温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。

本申请公开了一种RFLDMOS器件的制作方法，涉及半导体制造领域。该RFLDMOS器件的制作方法包括在P型衬底上形成牺牲氧化层；在P型衬底中形成P型深阱；去除P型衬底表面的牺牲氧化层，并形成阶梯型栅氧化层；进行无选择性轻掺杂漏注入，在P型衬...
该专利属于上海华虹宏力半导体制造有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过上海华虹宏力半导体制造有限公司授权不得商用。

详细技术文档下载地址

温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。