一种微型中心结及环形器制造技术

本实用新型专利技术涉及一种微型中心结，其特征在于，包括一体成型的谐振电阻、回路电感和匹配电容；所述谐振电阻包括连接段和弧形外扩段，所述弧形外扩段的外径大于所述连接段且所述弧形外扩段的两侧倾斜设置；所述匹配电容包括：主基体和设置在所述主基体两侧的副基体，所述主基体上开设有通孔，且其中一所述主基体的外端设置有倒角,所述主基体与所述副基体之间通过圆角过渡,且所述副基体的外侧边为弧边。通过本发明专利技术中心结的结构和尺寸选择，解决了小尺寸隔离器及环行器的性能指标差和一致性差的问题，优化了插入损耗、互调性能和工作带宽，且成本低，能够更高效满足系统指标要求，稳定性好，批量化可制造性强。批量化可制造性强。批量化可制造性强。

【技术实现步骤摘要】
一种微型中心结及环形器


[0001]本技术涉及微波与射频通讯器件
，特别涉及一种微型中心结及环形器。

技术介绍

[0002]随着4G、5G技术的飞速发展，环形器和隔离器的小型化和高性能成为当前的发展趋势，由于中心结的设计范围窄、加工工艺复杂，使得以往小尺寸设计较为困难，难以满足当前的使用需求。因此需要提供一种小型化中心结以满足当前对产品性能的要求，以为5G小型化提供新的解决方案。

