基板，以检测处理腔室中是否进入空气。
[0004]可以看出，上述方案需要停止生产基板，会影响基板的产量。此外，若在相邻两次检测之间处理腔室中进入空气，则相邻两次检测之间生产的基板均报废，导致报废率较高。

技术实现思路

[0005]本申请实施例提供一种处理腔室的漏率侦测方法和装置，用以在不影响基板的产量的情况下侦测处理腔室的漏率，降低基板的报废率。
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【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种处理腔室的漏率侦测方法，其特征在于，所述处理腔室用于加工基板，所述方法包括：在所述处理腔室中，对固定在静电吸盘上的所述基板进行加工处理之后，通过氩气等离子体释放所述静电吸盘与所述基板之间的电荷；在释放所述电荷的过程中，实时获取所述处理腔室中官能基的发射光谱，所述发射光谱用于表示所述官能基的波长与所述官能基的强度之间的关系；根据所述发射光谱确定所述波长在640纳米至660纳米之间的第一强度和所述波长在490纳米至510纳米之间的第二强度；计算所述第一强度与所述第二强度的比值，侦测所述处理腔室的漏率。2.根据权利要求1所述的处理腔室的漏率侦测方法，其特征在于，所述方法还包括：若所述第一强度与所述第二强度的比值小于预设阈值，则判定所述处理腔室工作正常；若所述第一强度与所述第二强度的比值大于或等于所述预设阈值，则判定所述处理腔室工作异常，并对所述异常发出警报。3.根据权利要求1所述的处理腔室的漏率侦测方法，其特征在于，所述方法还包括：将所述第一强度与所述第二强度的所述比值作为所述处理腔室的泄露程度进行输出。4.根据权利要求1所述的处理腔室的漏率侦测方法，其特征在于，所述加工处理为对固定在所述静电吸盘上的所述基板进行干法刻蚀处理。5.根据权利要求1所述的处理腔室的漏率侦测方法，其特征在于，所述发射光谱的波长采集范围为100纳米至1000纳米。6.根据权利要求1所述的处理腔室的漏率侦测方法，其特征在于，所述第一强度为所述波长在640纳米至660纳米之间的最大强度，所述第二强度为所述波长在490纳米至510纳米之间的最大强度。7.根据权利要求1所述的处理腔室的漏率侦测方法，其特征在于，所述第一强度为所述波长在640纳米至660纳米之间的平均强度，所述第二强度为所述波长在490纳米至510纳米之间的平均强度。8.根据权利要求2所述的处理腔室的漏率侦测方法，其特征在于，所述方法还包括：若所述第一强度与所述第二强度的所述比值大于或等于所述预设阈值，则输出对所述基板进行加工处理时，所述处理腔室的工作参数，所述工作参数用于确定所述处理腔室工作异常的原因。9.根据权利要求2所述的处理腔室的漏率侦测方法，其特征在于，所述方法还包括：若所述第一强度与所述第二强度的所述比值大于或等于所述预设阈值，则停止运行所述处理腔室中用于对所述基板进行加工处理的装置。10.根据权利要求2所述的处理腔室的漏率侦测方法，其特征在于，所述方法还包括：获取在所述处理...

【专利技术属性】
技术研发人员：李想，
申请(专利权)人：长鑫存储技术有限公司，
类型：发明
国别省市：