具有多个堆叠层的偏振器制造技术

本发明专利技术涉及具有多个堆叠层的偏振器，涉及偏振器的结构以及形成偏振器的结构的方法。第一槽形波导组件位于第一波导芯上方，以及第二槽形波导组件位于该第一槽形波导组件上方。该第一槽形波导组件包括通过第一凹槽隔开的第二波导芯与第三波导芯，以及该第二槽形波导组件包括通过第二凹槽隔开的第四波导芯与第五波导芯。该第一波导芯与该第一凹槽及该第二凹槽横向对齐。槽横向对齐。槽横向对齐。

【技术实现步骤摘要】
具有多个堆叠层的偏振器


[0001]本专利技术涉及光子芯片(photonics chip)，尤其涉及偏振器(polarizer)的结构以及形成偏振器的结构的方法。

技术介绍

[0002]光子芯片用于许多应用及系统中，例如数据通信系统以及数据计算系统。光子芯片将光学组件(例如波导、光学开关，以及偏振器)与电子组件(例如场效应晶体管)集成于统一的平台中。除其它因素以外，布局面积、成本以及操作开销可通过两种类型组件的集成来减小。
[0003]偏振器是光子芯片中常见的一种光学组件。偏振器经配置以接收包含多种模式(例如，横电(transverse electric；TE)模式及横磁(transverse magnetic；TM)模式)的光学信号并仅允许一种模式传播，同时消除另一种模式。
[0004]需要改进的偏振器的结构以及形成偏振器的结构的方法。

技术实现思路

[0005]在本专利技术的一个实施例中，提供一种偏振器的结构。该结构包括第一波导芯(waveguide core)，位于该第一波导芯上方的第一槽形(slotted本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种偏振器的结构，该结构包括：第一波导芯；第一槽形波导组件，位于该第一波导芯上方，该第一槽形波导组件包括通过第一凹槽隔开的第二波导芯与第三波导芯；以及第二槽形波导组件，位于该第一槽形波导组件上方，该第二槽形波导组件包括通过第二凹槽隔开的第四波导芯与第五波导芯，其中，该第一波导芯与该第一凹槽及该第二凹槽横向对齐。2.如权利要求1所述的结构，其中，该第一波导芯由单晶硅组成，该第二波导芯及该第三波导芯由氮化硅组成，以及该第四波导芯及该第五波导芯由氮化硅组成。3.如权利要求1所述的结构，其中，该第一波导芯由单晶硅组成，该第二波导芯及该第三波导芯由多晶硅组成，以及该第四波导芯及该第五波导芯由氮化硅组成。4.如权利要求1所述的结构，其中，该第一凹槽具有第一宽度尺寸，且该第二凹槽具有基本上等于该第一宽度尺寸的第二宽度尺寸。5.如权利要求1所述的结构，其中，该第二波导芯具有第一终端以及与该第二波导芯的该第一终端相对的第二终端，且该第三波导芯具有第一终端以及与该第三波导芯的该第一终端相对的第二终端。6.如权利要求1所述的结构，其中，该第四波导芯具有第一终端以及与该第四波导芯的该第一终端相对的第二终端，且该第五波导芯具有第一终端以及与该第五波导芯的该第一终端相对的第二终端。7.如权利要求1所述的结构，还包括：第一介电层，位于该第一槽形波导组件上方，该第一介电层包括位于该第一凹槽中的第一部分。8.如权利要求7所述的结构，其中，该第一介电层包括位于该第一波导芯与该第三波导芯之间的第二部分，以及位于该第二波导芯与该第四波导芯之间的第三部分。9.如权利要求8所述的结构，还包括：第二介电层，位于该第二槽形波导组件上方，该第二介电层包括位于该第二凹槽中的一部分。10.如权利要求1所述的结构，其中，该第四波导芯直接位于该第二波导芯上方，且该第五波导芯直接位于该第三波导芯上方。11.如权利要求1所述的结构，其中，该第二波导芯具有第一顶部表面，该第四波导芯直接位于该第二波导芯的该第一顶部表面上方，该第三波导芯具有第二顶部表面，且该第五波导芯直接位于该第三波导芯的该第二顶部表面上方...

【专利技术属性】
技术研发人员：卞宇生，彭博，
申请(专利权)人：格芯美国集成电路科技有限公司，
类型：发明
国别省市：