一种大功率的贴片式MOS管封装结构制造技术

本实用新型专利技术系提供一种大功率的贴片式MOS管封装结构，绝缘封装体内设有MOS管芯片、陶瓷盖、第一导电引脚、第二导电引脚和第三导电引脚，陶瓷盖包括顶板，顶板上固定有分隔凸条，顶板中设有位于分隔凸条相对两侧的第一接线让位孔和第二接线让位孔，顶板底部固定有侧板，侧板远离MOS管芯片的一侧固定有散热翅片；第一导电引脚包括第一导电平板和第一导电立板，第二导电引脚包括第二导电平板和第二导电立板；分隔凸条位于第一导电平板和第二导电平板之间，第一导电平板中设有第一导电孔，第二导电平板中设有第二导电孔。本实用新型专利技术能够有效提高散热性能，能够适应大功率工作，可有效避免断路的情况发生，整体结构可靠牢固。整体结构可靠牢固。整体结构可靠牢固。

【技术实现步骤摘要】
一种大功率的贴片式MOS管封装结构


[0001]本技术涉及MOS管，具体公开了一种大功率的贴片式MOS管封装结构。

技术介绍

[0002]MOS管是MOSFET的缩写，全称金属
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氧化物半导体场效应晶体管，包括栅极、源极和漏极共三个电极，多数情况下，漏极和源极两个区域即使对调也不会影响器件的性能。
[0003]贴片式MOS管封装结构的制作是先将MOS管芯片的三个电极分别通过引线连接到三个扁平的引脚上，再将它们封装到塑胶体内能够获得的贴片式MOS管封装结构，注塑封装的过程中产生的应力容易贴片式MOS管封装结构内部的引线连接结构，容易形成断路等问题，且在大功率工作时，贴片式的结构散热性能不佳。

技术实现思路

[0004]基于此，有必要针对现有技术问题，提供一种大功率的贴片式MOS管封装结构，具有良好的散热性能，能够适应大功率环境的工作，且整体结构可靠牢固。
[0005]为解决现有技术问题，本技术公开一种大功率的贴片式MOS管封装结构，包括绝缘封装体，绝缘封装体内设有MOS管芯片、陶瓷盖、第一导电引脚、第本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种大功率的贴片式MOS管封装结构，包括绝缘封装体(10)，其特征在于，所述绝缘封装体(10)内设有MOS管芯片(20)、陶瓷盖(30)、第一导电引脚(40)、第二导电引脚(50)和第三导电引脚(60)，所述陶瓷盖(30)包括顶板(31)，所述顶板(31)上固定有分隔凸条(32)，所述顶板(31)中设有位于所述分隔凸条(32)相对两侧的第一接线让位孔(311)和第二接线让位孔(312)，所述顶板(31)底部的至少两边缘固定有侧板(33)，所述侧板(33)围绕在所述MOS管芯片(20)外，每个所述侧板(33)远离所述MOS管芯片(20)的一侧均固定有若干散热翅片(34)，所述第一接线让位孔(311)和所述第二接线让位孔(312)分别位于所述MOS管芯片(20)顶部的两个电极上；所述第一导电引脚(40)包括第一导电平板(41)和第一导电立板(42)，所述第一导电立板(42)固定于所述第一导电平板(41)远离所述MOS管芯片(20)的一侧，所述第二导电引脚(50)包括第二导电平板(51)和第二导电立板(52)，所述第二导电立板(52)固定于所述第二导电平板(51)远离所述MOS管芯片(20)的一侧，所述第三导电引脚(60)包括第三导电平板(61)和第三导电立板(62)，所述第三导电立板(62)固定于所述第三导电平板(61)远离所述MOS管芯片(20)的一侧；所述第一导电平板(41)和所述第二导电平板(51)均位于所述顶板(31)上，所述分隔凸条(32)位于所述第一导电平板(41)和所述第二导电平板(51)之间，所述第一导电平板(41)中设有连接于所述第一接线让位孔(311)顶部的第一导电孔(411)，所述第二导电平板(51)中设有连接于所述第二接线让位孔(312)...

【专利技术属性】
技术研发人员：尹海军，
申请(专利权)人：东莞市中之电子科技有限公司，
类型：新型
国别省市：