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该发明涉及一种半导体器件的形成方法，包括以下步骤：提供一衬底；在所述衬底内部形成电接触点；在所述衬底上表面形成着陆焊盘，且所述着陆焊盘与所述电接触点接触；在所述着陆焊盘和所述电接触点外露的表面形成阻挡层；在对形成了阻挡层的半导体器件进行电性...
该专利属于长鑫存储技术有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过长鑫存储技术有限公司授权不得商用。

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