用于利用动态阱提供主字线信号的设备和方法技术

本申请涉及用于利用动态阱提供主字线信号的设备和方法。主字驱动器可耦合到子字驱动器以驱动主字线以选择所述子字驱动器。所述主字驱动器可包含具有均耦合到阱的主体和源极/漏极的第一晶体管。所述主字驱动器可包含配置成对所述阱加偏压的阱控制电路。在一些实例中，所述阱控制电路可将第一低电位提供到所述阱，接着响应于预充电命令将低于所述第一电位的第二低电位提供到所述阱。所述主字驱动器可包含耦合到所述阱控制电路的第二晶体管以接收所述第一低电位和所述第二低电位且将所述第一低电位和所述第二低电位耦合到所述主字线。所述第二晶体管的所述主体可耦合到所述阱。所述主字驱动器中的额外晶体管也可耦合到所述阱。所述阱。所述阱。

【技术实现步骤摘要】
用于利用动态阱提供主字线信号的设备和方法


[0001]本申请涉及用于利用动态阱提供主字线信号的设备和方法。

技术介绍

[0002]由动态随机存取存储器(DRAM)表示的半导体存储器装置包含存储器单元阵列，其具有安置于字线与位线之间的相交点处的存储器单元。半导体存储器装置可包含阶层结构化的主字线和子字线。主字线是定位于上部阶层处的字线，且由行地址的第一部分来选择。子字线是定位于下部阶层处的字线，且基于对应主字线(MWL)和由行地址的第二部分选择的字驱动器线(FXL)来选择。
[0003]重复存取特定子字线(通常称为
‘
行锤击
’
)可造成附近子字线中的数据降级的速率增大。为减小行锤击事件的效应，低于接地的负电压可为MWL所需的以便在预充电期间在通常称作软着陆电压(Voff)的某一电压电平下使子字线驱动器(SWD)放电，这是因为Voff是约300mV且在Voff下的放电需要经由SWD PMOS晶体管进行。半导体中的负电压可不利地产生负主体到源极电压(negative body to source volta本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种设备，其包括：阱；主字驱动器，其配置成驱动主字线，其中所述主字驱动器包括至少第一晶体管，其中所述第一晶体管的主体和源极/漏极耦合到所述阱；和阱控制电路，其耦合到所述阱且配置成对所述阱加偏压。2.根据权利要求1所述的设备，其中所述阱控制电路配置成将所述阱偏压到第一电位，接着响应于预充电命令将所述阱偏压到第二电位，其中所述第二电位低于所述第一电位。3.根据权利要求2所述的设备，其中所述第一电位是接地且所述第二电位是负电压。4.根据权利要求2所述的设备，其进一步包括第二晶体管，其中所述第二晶体管的主体耦合到所述阱且所述第二晶体管的源极/漏极耦合到所述阱控制电路。5.根据权利要求4所述的设备，其中所述阱控制电路进一步配置成响应于所述预充电命令而将所述第二电位提供到所述第二晶体管的所述源极/漏极。6.根据权利要求5所述的设备，其中所述阱控制电路配置成接收第一控制信号和第二控制信号以提供所述第一电位和所述第二电位，其中：所述第一控制信号响应于所述预充电命令而是作用中的；且所述第二控制信号响应于作用中行主字线信号而是作用中的。7.根据权利要求4所述的设备，其进一步包括主体耦合到所述阱的额外晶体管。8.根据权利要求4所述的设备，其中所述第二晶体管耦合到所述主字线且配置成响应于作用中ACT命令而在所述主字线处提供所述第一电位且响应于所述预充电命令而在所述主字线处提供所述第二电位。9.一种方法，其包括：在阱控制电路处提供电压以对主字驱动器中的阱加偏压以将主字线信号提供到耦合到所述主字驱动器的子字驱动器，其中所述主字驱动器包括至少第一晶体管，其中所述第一晶体管的主体和源极/漏极耦合到所述阱。10.根据权利要求9所述的方法，其中对所述阱加偏压包括将所述阱偏压到第一电位，接着响应于预充电命令将所述阱偏压到第二电位，其中所述第二电位低于所述第一电位。11.根据权利要求10所述的方法，其进一步包括响应于所述预充电命令而将所述第二电位提供到第二晶体管的源极/漏极，其中所述第二晶体管的主体耦合到所述阱。12.根据权利要求11所述的方法，其中将所述阱偏压到所述第...

【专利技术属性】
技术研发人员：朴尚坚，T，
申请(专利权)人：美光科技公司，
类型：发明
国别省市：