RFLDMOS器件的制作方法技术

本申请公开了一种RFLDMOS器件的制作方法，涉及半导体制造领域。该RFLDMOS器件的制作方法包括在P型衬底上形成牺牲氧化层；在P型衬底中形成P型深阱；去除P型衬底表面的牺牲氧化层，并形成阶梯型栅氧化层；进行无选择性轻掺杂漏注入，在P型衬底内形成N型轻掺杂区；在阶梯型栅氧化层表面形成多晶硅栅；在P型深阱内形成P型掺杂区；在P型掺杂区和N型轻掺杂区内形成N型重掺杂区；在P型深阱内形成P型重掺杂区；解决了目前提升RFLDMOS器件性能的工艺步骤繁琐的问题；达到了简化工艺步骤，提高多晶硅栅边缘处的杂质浓度，提高击穿电压，降低导通电阻的效果。通电阻的效果。通电阻的效果。

【技术实现步骤摘要】
RFLDMOS器件的制作方法


[0001]本申请涉及半导体制造领域，具体涉及一种RFLDMOS器件的制作方法。

技术介绍

[0002]随着通信技术的不断升级，为满足市场需求，应用于通信基站的功率器件也随之更新换代。功率器件为通信基站上价格做高、使用最多的器件，RFLDMOS是功率器件中成本最高的部分。
[0003]在RFLDMOS器件的制作过程中，通常利用光刻有选择性地进行多次LDD(轻掺杂漏)注入，实现RFLDMOS器件的漂移区的横向掺杂浓度的梯度分布，以保证器件具有较高的耐压和较低的导通电阻。

技术实现思路

[0004]为了解决相关技术中的问题，本申请提供了一种RFLDMOS器件的制作方法。该技术方案如下：
[0005]一方面，本申请实施例提供了一种RFLDMOS器件的制作方法，该方法包括：
[0006]在P型衬底上形成牺牲氧化层；
[0007]在P型衬底中形成P型深阱；
[0008]去除P型衬底表面的牺牲氧化层；
[0009]形成阶梯型栅氧化层；
[0010]进行无选本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种RFLDMOS器件的制作方法，其特征在于，所述方法包括：在P型衬底上形成牺牲氧化层；在所述P型衬底中形成P型深阱；去除所述P型衬底表面的牺牲氧化层；形成阶梯型栅氧化层；进行无选择性轻掺杂漏注入，在所述P型衬底内形成N型轻掺杂区；在所述阶梯型栅氧化层表面形成多晶硅栅；在所述P型深阱内形成P型掺杂区；在所述P型掺杂区和所述N型轻掺杂区内形成N型重掺杂区；在所述P型深阱内形成P型重掺杂区。2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述形成阶梯型栅氧化层，包括：在所述P型衬底表面生长一层氧化层；根据漂移区的横向掺杂浓度的梯度分布需求和栅氧化层的厚度要求，确定所述氧化层的厚度分布需求；根据所述氧化层的厚度分布需求，通过光刻和刻蚀工艺，刻蚀所述氧化层；再次生长一层氧化层，在所述P型衬底表面形成阶梯型栅氧化层。3.根据权利要求1或2所述的方法，其特征在于，所述进行无选择性轻掺杂漏注入，在所述P型衬底内形成N型轻掺杂区，包括：对所述P型衬底进行第一次轻掺杂漏注入；对所述P型衬底进行第二次轻掺杂漏注入，在所述P型衬底内形成N型轻掺杂区。4.根据权利要求1至3任一所述的方法，其特征在于，所述在所述P型衬底中形成P型深阱，包括：通过光刻工艺打开阱注入区域；通过离子注入工艺注入P型离子，在所述...

【专利技术属性】
技术研发人员：蔡晓晴，刘冬华，
申请(专利权)人：上海华虹宏力半导体制造有限公司，
类型：发明
国别省市：