一种防烧坏MOS管改良结构制造技术

本实用新型专利技术提供一种防烧坏MOS管改良结构，包括芯片、封装外壳、栅极输入引脚、漏极输出引脚、电源输出引脚，所述封装外壳的内腔并且位于所述芯片的上表面设置有降温结构，所述降温结构包括降温板块、降温管体，所述降温板块与所述芯片的上表面连接，所述降温管体的一端与所述降温板块的上表面连接，所述降温管体的上端贯穿所述封装外壳并且延伸出所述封装外壳的上表面，所述降温管体的内侧壁周向阵列设置有若干降温翅片，所述降温板块的面积大于所述芯片的面积。本实用新型专利技术的有益效果是：具有良好的散热功能，并且栅极输入端、漏极输出端、电源输出端均能调节伸出长度，提升适用度。提升适用度。提升适用度。

【技术实现步骤摘要】
一种防烧坏MOS管改良结构


[0001]本技术涉及MOS管
，尤其涉及一种防烧坏MOS管改良结构。

技术介绍

[0002]MOS管是MOSFET的缩写。MOSFET金属
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氧化物半导体场效应晶体管，简称金氧半场效晶体管(Metal
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Oxide
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Semiconductor Field
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Effect Transistor,MOSFET)。一般是金属(metal)—氧化物(oxide)—半导体(semiconductor)场效应晶体管，或者称是金属—绝缘体(insulator)—半导体。G：gate栅极；S：source源极；D：drain漏极。MOS管的source(源极)和drain(耗尽层)是可以对调的，他们都是在P型backgate中形成的N型区。现有技术中的MOS管，由于芯片是密封的，因此散热性能差，容易因为散热受阻而烧坏，鉴于这种情况，亟待改善。

