晶圆翘曲度的检测装置制造方法及图纸

本实用新型专利技术提供了一种晶圆翘曲度的检测装置，包括：底座，所述底座的横截面为圆形；连接在所述底座上的侧壁，所述侧壁沿着所述底座的边缘并环绕所述底座设置，所述侧壁上具有刻度线；在所述侧壁的内壁上设置有卡槽环，所述卡槽环用于搁置晶圆。将晶圆放在卡槽环上，通过观测晶圆上的翘曲对应的刻度线是否超过设定的管制线，如果超过，则认为翘曲度超标，以此检测晶圆的翘曲度，本实用新型专利技术的检测装置结构简单，成本低，并且操作简单，能快速判断晶圆的翘曲度是否超标。翘曲度是否超标。翘曲度是否超标。

【技术实现步骤摘要】
晶圆翘曲度的检测装置


[0001]本技术涉及半导体
，尤其是涉及一种晶圆翘曲度的检测装置。

技术介绍

[0002]随着半导体芯片制造技术的飞速发展，晶圆的尺寸越来越大，单个晶圆上制作的芯片数量越来越多，器件的集成密度也越来越大，这导致晶圆的翘曲度(warpage)问题越来越突出。晶圆表面发生翘曲的原因很多，比如因为芯片制造工艺复杂，晶圆表面需要堆叠沉积数十层乃至上百层薄膜，薄膜与薄膜间的应力不平衡导致晶圆出现不同程度的翘曲。此外，芯片制造过程中广泛采用沟槽工艺，而沟槽会导致晶圆的翘曲问题加重。晶圆翘曲不仅会造成不同薄膜间的图形套准精度降低，导致生产良率的下降，而且还会导致对晶圆的吸附难度增大，使得对晶圆的移动作业难以进行而导致生产运行的停滞；同时翘曲的存在会使晶圆的自身产生较大的应力而容易在搬送过程中或划片工艺中使晶圆破裂，这在后段封装过程中尤为突出。随着晶圆尺寸的持续增大和器件集成度的日益增加，改善晶圆的翘曲度，也即降低晶圆的翘曲度对工艺的不利影响成为半导体厂内亟待解决的问题。在生产中会遇到因晶圆应力造成翘曲度过大而引起晶圆破片的情况。尤其是晶圆薄片，经过研磨之后经常出现翘曲度异常的情况。