技术实现思路

[0003]为解决上述技术问题，本技术提供了一种微型中心结，。
[0004]为达到上述目的，本技术的技术方案如下：
[0005]一种微型中心结，包括一体成型的谐振电阻、回路电感和匹配电容，所述谐振电阻、所述回路电感和所述匹配电容均呈环形阵列形式设置有三组，所述回路电感与所述匹配电容相连接，所述谐振电阻设置在相邻所述回路电感之间；所述谐振电阻包括连接段和弧形外扩段，所述弧形外扩段的外径大于所述连接段且所述弧形外扩段的两侧倾斜设置；所述匹配电容包括：主基体和设置在所述主基体两侧的副基体，所述主基体上开设有通孔，且其中一所述主基体的外端设置有倒角,所述主基体与所述副基体之间通过圆角过渡,且所述副基体的外侧边为弧边；
[0006]其中，所述弧形外扩段的半径为2.77
‑
2.93mm，所述连接段的末端与中心结的中心点之间的间距为1.53
‑
1.70mm；
[0007]所述回路电感的宽度为0.27
‑
0.45mm；
[0008]所述主基体的宽度为0.87
‑
1.43mm，所述通孔的半径为0.222
‑
0.228mm, 所述副基体外侧边的半径为2.84
‑
2.93mm,所述主基体外端倒角的宽度为 0.22
‑
0.33mm。
[0009]作为本技术的一种优选方案，所述弧形外扩段两侧的夹角为66.49
°
、半径为2.80mm，所述连接段的末端与中心结的中心点之间的间距为1.55mm。
[0010]作为本技术的一种优选方案，所述连接段的两侧边倾斜设置,且所述连接段的两侧边形成的夹角为15.65
°
。
[0011]作为本技术的一种优选方案，三个所述回路电感的宽度均为 0.30mm。
[0012]作为本技术的一种优选方案，设置倒角的所述副基体的内侧凹口与中心结的中心点之间的间距为2.55mm，其他所述副基体的内侧凹口与中心结的中心点之间的间距为2.60mm,所述副基体的外侧边的半径为2.87mm, 所述主基体与所述副基体之间圆角的半径为0.3mm,所述副基体内侧边之间的间距为0.8mm,所述主基体的宽度为0.9mm,所述副基体的内侧半径为 1.5mm,所述通孔的半径为0.225mm,所述主基体外端倒角的宽度为0.30mm, 所述副基体外侧边之间形成的夹角为52.20
°
。
[0013]作为本技术的一种优选方案，所述弧形外扩段两侧的夹角为 105.6
°
、半径为2.90mm，所述连接段的末端与中心结的中心点之间的间距为1.67mm。
[0014]作为本技术的一种优选方案，所述连接段与所述弧形外扩段之间设有外凸块，所述外凸块内侧边之间形成的夹角为120
°
，所述外凸块的外端与中心结的中心点之间的间距为1.96mm。
[0015]作为本技术的一种优选方案，三个所述回路电感的宽度分别为 0.40mm、0.40mm和0.42mm。
[0016]作为本技术的一种优选方案，所述副基体的内侧边设有连接斜边，所述副基体的内侧凹口呈弧形，所述连接斜边之间形成的夹角为32.70
°
，所述副基体的外侧边的半径为2.90mm,所述副基体的内侧凹口的半径为 2.85mm，所述副基体外侧边之间形成的夹角为14.4
°
，所述副基体的内侧端之间形成夹角为120
°
，所述副基体内侧边之间的间距为1.12mm,所述主基体与所述副基体之间圆角的半径为0.2mm,所述通孔的半径为0.225mm, 所述主基体外端倒角的宽度为0.25mm,所述主基体的宽度为1.40mm。
[0017]另一方面，本专利技术还提供一种环形器，包括：下腔体、如权利要求1
‑
9 中任一项所述的中心结、以及上盖，所述中心结嵌设于所述下腔体，所述上盖螺纹连接于所述下腔体、并将所述中心结压紧。
[0018]综上所述，本技术具有如下有益效果：
[0019]本专利技术实施例通过提供一种微型中心结及环形器，由谐振电阻为环形器确定工作的主谐振频率和主截止频率，并产生谐振，在线性系统中降低非线性的影响，回路电感用于储存信号，并与匹配电容形成LC匹配回路，提供容性匹配，起到优化主谐振频率和主截止频率作用，同时也为谐振频率提供不同的阻抗和带宽；通过本专利技术中心结的结构和尺寸选择，解决了小尺寸隔离器及环行器的性能指标差和一致性差的问题，优化了插入损耗、互调性能和工作带宽，且成本低，能够更高效满足系统指标要求，稳定性好，批量化可制造性强，为环行器的最终性能提供适合的欧姆匹配值，从而使其在通信系统的S波段和C波段的信号得到稳定表现，满足5G小型化的需求。
附图说明
[0020]为了更清楚地说明本技术实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本技术的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
[0021]图1为本专利技术实施例一的结构示意图。
[0022]图2为本专利技术实施例一中谐振电阻的尺寸位置示意图。
[0023]图3为本专利技术实施例一中回路电容的尺寸位置示意图。
[0024]图4为本专利技术实施例一中匹配电容的尺寸位置示意图。
[0025]图5为本专利技术实施例一中心结性能的仿真曲线图。
[0026]图6为本专利技术实施例一中心结性能实测曲线图。
[0027]图7为本专利技术实施例二的结构示意图。
[0028]图8为本专利技术实施例二中谐振电阻的尺寸位置示意图。
[0029]图9为本专利技术实施例二中回路电容的尺寸位置示意图。
[0030]图10为本专利技术实施例二中匹配电容的尺寸位置示意图。
[0031]图11为本专利技术实施例二中心结性能的仿真曲线图。
[0032]图12为本专利技术实施例二中心结性能实测曲线图。
[0033]图13为本专利技术实施例三的结构示意图。
[0034]图14为本专利技术实施例四的结构示意图。
[0035]图中数字和字母所表示的相应部件名称：
[0036]1、下腔体；2、中心结；3、上盖；4、谐振电阻；41、连接段；42、弧形外扩段；本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种微型中心结，其特征在于，包括一体成型的谐振电阻、回路电感和匹配电容，所述谐振电阻、所述回路电感和所述匹配电容均呈环形阵列形式设置有三组，所述回路电感与所述匹配电容相连接，所述谐振电阻设置在相邻所述回路电感之间；所述谐振电阻包括连接段和弧形外扩段，所述弧形外扩段的外径大于所述连接段且所述弧形外扩段的两侧倾斜设置；所述匹配电容包括：主基体和设置在所述主基体两侧的副基体，所述主基体上开设有通孔，且其中一所述主基体的外端设置有倒角,所述主基体与所述副基体之间通过圆角过渡,且所述副基体的外侧边为弧边；其中，所述弧形外扩段的半径为2.77
‑
2.93mm，所述连接段的末端与中心结的中心点之间的间距为1.53
‑
1.70mm；所述回路电感的宽度为0.27
‑
0.45mm；所述主基体的宽度为0.87
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1.43mm，所述通孔的半径为0.222
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0.228mm,所述副基体外侧边的半径为2.84
‑
2.93mm,所述主基体外端倒角的宽度为0.22
‑
0.33mm。2.根据权利要求1所述的微型中心结，其特征在于，所述弧形外扩段两侧的夹角为66.49
°
、半径为2.80mm，所述连接段的末端与中心结的中心点之间的间距为1.55mm。3.根据权利要求2所述的微型中心结，其特征在于，所述连接段的两侧边倾斜设置,且所述连接段的两侧边形成的夹角为15.65
°
。4.根据权利要求3所述的微型中心结，其特征在于，三个所述回路电感的宽度均为0.30mm。5.根据权利要求4所述的微型中心结，其特征在于，设置倒角的所述副基体的内侧凹口与中心结的中心点之间的间距为2.55mm，其他所述副基体的内侧凹口与中心结的中心点之间的间距为2.60mm,所述副基体的外...

【专利技术属性】
技术研发人员：王汝青，黄振新，李凯，詹绪明，
申请(专利权)人：苏州威洁通讯科技有限公司，
类型：新型
国别省市：