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本发明属于功率半导体技术领域，公开了一种MOS型超结功率器件的终端结构，从器件边缘向器件有源区方向依次为终端区、过渡区和元胞区，终端区、过渡区和元胞区共用第一导电类型半导体衬底以及位于第一导电类型半导体衬底上方的第一导电类型外延层；本发明提...
该专利属于电子科技大学所有，仅供学习研究参考，未经过电子科技大学授权不得商用。

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