半导体装置及半导体装置的制造方法制造方法及图纸

目的在于提供能够在半导体装置中抑制由于存在于粘接剂内的气泡到达电路图案而产生的绝缘不良的技术。半导体装置(100)具有：树脂绝缘铜基座板(1)，其具有铜基座板(1a)、在铜基座板(1a)的上表面设置的绝缘层(1b)和在绝缘层(1b)的上表面设置的电路图案(1c)；半导体元件(2)，其搭载于树脂绝缘铜基座板(1)的上表面；壳体(4)，其经由粘接剂(9)而与树脂绝缘铜基座板(1)的外周部接合；封装材料(8)，其在壳体(4)的内部将树脂绝缘铜基座板(1)的上表面以及半导体元件(2)封装；以及粗糙化图案(11)，其在绝缘层(1b)的上表面以在俯视观察时将电路图案(1c)包围的方式形成。路图案(1c)包围的方式形成。路图案(1c)包围的方式形成。

【技术实现步骤摘要】
半导体装置及半导体装置的制造方法


[0001]本专利技术涉及具有树脂绝缘铜基座板的半导体装置及其制造方法。

技术介绍

[0002]提出了具有树脂绝缘铜基座板、半导体元件以及封装材料的半导体装置，该树脂绝缘铜基座板具有铜基座板、在铜基座板的上表面设置的绝缘层和在绝缘层的上表面设置的电路图案。半导体元件搭载于树脂绝缘铜基座板的上表面。壳体经由粘接剂而与树脂绝缘铜基座板的外周部接合。封装材料在壳体的内部将树脂绝缘铜基座板的上表面以及半导体元件封装(例如，参照专利文献1)。
[0003]专利文献1：日本特开2016
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096188号公报
[0004]近年来，使半导体元件在高温下工作的情况增加。例如，就以硅(Si)为基材的半导体元件而言，工作温度为175℃。就以碳化硅(SiC)以及氮化镓(GaN)为基材的宽带隙半导体元件而言，期望200℃的工作温度。因此，被填充于内部的封装材料需要具有超过半导体元件的工作温度的玻璃化转变点温度。
[0005]另外，将壳体与树脂绝缘铜基座板进行接合的粘接剂使用基本上具有与封装材料类本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种半导体装置，其具有：树脂绝缘铜基座板，其具有铜基座板、在所述铜基座板的上表面设置的绝缘层和在所述绝缘层的上表面设置的电路图案；半导体元件，其搭载于所述树脂绝缘铜基座板的上表面；壳体，其经由粘接剂而与所述树脂绝缘铜基座板的外周部接合；封装材料，其在所述壳体的内部将所述树脂绝缘铜基座板的上表面以及所述半导体元件封装；以及粗糙化图案，其在所述绝缘层的上表面以在俯视观察时将所述电路图案包围的方式形成。2.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，所述粗糙化图案形成于所述绝缘层的上表面处的距离所述电路图案的端部大于或等于500μm的部位。3.根据权利要求1或2所述的半导体装置，其中，所述粗糙化图案具有200μm的宽度和所述绝缘层的厚度的1/3的深度。4.一种半导体装置，其具有：树脂绝缘铜基座板，其具有铜基座板、在所述铜基座板的上表面设置的绝缘层和在所述绝缘层的上表面设置的电路图案；半导体元件，其搭载于所述树脂绝缘铜基座板的上表面；壳体，其经由粘接剂而与所述树脂绝缘铜基座板的外...

【专利技术属性】
技术研发人员：作元祥太朗，
申请(专利权)人：三菱电机株式会社，
类型：发明
国别省市：