【技术实现步骤摘要】
一种MOS型超结功率器件的终端结构
[0001]本专利技术属于功率半导体
，涉及功率器件，具体地说是一种MOS型超结功率器件的终端结构。
技术介绍
[0002]超结器件是功率半导体
中的一种十分重要的功率器件，它打破了传统的硅极限关系，在实现高耐压特性的同时，器件具有更低的导通电阻。想要实现高耐压特性还需要合适的终端结构，传统的MOS型超结功率器件的终端结构如图1所示，和超结元胞一样，均采用P柱和N柱交替排列，且同样遵循电荷平衡的基本原理。但是，遵循电荷平衡的基本原理也导致了超结终端的击穿电压对于电荷不平衡非常敏感，其可靠性受电荷不平衡影响较大，在N柱和P柱交替排列的终端区中，如果一些工艺偏差导致终端部分参数发生变化，如掺杂柱的宽度、间距及浓度等，均可能造成终端提前击穿，如图1所示，当内部某一掺杂柱宽度出现变化时，可能使原本的耗尽层a变短成耗尽层b，从而使耐压降低，所以，难以得到高耐压高可靠性的超结器件终端结构。
[0003]因此，有必要提出一种新的MOS型超结功率器件的终端结构，解决上述问题。
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种MOS型超结功率器件的终端结构，其特征在于，从器件边缘向器件有源区方向依次为终端区、过渡区和元胞区，终端区、过渡区和元胞区共用第一导电类型半导体衬底以及位于第一导电类型半导体衬底上方的第一导电类型外延层；终端区包括截止环、多个相互独立的终端区第二导电类型第一柱区、多个相互独立的终端区第二导电类型第二柱区和终端区第二导电类型第三柱区；终端区第二导电类型第一柱区和终端区第二导电类型第二柱区均通过第一导电类型半导体外延层相隔离，终端区第二导电类型第一柱区上表面与外延层的上表面齐平，终端区第二导电类型第二柱区上表面与终端区第二导电类型第三柱区下表面连接，终端区第二导电类型第一柱区下表面与终端区第二导电类型第二柱区下表面齐平；终端区第二导电类型第三柱区位于第一导电类型外延层上层靠近过渡区的一端，终端区第二导电类型第三柱区上表面与第一导电类型外延层的上表面齐平；元胞区包括一个或多个相互独立的元胞区第二导电类型柱区和元胞区第二导电类型体区，元胞区第二导电类型体区位于第一导电类型外延层上层，元胞区第二导电类型体区上表面与第一导电类型外延层上表面平齐，元胞区第二导电类型体区下表面与元胞区第二导电类型柱区上表面连接；元胞区第二导电类型柱区的下表面与终端区第二导电类型第一柱区的下表面齐平；过渡区包括一个或多个相...
【专利技术属性】
技术研发人员：赵建明，陈龙，张宜尧，陈彦旭，陈勇，徐开凯，
申请(专利权)人：电子科技大学，
类型：发明
国别省市：
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