一种高耐压光耦封装产品及制作方法技术

本发明专利技术的实施例公开了一种高耐压光耦封装产品及制作方法，该方法包括：将红外发射二极管和收光芯片分别设置于第一支架和第二支架上；在红外发射二极管上设置硅胶层，并对硅胶层进行固化；将第一支架和第二支架进行叠合，并在硅胶层和收光芯片外设置白胶层；对白胶层进行离子清洗，用于活化白胶层的表面；在活化后的白胶层的表面设置黑胶层，并对白胶层和黑胶层进行固化，得到待测光耦封装产品；对待测光耦封装产品进行高压测试，判断待测光耦封装产品的电弧侦测是否合格，若是，则判定待测光耦封装产品合格；若否，则判定待测光耦封装产品不合格，去除该不合格待测光耦封装产品。本发明专利技术能降低光耦封装产品的内部爬电击穿，有效提高耐压特性。有效提高耐压特性。有效提高耐压特性。

【技术实现步骤摘要】
一种高耐压光耦封装产品及制作方法


[0001]本专利技术涉及新型LED灯生产
更具体地，涉及一种高耐压光耦封装产品及制作方法。

技术介绍

[0002]光耦产品作为隔离器件广泛应用于电源、家电、工业控制等领域，涉及安全问题，其隔离耐压性能的稳定为重点管控项目，在应用端光耦的实际使用过程中，仍遇到小比例的耐压失效问题，由于其失效存在随机性，比例较低，一般改善手段无法解决。

