半导体器件及半导体器件的形成方法技术

该发明专利技术涉及一种半导体器件的形成方法，包括以下步骤：提供一衬底；在所述衬底内部形成电接触点；在所述衬底上表面形成着陆焊盘，且所述着陆焊盘与所述电接触点接触；在所述着陆焊盘和所述电接触点外露的表面形成阻挡层；在对形成了阻挡层的半导体器件进行电性测试之后，去除所述着陆焊盘上表面的阻挡层。本发明专利技术的一种半导体器件及半导体器件的形成方法，能够有效防止电接触点和电接触点之间短路而造成半导体器件失效的现象的发生，提升半导体器件的生产良率。件的生产良率。件的生产良率。

【技术实现步骤摘要】
半导体器件及半导体器件的形成方法


[0001]本专利技术涉及半导体生产加工领域，具体涉及一种半导体器件及半导体器件的形成方法。

技术介绍

[0002]目前的半导体器件中，比如半导体存储器中，常采用钨W作为电接触点(NC，Node contact)和着陆焊盘(Landing pad)的材料。在形成了电接触点和着陆焊盘后，通常会对形成了电接触点和着陆焊盘的半导体器件进行高温情况下的晶圆允收测试(WAT，wafer accept test)，在这个步骤中，经常出现电接触点和电接触点之间短路，造成半导体存储器失效，严重影响了半导体存储器的生产良率。
[0003]亟需提出一种新的半导体器件结构，以防止电接触点和电接触点之间短路而造成半导体器件失效的现象的发生，提升半导体器件的生产良率。

技术实现思路

[0004]本专利技术的目的在于提供一种半导体器件及半导体器件的形成方法，能够有效防止电接触点和电接触点之间短路而造成半导体器件失效的现象的发生，提升半导体器件的生产良率。
[0005]为了解决上述技术问题，以下提供了一种半导本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种半导体器件的形成方法，其特征在于，包括以下步骤：提供一衬底；在所述衬底内部形成电接触点；在所述衬底上表面形成着陆焊盘，且所述着陆焊盘与所述电接触点接触；在所述着陆焊盘和所述电接触点外露的表面形成阻挡层；在对形成了阻挡层的半导体器件进行电性测试之后，去除所述着陆焊盘上表面的阻挡层。2.根据权利要求1所述的半导体器件的形成方法，其特征在于，所述阻挡层包括氮化物层，生成所述氮化物层时，包括以下步骤：通入反应气体对所述着陆焊盘进行氮化处理，使所述着陆焊盘和所述电接触点外露的表面形成所述氮化物层，所述反应气体包括含氮元素的气体。3.根据权利要求1所述的半导体器件的形成方法，其特征在于，所述衬底上的电接触点为多个，所述着陆焊盘的数目与所述衬底内部的电接触点的数目相等，所述着陆焊盘与所述电接触点一一对应连接；去除所述着陆焊盘上表面的阻挡层前，还包括以下步骤：在多个所述着陆焊盘之间填充间隙填充物，且所述间隙填充物覆盖所述着陆焊盘上表面的阻挡层。4.根据权利要求3所述的半导体器件的形成方法，其特征在于，去除所述着陆焊盘上表面的阻挡层时，包括以下步骤：对所述间隙填充物进行化学机械研磨，直至将所述着陆焊盘上表面的阻挡层去除，使所述着陆焊盘上表面外露。5.根据权利要求3所述的半导体器件的形成方法，其特征在于，去除所述着陆焊盘上表面的阻挡层时，包括以下步骤：对所述间隙填充物进行刻蚀，直至使得所述阻挡层外露；对所述阻挡层进行刻蚀，直至将所述着陆焊盘上表面的阻挡层去除，使所述着陆焊盘上表面外露。6.根据权利要求1所述的半导体器件的形成方法，其特征在于，所述电性测试包括高温条件下的晶圆允收测试，温度范围为90℃至110℃。7.根据权利要求1所述的半导体器件的形成方法，其特征在于，所述衬底表面设置有位线结构和形成于所述位线结构之间的间隔层；在所述衬底内部形成电接触点时，包括以下步骤：在所述间隔层中开设开口，所述开口...

【专利技术属性】
技术研发人员：曹凯，赵亮，
申请(专利权)人：长鑫存储技术有限公司，
类型：发明
国别省市：