碳化硅基板的底部氧化层增厚的制作方法技术

本发明专利技术公开了一种碳化硅基板的底部氧化层增厚的制作方法，其特征在于，包括：提供碳化硅基板；形成沟槽结构于碳化硅基板之中；进行热氧化，用于该沟槽结构之中形成底部氧化层与侧壁氧化层，其中热氧化过程的实施温度大于1450℃。1450℃。1450℃。

【技术实现步骤摘要】
碳化硅基板的底部氧化层增厚的制作方法


[0001]本专利技术涉及一种碳化硅基板，特别涉及一种碳化硅基板的底部氧化层增厚的制作方法。

技术介绍

[0002]在半导体元件制程中，氧化硅层的形成通常是以加热方式来执行。通过加热硅或碳化硅表面来生长二氧化硅。碳化硅(Silicon carbide，SiC)的氧化过程会于氧化物/碳化硅界面层产生积聚碳团及高密度的积存电荷。因此，在加热氧化之后，通常会施行另一个长时间氧化后的退火步骤。
[0003]由于碳化硅具有宽能隙、高临界击穿电场强度以及高热导率等特性，被认为是功率开关元件的极佳材料。
[0004]另外，相较于蓝宝石基板而言，碳化硅基板与氮化镓之间的晶格匹配更佳，因此，于碳化硅基板更广泛的用于半导体元件之中。

技术实现思路

[0005]本专利技术的主要目的在于提供可以增加碳化硅基板的底部氧化层厚度的碳化硅基板结晶结构型态。为达到上述目的，本专利技术的技术方案是这样实现的：
[0006]本专利技术提供一种碳化硅基板的底部氧化层增厚的制作方法，其特征在于，包括：提供碳本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种碳化硅基板的底部氧化层增厚的制作方法，其特征在于，包含：提供碳化硅基板；形成沟槽结构于该碳化硅基板之中；进行热氧化用于该沟槽结构之中形成底部氧化层与侧壁氧化层；其中该热氧化过程的实施温度大于1450℃。2.根据权利要求1所述的碳化硅基板的底部氧化层增厚的制作方法，其特征在于，所述碳化硅基板具有上表面的0001晶面，侧面的晶面。3.根据权利要求1所述的碳化硅基板的底部氧化层增厚的制作方法，其特征在于，所述沟槽结构通过刻蚀而形成。4.根据权利要求3所述的碳化硅基板的底部氧化层增厚的制作方法，其特征在于，所述刻蚀过程的刻蚀剂材料包括以下至少之一：Cl2、SF6、HBr、HCl、CF4、CHF3、C2F6、C4F8。5.根据权利要求1所述的碳化硅基板的底部氧化层增厚的制作方法，其特征在于，所述热氧化过...

【专利技术属性】
技术研发人员：戴茂州，高巍，廖运健，
申请(专利权)人：成都蓉矽半导体有限公司，
类型：发明
国别省市：