鳍式场效应晶体管源漏寄生电阻分解结构及测试结构制造技术

本发明专利技术公开了一种鳍式场效应晶体管源漏寄生电阻分解结构及测试结构，其可实现源漏寄生电阻分开提取，便于进行测试操作，鳍式场效应晶体管包括鳍、分布于鳍的栅极区、源漏极区、接触层、分布于源漏极区两侧的延伸层，相邻两个栅极区之间设置有一个接触层，源漏寄生电阻包括串联的源漏接触电阻、外延生长电阻、延伸电阻、栅极驱动信道电阻，用于对源漏寄生电阻进行测试的测试结构，选取若干个接触层之间的区域作为总测试区，总测试区一端的接触层与驱动电流源连接，另一端的接触层接地，总测试区包括至少三个不同测试区间，不同测试区间通过接触层分隔，且每个测试区间两侧的接触层为电压测试点，不同测试区间的鳍长度沿鳍方向依次递增。递增。递增。

【技术实现步骤摘要】
鳍式场效应晶体管源漏寄生电阻分解结构及测试结构


[0001]本专利技术涉及场效应晶体管
，具体为一种鳍式场效应晶体管源漏寄生电阻分解结构及测试结构。

技术介绍

[0002]随着半导体技术节点的不断缩小以及微缩半导体产业技术迅速发展，鳍式场效应晶体管(FinFET)作为一种互补式金属半导体晶体管，因具有易控制、漏电流小、栅长尺寸小等优点而被引入。
[0003]目前常用的场效应晶体管包括普通平面型场效应晶体管以及三维鳍型场效应晶体管(FinFET)，其中三位鳍式场效应晶体管主要包括鳍、分布于鳍上的栅极区、源漏极区、接触层、分布于源漏极区两侧的延伸层，见图1。在三维鳍式场效应晶体管加工、测试过程中，制程最佳化问题仍是影响其性能的重要因素，制程优化受源漏寄生电阻影响较大，而源漏寄生电阻为多个电阻串联的组合结构，因此，将源漏寄生电阻分解为多个，可有效获取各个分解电阻对制程的影响，但现有技术中用于实现源漏寄生电阻萃取的方式较少，导致无法准确获取制程弱点，从而影响了元件性能的提升。
[0004]现有技术中提供了一种场效应晶体管源漏寄生电本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种鳍式场效应晶体管源漏寄生电阻分解结构，所述鳍式场效应晶体管包括鳍、分布于所述鳍的栅极区、源漏极区、接触层、分布于所述源漏极区两侧的延伸层，相邻两个所述栅极区之间设置有一个所述接触层，其特征在于，所述源漏寄生电阻包括分布于所述接触层的源漏接触电阻、分布于所述源漏极区的外延生长电阻、分布于所述延伸层的延伸电阻、分布于所述延伸电阻之间的栅极驱动信道电阻，所述源漏接触电阻、外延生长电阻、延伸电阻、栅极驱动信道电阻串联。2.根据权利要求1所述的一种鳍式场效应晶体管源漏寄生电阻分解结构，其特征在于，所述源漏寄生电阻包括第一接触电阻、第二接触电阻，所述外延生长电阻包括第一外延生长电阻、第二外延生长电阻，所述延伸电阻包括第一延伸电阻、第二延伸电阻，所述第一接触电阻、第一外延生长电阻、第一延伸电阻、栅极驱动信道电阻、第二延伸电阻、第二外延生长电阻、第二接触电阻依次串联。3.根据权利要求2所述的一种鳍式场效应晶体管源漏寄生电阻分解结构，其特征在于，所述鳍为单根鳍，所述接触层分布于所述单根鳍或所述鳍包括至少两根，所述接触层分布于一根所述鳍或所述接触层跨接至少两根所述鳍。4.根据权利要求1或3所述的一种鳍式场效应晶体管源漏寄生电阻分解结构，其特征在于，所述鳍为条状、L型、U型或以上至少两种形状的组合形。5.一种测试结构，将该测试结构用于...

【专利技术属性】
技术研发人员：苏炳熏，杨展悌，叶甜春，罗军，赵杰，
申请(专利权)人：澳芯集成电路技术广东有限公司，
类型：发明
国别省市：