一种具有高K介电沟槽的功率MOSFET器件及其制备方法技术

本发明专利技术公开了一种具有高K介电沟槽的功率MOSFET器件及其制备方法，该器件自下而上依次包括：第一金属层、N+衬底、N

【技术实现步骤摘要】
一种具有高K介电沟槽的功率MOSFET器件及其制备方法


[0001]本专利技术属于半导体
，具体涉及一种具有高K介电沟槽的功率MOSFET器件及其制备方法。

技术介绍

[0002]随着半导体技术的不断发展，对电子电力系统中的功率器件提出了更高的要求。功率金属氧化物半导体场效应晶体管(Power Metal
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Oxide
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Semiconductor Field
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Effect Transistor，Power MOSFET)，也称电力场效应晶体管，是一种用栅极电压来控制漏极电流的场效应晶体管，它的显著特点是驱动电路简单，驱动功率小，开关速度快，工作频率高；但是其电流容量小，耐压低，只用于小功率的电力电子装置，无法在高压领域得到广泛应用。
[0003]近年来，人们致力于改善场效应晶体管导通电阻Ron和击穿电压VB的关系，试图在高击穿电压的同时得到最小的导通电阻。1991年，电子科技大学的陈星弼教授独立提出了复合缓冲层(Composite Buffer，CB)结构，并提出该结构具有本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种具有高K介电沟槽的功率MOSFET器件，其特征在于，自下而上依次包括：第一金属层(1)、N+衬底(2)、N
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外延层(3)以及主体结构层；其中，所述N
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外延层(3)内设有若干沟槽阱结构，所述沟槽阱结构从所述N
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外延层(3)的上表面向下延伸，且其深度小于所述N
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外延层(3)的厚度；相邻两个沟槽阱结构之间设有高K介电沟槽(6)，且所述高K介电沟槽(6)的深度与所述N
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外延层(3)的厚度相同；所述沟槽阱结构、所述高K介电沟槽(6)以及两者之间的所述N
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外延层(3)一起形成三维超结结构；所述高K介电沟槽区(6)上表面设有沟槽栅(8)，所述沟槽栅(8)位于相邻两个所述主体结构层之间，其上具有第二金属层(13)；所述主体结构层上形成有器件源极(13)。2.根据权利要求1所述的功率MOSFET器件，其特征在于，所述沟槽阱结构的掺杂浓度自下而上逐渐降低。3.根据权利要求1所述的功率MOSFET器件，其特征在于，所述沟槽阱结构包括第一沟槽阱(4)和第二沟槽阱(5)；其中，所述第二沟槽阱(5)起始于所述N
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外延层(3)上表面，并向所述N
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外延层(3)内部延伸；所述第一沟槽阱(4)位于所述第二沟槽阱(5)下方，且与所述N
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外延层(3)之间具有一定间距，以形成耗尽区。4.根据权利要求3所述的功率MOSFET器件，其特征在于，所述第一沟槽...

【专利技术属性】
技术研发人员：何艳静，袁纯纯，江希，袁嵩，弓小武，
申请(专利权)人：西安电子科技大学，
类型：发明
国别省市：