技术实现思路

[0003]本技术的目的在于提供一种晶圆翘曲度的检测装置，可以快速方便地测试出晶圆的翘曲度是否达标，以筛选出不合格的晶圆，进而改善晶圆的质量。
[0004]为了达到上述目的，本技术提供了一种晶圆翘曲度的检测装置，包括：
[0005]底座，所述底座的横截面为圆形；
[0006]连接在所述底座上的侧壁，所述侧壁沿着所述底座的边缘并环绕所述底座设置，所述侧壁上具有刻度线；
[0007]在所述侧壁的内壁上设置有卡槽环，所述卡槽环用于搁置晶圆。
[0008]可选的，在所述的晶圆翘曲度的检测装置中，所述侧壁上开设有至少一窗口，所述窗口具有第一边和第二边，所述第一边靠近所述底座，所述第二边远离所述底座，所述第一边的长度小于所述第二边的长度。
[0009]可选的，在所述的晶圆翘曲度的检测装置中，所述窗口呈倒梯形的形状，上底为第二边，下底为第一边。
[0010]可选的，在所述的晶圆翘曲度的检测装置中，所述侧壁垂直于所述底座的表面。
[0011]可选的，在所述的晶圆翘曲度的检测装置中，所述卡槽环为圆环形。
[0012]可选的，在所述的晶圆翘曲度的检测装置中，所述卡槽环的表面平行于所述底座的表面。
[0013]可选的，在所述的晶圆翘曲度的检测装置中，所述卡槽环与所述底座之间具有一定的距离。
[0014]可选的，在所述的晶圆翘曲度的检测装置中，所述卡槽环与所述侧壁的顶部之间具有一定的距离。
[0015]可选的，在所述的晶圆翘曲度的检测装置中，所述刻度线的刻度值沿着侧壁从下向上逐渐增大。
[0016]可选的，在所述的晶圆翘曲度的检测装置中，所述刻度线包括规格线和管制线。
[0017]在本技术提供的晶圆翘曲度的检测装置中，包括：底座，所述底座的横截面为圆形；连接在所述底座上的侧壁，所述侧壁沿着所述底座的边缘并环绕所述底座设置，所述侧壁上具有刻度线；在所述侧壁的内壁上设置有卡槽环，所述卡槽环用于搁置晶圆。将晶圆放在卡槽环上，通过观测晶圆上的翘曲对应的刻度线是否超过设定的管制线，如果超过，则认为翘曲度超标，以此检测晶圆的翘曲度，本技术的检测装置结构简单，成本低，并且操作简单，能快速判断晶圆的翘曲度是否超标。
附图说明
[0018]图1是本技术实施例的晶圆翘曲度的检测装置的示意图；
[0019]图中：110
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底座、120
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侧壁、130
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刻度线、131
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规格线、132
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管制线、140
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卡槽环、150
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窗口。
具体实施方式
[0020]下面将结合示意图对本技术的具体实施方式进行更详细的描述。根据下列描述，本技术的优点和特征将更清楚。需说明的是，附图均采用非常简化的形式且均使用非精准的比例，仅用以方便、明晰地辅助说明本技术实施例的目的。
[0021]在下文中，术语“第一”“第二”等用于在类似要素之间进行区分，且未必是用于描述特定次序或时间顺序。要理解，在适当情况下，如此使用的这些术语可替换。类似的，如果本文所述的方法包括一系列步骤，且本文所呈现的这些步骤的顺序并非必须是可执行这些步骤的唯一顺序，且一些所述的步骤可被省略和/或一些本文未描述的其他步骤可被添加到该方法。
[0022]请参照图1，本技术提供了一种晶圆翘曲度的检测装置，包括：
[0023]底座110，所述底座110的横截面为圆形；
[0024]连接在所述底座110上的侧壁120，所述侧壁120沿着所述底座110的边缘并环绕所述底座110设置，所述侧壁120上具有刻度线130；
[0025]在所述侧壁120的内壁上设置有卡槽环140，所述卡槽环140用于搁置晶圆。
[0026]进一步的，所述侧壁120上开设有至少一窗口150，本技术的实施例中，开设有一个窗口150，在本技术的其他实施例中，可以开设两个或多个窗口150，如果为两个或多个窗口150时，窗口150的大小相等或者不相等。本技术实施例的所述窗口150具有第一边和第二边，所述第一边靠近所述底座110，所述第二边远离所述底座110，所述第一边的长度小于所述第二边的长度。侧壁120为透明的材质形成，例如，可以是透明的玻璃或者是透明的树脂或者是透明的塑料。采用透明的材质方便观察腔室内晶圆搁置的状况，更为重要的是，可以观看晶圆的翘曲度。并且侧壁120的内外表面打磨光滑，既便于操作人员观察翘曲度，又防止晶圆刮伤。在侧壁120上开一个窗口150，方便取放晶圆，例如，将晶圆放进腔
体内时，可以夹住晶圆从侧壁120的顶部向下放进腔体内的卡槽环140上，夹取晶圆的工具可以从窗口150处进出。底座110的直径为306mm，侧壁120形成的腔体为圆柱形，侧壁120形成的腔体的横截面的直径也为306mm，在本技术其他实施例中，底座110的直径。
[0027]优选的，所述窗口150呈倒梯形的形状，所述上底为第二边，所述下底为第一边。也就是说此梯形的上底靠近底座110，下底远离底座110，而腰的长短不限制，因此，可以是等腰梯形也可以不是等腰梯形。具体的，此梯形的下底的长度80mm，上底的长度为60mm，高度为80mm。在本技术的其他实施例中，此梯形的上底的长度、下底的长度和高度也可以是其他的数值。
[0028]本技术实施例中，所述侧壁120垂直于所述底座110的表面。也就是说侧壁120与底座110形成的夹角为90度，而刻度线130绕着侧壁120一圈，刻度线130平行于底座110的表面，以使得可以更准确地读取到晶圆的翘曲度。
[0029]本技术实本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种晶圆翘曲度的检测装置，其特征在于，包括：底座，所述底座的横截面为圆形；连接在所述底座上的侧壁，所述侧壁沿着所述底座的边缘并环绕所述底座设置，所述侧壁上具有刻度线；在所述侧壁的内壁上设置有卡槽环，所述卡槽环用于搁置晶圆。2.如权利要求1所述的晶圆翘曲度的检测装置，其特征在于，所述侧壁上开设有至少一窗口，所述窗口具有第一边和第二边，所述第一边靠近所述底座，所述第二边远离所述底座，所述第一边的长度小于所述第二边的长度。3.如权利要求2所述的晶圆翘曲度的检测装置，其特征在于，所述窗口呈倒梯形的形状，上底为第二边，下底为第一边。4.如权利要求1所述的晶圆翘曲度的检测装置，其特征在于，所述侧...

【专利技术属性】
技术研发人员：卢盈，郭伟，曾旭，
申请(专利权)人：广州粤芯半导体技术有限公司，
类型：新型
国别省市：