技术实现思路

[0003]基于此，本技术的目的在于提供一种防烧坏MOS管改良结构，具有良好的散热功能，并且栅极输入端、漏极输出端、电源输出端均能调节伸出长度，提升适用度。
[0004]本技术提供一种防烧坏MOS管改良结构，包括芯片、封装外壳、栅极输入引脚、漏极输出引脚、电源输出引脚，所述芯片设置在所述封装外壳内，所述栅极输入引脚、漏极输出引脚、电源输出引脚的一侧分别延伸进所述封装外壳内与所述芯片连接，所述封装外壳的内腔并且位于所述芯片的上表面设置有降温结构，所述降温结构包括降温板块、降温管体，所述降温板块与所述芯片的上表面连接，所述降温管体的一端与所述降温板块的上表面连接，所述降温管体的上端贯穿所述封装外壳并且延伸出所述封装外壳的上表面，所述降温管体的内侧壁周向阵列设置有若干降温翅片，所述降温板块的面积大于所述芯片的面积。
[0005]作为优选方案，所述封装外壳的内腔与所述芯片对应的下方分别设置有与所述栅极输入引脚、漏极输出引脚、电源输出引脚对应的三条导电条形槽，所述芯片的栅极输入区、漏极输出区、电源输出区分别通过引线与相应位置的导电条形槽连接，所述栅极输入引脚、漏极输出引脚、电源输出引脚的一端分别对应嵌合设置在所述导电条形槽内，所述栅极输入引脚、漏极输出引脚、电源输出引脚的另一端延伸出所述封装外壳外。
[0006]作为优选方案，各所述导电条形槽顶部内壁延其长度方向线性阵列设置有若干绝缘弹性压片，所述栅极输入引脚、漏极输出引脚、电源输出引脚位于所述封装外壳内的一侧均线性阵列设置有若干与所述绝缘弹性压片配合的让位槽，实际使用时，所述绝缘弹性压片分别与所述栅极输入引脚、漏极输出引脚、电源输出引脚上的让位槽过盈接触从而将所述栅极输入引脚、漏极输出引脚、电源输出引脚压紧在所述导电条形槽内；所述绝缘弹性压片的自由端设置为半弧形。
[0007]作为优选方案，所述降温板块与所述芯片接触的一表面延其宽度方向线性阵列设置有若干聚热凹槽。
[0008]作为优选方案，所述栅极输入引脚、漏极输出引脚、电源输出引脚位于所述封装外壳外的一侧并且靠近所述封装外壳的位置均形成有限位凸粒。
[0009]本技术的有益效果为：
[0010]1、通过降温板块对芯片的热量进行吸收，并且通过降温管体配合散热，大大提升芯片散热的效果，提高了散热的效率，从而避免芯片因为长期的热量积聚而导致烧坏，提升产品的使用寿命；
[0011]2、栅极输入引脚、漏极输出引脚、电源输出引脚伸出封装外壳的长度可以随意调整，可以因应实际使用所需调整栅极输入引脚、漏极输出引脚、电源输出引脚的伸出长度而无需进行裁切，适用度高。
附图说明
[0012]图1为本技术的结构示意图。
[0013]图2为本技术的第一剖面结构视图(显示降温结构)。
[0014]图3为降温管体的俯视图。
[0015]图4为本技术第二剖面结构视图(显示栅极输入引脚、漏极输出引脚、电源输出引脚与芯片的连接关系)。
[0016]图5为本技术第三剖面结构视图(显示绝缘弹性压片)。
[0017]附图标记为：封装外壳10、降温结构11、栅极输入引脚14、漏极输出引脚13、电源输出引脚12、限位凸粒15、让位槽16、降温板块18、降温管体17、聚热凹槽19、芯片20、导电条形槽21、栅极输入区22、漏极输出区24、电源输出区23、绝缘弹性压片26、降温翅片27。
具体实施方式
[0018]为能进一步了解本技术的特征、技术手段以及所达到的具体目的、功能，下面结合具体实施方式和附图对本技术作进一步详细描述。
[0019]本技术中，除非另有明确的规定和限定，术语“安装”、“相连”、“连接”、“固定”等术语应做广义理解，例如，可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或一体地连接；可以是机械连接，也可以是电连接；可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连，可以是两个元件内部的连通。对于本领域的普通技术人员而言，可以根据具体情况理解上述术语在本技术中的具体含义。
[0020]请参照图1
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5所示，本技术提供一种防烧坏MOS管改良结构，包括芯片20、封装外壳10、栅极输入引脚14、漏极输出引脚13、电源输出引脚12，芯片20设置在封装外壳10内，栅极输入引脚14、漏极输出引脚13、电源输出引脚12的一侧分别延伸进封装外壳10内与芯片20连接，封装外壳10的内腔并且位于芯片20的上表面设置有降温结构11，降温结构11包括降温板块18、降温管体17，降温板块18与芯片20的上表面连接，降温管体17的一端与降温板块18的上表面连接，降温管体17的上端贯穿封装外壳10并且延伸出封装外壳10的上表面，降温管体17的内侧壁周向阵列设置有若干降温翅片27，降温板块18的面积大于芯片20的面积。封装外壳10的内腔与芯片20对应的下方分别设置有与栅极输入引脚14、漏极输出引脚13、电源输出引脚12对应的三条导电条形槽21，导电条形槽21的底部设置有导电层。芯片20的栅极输入区22、漏极输出区24、电源输出区23分别通过引线与相应位置的导电条形
槽21连接，栅极输入引脚14、漏极输出引脚13、电源输出引脚12的一端分别对应嵌合设置在导电条形槽21内，栅极输入引脚14、漏极输出引脚13、电源输出引脚12的另一端延伸出封装外壳10外。本实施方式中，通过降温板块对芯片的热量进行吸收，并且通过降温管体配合散热，大大提升芯片散热的效果，提高了散热的效率，从而避免芯片因为长期的热量积聚而导致烧坏，提升产品的使用寿命。
[0021]各导电条形槽21顶部内壁延其长度方向线性阵列设置有若干绝缘弹性压片26，栅极输入引脚14、漏极输出引脚13、电源输出引脚12位于封装外壳10内的一侧均线性阵列设置有若干与绝缘弹性压片26配合的让位槽16，实际使用时，绝缘弹性压片26分别与栅极输入引脚14、漏极输出引脚13、电源输出引脚12上的让位槽16本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种防烧坏MOS管改良结构，包括芯片(20)、封装外壳(10)、栅极输入引脚(14)、漏极输出引脚(13)、电源输出引脚(12)，所述芯片(20)设置在所述封装外壳(10)内，所述栅极输入引脚(14)、漏极输出引脚(13)、电源输出引脚(12)的一侧分别延伸进所述封装外壳(10)内与所述芯片(20)连接，其特征在于：所述封装外壳(10)的内腔并且位于所述芯片(20)的上表面设置有降温结构(11)，所述降温结构(11)包括降温板块(18)、降温管体(17)，所述降温板块(18)与所述芯片(20)的上表面连接，所述降温管体(17)的一端与所述降温板块(18)的上表面连接，所述降温管体(17)的上端贯穿所述封装外壳(10)并且延伸出所述封装外壳(10)的上表面，所述降温管体(17)的内侧壁周向阵列设置有若干降温翅片(27)，所述降温板块(18)的面积大于所述芯片(20)的面积。2.根据权利要求1所述的一种防烧坏MOS管改良结构，其特征在于：所述封装外壳(10)的内腔与所述芯片(20)对应的下方分别设置有与所述栅极输入引脚(14)、漏极输出引脚(13)、电源输出引脚(12)对应的三条导电条形槽(21)，所述芯片(20)的栅极输入区(22)、漏极输出区(24)、电源输出区(23)分别通过引线与相应位置的导电条形槽(21)连接，所述栅极输入引脚(14)、漏极输出引脚(13...

【专利技术属性】
技术研发人员：欧荆明，
申请(专利权)人：东莞市中之电子科技有限公司，
类型：新型
国别省市：