一种发光器件、发光器件制作方法及显示装置制造方法及图纸

技术编号:30432172 阅读:47 留言:0更新日期:2021-10-24 17:26
本发明专利技术提供了一种发光器件、发光器件制作方法及显示装置,该发光器件包括透明基板、若干个发光芯片、平坦化层、连接线路、器件电极和封装层;若干个发光芯片设置在透明基板的顶面上,任一个发光芯片具有位于顶面的芯片电极;若干个发光芯片中的至少一个发光芯片为第一发光芯片,第一发光芯片在透明基板的顶面上直接加工成型;平坦化层设置在透明基板顶面的非发光芯片设置位置上,平坦化层的顶面与芯片电极的顶面相平,平坦化层的顶面与芯片电极的顶面组合形成平坦面;连接线路设置在平坦面上,芯片电极与连接线路连接;器件电极设置在连接线路上,器件电极与连接线路连接;封装层封装连接线路和器件电极,器件电极的顶面外露于封装层。装层。装层。

【技术实现步骤摘要】
一种发光器件、发光器件制作方法及显示装置


[0001]本专利技术涉及显示器件领域,具体涉及到一种发光器件、发光器件制作方法及显示装置。

技术介绍

[0002]随着超高清显示装置对像素要求不断提升,像素间距越来越小,相应的发光芯片尺寸也越来越小。随着发光芯片尺寸的不断缩小,发光芯片电极与对应的基板焊盘也不断缩小,为了满足产品设计需求,对基板的制作精度以及发光芯片电极与基板焊盘的对位精度要求越来越高。
[0003]现有技术的加工制程下发光芯片与基板焊盘容易发生对位异常,导致发光芯片与基板焊盘键合不良,使发光芯片难以直接安装在基板上,从而影响到了显示装置的普及和应用。