技术实现思路

[0003]有鉴于此，本申请提供了一种高耐压光耦封装产品及制作方法。
[0004]第一方面，本专利技术提供一种高耐压光耦封装产品的制作方法，该方法包括：
[0005]S10、将红外发射二极管和收光芯片分别设置于第一支架和第二支架上；
[0006]S20、在所述红外发射二极管上设置硅胶层，并对所述硅胶层进行固化；
[0007]S30、将所述第一支架和所述第二支架进行叠合，并在所述硅胶层和所述收光芯片外设置白胶层；
[0008]S40、对所述白胶层进行离子清洗，用于活化所述白胶层的表面；
[0009]S50、在活化后的白胶层的表面设置黑胶层，并对白胶层和黑胶层进行固化，得到待测光耦封装产品；
[0010]S60、对所述待测光耦封装产品进行高压测试，判断所述待测光耦封装产品的电弧侦测是否合格，若是，则判定所述待测光耦封装产品合格；若否，则判定所述待测光耦封装产品不合格；去除该不合格待测光耦封装产品。
[0011]在一个具体实施例中，所述离子清洗的条件包括预设清洗功率、预设清洗时间、氩氢气氛围以及单层清洗。
[0012]在一个具体实施例中，判断所述待测光耦封装产品是否合格包括：
[0013]在预设电压下，判断电弧漏电是否小于等于预设电流，若是，则判定所述电弧侦测合格；若否，则判定所述电弧侦测不合格。
[0014]在一个具体实施例中，还包括：
[0015]对合格的光耦封装产品进行编带，其中，电压测试与编带同步进行。
[0016]在一个具体实施例中，还包括：
[0017]对编带后的光耦封装产品进行目检，去除目检不合格的光耦封装产品；
[0018]对目检合格的光耦封装产品进行包装入库。
[0019]在一个具体实施例中，在S20之后S30之前还包括：
[0020]检查固化后的硅胶层是否完好，若是，执行S30；若否，对硅胶层进行处理以得到完好的硅胶层。
[0021]在一个具体实施例中，所述S10包括：
[0022]S100、将红外发射二极管和收光芯片通过导电胶分别粘接于第一支架和第二支架上；
[0023]S102、对所述第一支架和第二支架上的导电胶进行烘烤固化，用于固定所述红外发射二极管以及所述收光芯片；
[0024]S104、对所述红外发射二极管以及所述收光芯片进行焊线，以使得所述红外发射二极管以及所述收光芯片具备电连接性能。
[0025]在一个具体实施例中，所述S30还包括：
[0026]对所述第一支架和第二支架上多余的白胶进行切除。
[0027]在一个具体实施例中，所述S50还包括：
[0028]对所述第一支架和第二支架暴露在空气中的部分电镀一层锡；
[0029]对所述第一支架和第二支架上多余的黑胶进行切除；
[0030]对所述第一支架和第二支架上的非产品部分进行切除，将产品引脚进行冲切成型，得到待测光耦封装产品。
[0031]第二方面，本专利技术提供一种第一方面所述的方法制作的高耐压光耦封装产品，包括：
[0032]第一支架和第二支架，其中，所述第一支架设置有红外发射二极管，所述红外发射二极管外包覆有硅胶层，所述第二支架设置有收光芯片，所述硅胶层和所述收光芯片外还包裹有白胶层，所述白胶层外还包覆有黑胶层。
[0033]本专利技术的有益效果如下：
[0034]本专利技术针对目前现有问题，提出了一种高耐压光耦封装产品的制作方法，通过从光耦产品生产端增加离子清洗和高压测试工序，能够降低光耦封装产品的内部爬电击穿，有效提高了光耦封装产品的耐压特性，具有广泛的应用前景。
附图说明
[0035]为了更清楚地说明本专利技术实施例中的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本专利技术的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
[0036]图1示出根据本申请的一个实施例的光耦封装产品的耐压失效示意图。
[0037]图2示出根据本申请的一个实施例的光耦封装产品的制作方法的流程图。
具体实施方式
[0038]为了更清楚地说明本申请，下面结合优选实施例和附图对本申请做进一步的说明。附图中相似的部件以相同的附图标记进行表示。本领域技术人员应当理解，下面所具体描述的内容是说明性的而非限制性的，不应以此限制本申请的保护范围。
[0039]图1示出了现有光耦常见的三种耐压失效方式，其中，路径
①
为外部爬电击穿，其由尺寸设计决定并受使用环境影响，即外部环境差、湿度大或者沾污会引起外部可见的电弧击穿；路径
②
为内部爬电击穿，因为光耦为多层胶体结构，黑树脂和白树脂界面处容易因受潮、严重分层等引起内部爬电击穿；路径
③
为介质层击穿，其由材料和工艺决定，除了非
介质层空洞或者产品框架变形等因素，不受外界环境影响。
[0040]目前耐压失效模式中不太常见的主要为内部爬电击穿，由于其失效存在随机性，比例较低，一般改善手段无法解决。为此，本申请提出了一种高耐压的光耦封装产品的制作方法，该方法包括：
[0041]S10、将红外发射二极管和收光芯片分别设置于第一支架和第二支架上；S20、在所述红外发射二极管上设置硅胶层，并对所述硅胶层进行固化；S30、将所述第一支架和所述第二支架进行叠合，并在所述硅胶层和所述收光芯片外设置白胶层；S40、对所述白胶层进行离子清洗，用于活化所述白胶层的表面；S50、在活化后的白胶层的表面设置黑胶层，并对白胶层和黑胶层进行固化，得到待测光耦封装产品；S60、对所述待测光耦封装产品进行高压测试，判断所述待测光耦封装产品的电弧侦测是否合格，若是，所述待测光耦封装产品合格；若否，所述待测光耦封装产品不合格，去除该不合格待测光耦封装产品。
[0042]本实施例提出的一种高耐压光耦封装产品的制作方法，通过从光耦产品生产端增加离子清洗和高压测试工序，能够降低光耦封装产品的内部爬电击穿，有效提高了光耦封装产品的耐压特性和产品的合格率，具有广泛的应用前景。
[0043]在一个具体实施例中，如图2所示，高耐压光耦封装产品的制作方法包括：
[0044]S10、将红外发射二极管(IR)和收光芯片分别设置于第一支架和第二支架上。其中，收光芯片为光电接收三级管(PT)。
[0045]在一个具体示例中，所述S10本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种高耐压光耦封装产品的制作方法，其特征在于，包括：S10、将红外发射二极管和收光芯片分别设置于第一支架和第二支架上；S20、在所述红外发射二极管上设置硅胶层，并对所述硅胶层进行固化；S30、将所述第一支架和所述第二支架进行叠合，并在所述硅胶层和所述收光芯片外设置白胶层；S40、对所述白胶层进行离子清洗，用于活化所述白胶层的表面；S50、在活化后的白胶层的表面设置黑胶层，并对白胶层和黑胶层进行固化，得到待测光耦封装产品；S60、对所述待测光耦封装产品进行高压测试，判断所述待测光耦封装产品的电弧侦测是否合格，若是，则判定所述待测光耦封装产品合格；若否，则判定所述待测光耦封装产品不合格，去除该不合格待测光耦封装产品。2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述离子清洗的条件包括预设清洗功率、预设清洗时间、氩氢气氛围以及单层清洗。3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，判断所述待测光耦封装产品是否合格包括：在预设电压下，判断电弧漏电是否小于等于预设电流，若是，则判定所述电弧侦测合格；若否，则判定所述电弧侦测不合格。4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，还包括：对合格的光耦封装产品进行编带，其中，电压测试与编带同步进行。5.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，还包括：对编带后的光耦封装产品进行目检，去除目检不合格的光耦封装产品；对目检合格的光耦封装产品进行包装入库。6....

【专利技术属性】
技术研发人员：杨拓，彭子潮，吴刚，唐文军，张平，
申请(专利权)人：华润微集成电路无锡有限公司，
类型：发明
国别省市：