【技术实现步骤摘要】
电极的制造方法、电极及半导体器件
[0001]本专利技术涉及半导体制造
,尤其是涉及一种电极的制造方法、电极及半导体器件。
技术介绍
[0002]第三代半导体材料氮化镓由于具有禁带宽度大、电子饱和漂移速度高、击穿场强高、导热性能好等特点,且具有很强的自发和压电极化效应,相较于第一代半导体材料和第二代半导体材料更适合于制造高频、高压和耐高温的大功率电子器件,尤其是在射频和电源领域优势明显,已经成为目前的研究热点。
[0003]目前5G通信对于半导体器件的带宽和高频要求很高,而金属电极结构的设计和工艺流程与半导体器件的带宽和频率特性有密切的关系,金属电极制造工艺是氮化镓基电子器件的关键工艺之一,形成金属电极的质量会直接影响氮化镓半导体器件的电学性能。
[0004]现有技术中,在半导体层上加工出刻蚀层,刻蚀层上再加工出刻蚀图形,刻蚀图形上具有朝向半导体层的开口,通过该开口在半导体层上加工出凹陷,然后再通过该开口向凹陷蒸发金属原料上,但是蒸发后的金属原料相对于凹陷存在偏移,贴合不紧密,也就是说,固化后的金属原料 ...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种电极的制造方法,其特征在于,所述电极的制造方法包括如下步骤:S1.在半导体层(200)的表面上形成刻蚀层(300),对所述刻蚀层(300)进行刻蚀得到刻蚀图形,其中,所述刻蚀图形包括位于所述刻蚀层(300)远离所述半导体层(200)的表面并与所述半导体层(200)表面连通的第一开口(310);通过所述第一开口(310)对半导体层(200)的表面进行刻蚀,从而在所述半导体层(200)靠近所述刻蚀层(300)的表面形成凹陷(210);S2.刻蚀所述凹陷(210)上方对应的所述刻蚀层(300)第一开口(310),对第一开口(310)宽度方向的相对两侧边沿进行刻蚀,从而扩大所述第一开口(310)的宽度形成第二开口(320);S3.通过所述第二开口(320)向所述凹陷(210)内填充金属原料(400),直到金属原料(400)覆盖所述凹陷(210)。2.根据权利要求1所述的电极的制造方法,其特征在于,所述步骤S2中,所述第一开口(310)的一侧边沿宽度扩大0.05um-0.5um。3.根据权利要求1所述的电极的制造方法,其特征在于,所述刻蚀图形还包括位于所述刻蚀层(300)第一开口(310)和所述凹陷(210)之间的第三开口(330),所述第二开口(320)宽度大于第一开口(310)宽度且小于第三开口(330)宽...
【专利技术属性】
技术研发人员:宋晰,
申请(专利权)人:苏州能讯高能半导体有限公司,
类型:发明
国别省市:
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