技术实现思路

[0004]为了克服现有技术的缺陷,本专利技术还提供了一种发光器件、发光器件制作方法及显示装置,该发光器件通过在发光芯片上制作连接线路和器件电极,规避发光芯片与基板的键合工序,提高发光器件的制作良品率。
[0005]相应的,本专利技术提供了一种发光器件,其特征在于,包括透明基板、若干个发光芯片、平坦化层、连接线路、器件电极和封装层;
[0006]若干个所述发光芯片设置在所述透明基板的顶面上,任一个所述发光芯片具有位于顶面的芯片电极;
[0007]若干个所述发光芯片中的至少一个发光芯片为第一发光芯片,所述第一发光芯片在所述透明基板的顶面上直接加工成型;
[0008]所述平坦化层设置在所述透明基板顶面的非发光芯片设置位置上;所述平坦化层的顶面与所述芯片电极的顶面相平,所述平坦化层的顶面与所述芯片电极的顶面组合形成平坦面;
[0009]所述连接线路设置在所述平坦面上,所述芯片电极与所述连接线路连接;
[0010]所述器件电极设置在所述连接线路上,所述器件电极与所述连接线路连接;
[0011]所述封装层封装所述连接线路和所述器件电极,所述器件电极的顶面外露于所述封装层。
[0012]可选的实施方式,所述若干个发光芯片中的至少一个发光芯片为第二发光芯片,所述第二发光芯片基于粘结层设置在所述透明基板的顶面上。
[0013]可选的实施方式,所述发光器件还包括波长转换层,所述波长转换层嵌入设置在所述透明基板中,且所述波长转换层的设置位置与对应的所述发光芯片相对。
[0014]可选的实施方式,所述发光器件还包括挡墙,所述挡墙包围设置在所述波长转换层的侧面上。
[0015]可选的实施方式,所述发光器件还包括散热通道,所述散热通道设置在所述平坦化层中并与对应的所述挡墙接触;
[0016]所述散热通道中填充有导热材料。
[0017]可选的实施方式,所述发光器件还包散热线路和散热凸块;
[0018]所述散热线路设置在所述平坦面上,所述散热线路与所述散热通道连接;
[0019]所述散热凸块设置在所述散热线路上,所述封装层封装所述散热线路和所述散热凸块,所述散热凸块的顶面外露于所述封装层。
[0020]相应的,本专利技术还提供了一种发光器件制作方法,用于以上任一项所述的发光器件的制作,包括以下步骤:
[0021]发光芯片加工:基于发光器件结构选用预设大小的透明基板,并根据第一发光芯片的设置位置于所述透明基板的顶面上加工出所述第一发光芯片;在所述发光器件包括第二发光芯片的情况下,将所述第二发光芯片基于粘接层固定在所述透明基板顶面的预设位置上;
[0022]平坦化层加工:于所述透明基板顶面上的任意两个相邻发光芯片之间加工出平坦化层,所述平坦化层的顶面与所述芯片电极的顶面相平,所述平坦化层的顶面和所述芯片电极的顶面组合形成平坦面;
[0023]连接线路加工:基于预设连接线路结构在所述平坦面上加工出连接线路,所述芯片电极与所述连接线路连接;
[0024]器件电极加工:于所述连接线路的预设位置上加工出器件电极,所述器件电极与所述连接线路连接;
[0025]发光器件封装:基于封装材料封装所述连接线路和所述器件电极并保持所述器件电极的顶面外露。
[0026]可选的实施方式,所述发光器件制作方法还包括以下步骤:
[0027]波长转换层加工:于透明基板的底面上对应于所述发光芯片的位置开设填充孔,将波长转换材料填入所述填充孔中形成波长转换层。
[0028]可选的实施方式,所述发光器件制作方法还包括以下步骤:
[0029]挡墙加工:于所述填充孔的侧壁上利用光反射材料或光吸收材料加工出挡墙,将所述波长转换材料填入至所述挡墙的包围区域内形成所述波长转换层。
[0030]可选的实施方式,其特征在于,所述发光器件制作方法还包括以下步骤:
[0031]散热通道加工:在所述平坦化层中预留通孔,将导热材料填充至所述通孔中形成散热通道,所述散热通道与对应的所述挡墙接触设置。
[0032]可选的实施方式,所述发光器件制作方法还包括以下步骤:
[0033]散热线路加工:于所述平坦面上对应于所述散热通道的位置加工出散热线路,所述散热线路与所述散热通孔连接;
[0034]散热凸块加工:于所述散热线路上加工出散热凸块,基于封装材料封装所述散热线路和所述散热凸块并保持所述散热凸块的顶面外露。
[0035]相应的,本专利技术还提供了一种显示装置,包括以上任一项所述的发光器件。
[0036]综上,本专利技术提供了一种发光器件、发光器件制作方法及显示装置,该发光器件通过在发光芯片上制作连接线路和器件电极,规避了发光芯片与透明基板的键合工序,且发
光器件中至少一个发光芯片直接成型在透明基板上,省去了部分发光芯片的转移工序,提高发光器件的制作良率;利用设置在透明基板中的波长转换层和挡墙,能够防止发光器件间的串光,提高发光器件的显色效果;针对挡墙的散热通道设计,能够很好的对波长转换层进行辅助散热,降低波长转换层的工作温度,提高发光器件的使用寿命。
附图说明
[0037]图1为本专利技术实施例一的发光器件的剖面结构示意图;
[0038]图2为本专利技术实施例二的发光器件的剖面结构示意图;
[0039]图3为本专利技术实施例三的发光器件的剖面结构示意图;
[0040]图4为本专利技术实施例四的发光器件的剖面结构示意图;
[0041]图5为本专利技术实施例五的发光器件的剖面结构示意图;
[0042]图6为本专利技术实施例六的发光器件的剖面结构示意图;
[0043]图7为本专利技术实施例的发光器件制作方法流程图。
具体实施方式
[0044]下面将结合本专利技术实施例中的附图,对本专利技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述,显然,所描述的实施例仅仅是本专利技术一部分实施例,而不是全部的实施例。基于本专利技术中的实施例,本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其它实施例,都属于本专利技术保护的范围。
[0045]实施例一:
[0046]图1示出了本专利技术实施例发光器件的剖面结构示意图。
[0047]本专利技术实施例提供了一种发光器件,该发光器件包括透本文档来自技高网
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【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种发光器件,其特征在于,包括透明基板、若干个发光芯片、平坦化层、连接线路、器件电极和封装层;若干个所述发光芯片设置在所述透明基板的顶面上,任一个所述发光芯片具有位于顶面的芯片电极;若干个所述发光芯片中的至少一个发光芯片为第一发光芯片,所述第一发光芯片在所述透明基板的顶面上直接加工成型;所述平坦化层设置在所述透明基板顶面的非发光芯片设置位置上;所述平坦化层的顶面与所述芯片电极的顶面相平,所述平坦化层的顶面与所述芯片电极的顶面组合形成平坦面;所述连接线路设置在所述平坦面上,所述芯片电极与所述连接线路连接;所述器件电极设置在所述连接线路上,所述器件电极与所述连接线路连接;所述封装层封装所述连接线路和所述器件电极,所述器件电极的顶面外露于所述封装层。2.如权利要求1所述的发光器件,其特征在于,所述若干个发光芯片中的至少一个发光芯片为第二发光芯片,所述第二发光芯片基于粘结层设置在所述透明基板的顶面上。3.如权利要求1或2所述的发光器件,其特征在于,所述发光器件还包括波长转换层,所述波长转换层嵌入设置在所述透明基板中,且所述波长转换层的设置位置与对应的所述发光芯片相对。4.如权利要求3所述的发光器件,其特征在于,所述发光器件还包括挡墙,所述挡墙包围设置在所述波长转换层的侧面上。5.如权利要求4所述的发光器件,其特征在于,所述发光器件还包括散热通道,所述散热通道设置在所述平坦化层中并与对应的所述挡墙接触;所述散热通道中填充有导热材料。6.如权利要求5所述的发光器件,其特征在于,所述发光器件还包散热线路和散热凸块;所述散热线路设置在所述平坦面上,所述散热线路与所述散热通道连接;所述散热凸块设置在所述散热线路上,所述封装层封装所述散热线路和所述散热凸块,所述散热凸块的顶面外露于所述封装层。7.一种发光器件制作方法,其特征在于,用于权利要求1至6任一项所述的发光器件的制作,包括以下步骤:发光芯片加工:基于发光器件结构选用预设大小的透明基板,并根据第一...

【专利技术属性】
技术研发人员:赵龙章金惠李程袁毅凯刘娜娜
申请(专利权)人:佛山市国星光电股份有限公司
类型:发明
国别省市:

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