晶体管的制造方法、晶体管、基本存储单元、以及动态随机存取存储器技术

本发明专利技术提供一种晶体管的制造方法、晶体管、基本存储单元、以及动态随机存取存储器。所述方法包括如下步骤：形成导电沟道，所述导电沟道包括柱状本体以及两侧的端部，所述端部至少有一为突出设置；形成环绕所述柱状本体的栅绝缘层，并暴露所述导电沟道两侧的端部；形成环绕所述栅绝缘层的栅电极；在所述导电沟道两侧的端部形成源电极和漏电极。上述晶体管是从现有技术的水平方向的晶体管改进为垂直方向，从而使得单个晶体管在水平方向上所占的面积减少，单位面积的晶体管数量增加，提高了晶体管密度。管密度。管密度。

【技术实现步骤摘要】
晶体管的制造方法、晶体管、基本存储单元、以及动态随机存取存储器


[0001]本专利技术涉及半导体工艺领域，尤其涉及一种晶体管的制造方法、晶体管、基本存储单元、以及动态随机存取存储器。

技术介绍

[0002]动态随机存取存储器基本单元如附图1A所示，并通过附图1B所示的阵列结构形成存储器。基本单元通常称为1T1C结构。其中的1T，即晶体管，主要有附图2A所示的平面晶体管和附图2B所示的埋入式沟道阵列晶体管两种结构。此两种结构的晶体管，源极和漏极分布于栅极水平平面方向的两侧，从而使得晶体管在水平方向上所占的面积较大。
[0003]因动态随机存取存储器的位线和存储器件是与源极/漏极之一分别相连接，故利用此两种结构的晶体管制作存储器，位线和存储器件电容均位于栅极的同一侧，在加工工艺上，均位于晶圆的同一面，从而使得整体的工艺复杂度较高，尤其是对于光刻及相关工艺有着极高的要求，工艺过程控制难度较大，失效率较高。
[0004]因此，如何弥补现有技术的缺点，实现晶体管密度及工艺制造难度上的突破，是现有技术亟需解决的问题。r/>
技术实现思路
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【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种晶体管的制造方法，其特征在于，包括如下步骤：形成导电沟道，所述导电沟道包括柱状本体以及两侧的端部，所述端部至少有一为突出设置；形成环绕所述柱状本体的栅绝缘层，并暴露所述导电沟道两侧的端部；形成环绕所述栅绝缘层的栅电极；在所述导电沟道两侧的端部形成源电极和漏电极。2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述柱状本体的柱状结构选自于圆柱和棱柱中的任意一种。3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述栅绝缘层的材料选自于氧化硅、氮化硅、以及氮氧化硅中的任意一种。4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述栅电极、源电极、以及漏电极均采用金属材料制作。5.一种晶体管，其特征在于，包括：导电沟道，所述导电沟道包括柱状本体以及两侧的端部，所述端部至少有一为突出设置；环绕所述柱状本体的栅绝缘层；环绕所述栅绝缘层的栅电极；以及覆盖所述导电沟道两侧端部的源电极和漏电极。6.根据权利要求5所述的晶体管，其特征在于，所述柱状本体的柱状结构选自于圆柱和棱柱中的任意一种。7.根据权利要求5所述的晶体管，其特征...

【专利技术属性】
技术研发人员：华文宇，薛迎飞，
申请(专利权)人：芯盟科技有限公司，
类型：发明
国别省市：