一种介质波导滤波器制造技术

本实用新型专利技术涉及一种介质波导滤波器，包括：介质基体，所述介质基体的第一侧设有若干组谐振部，所述谐振部包括两个对称设置的谐振盲孔，位于其中一侧的所述谐振部的两所述谐振盲孔之间设有耦合深孔，所述耦合深孔的一侧设有第一耦合槽，位于另一侧的两组所述谐振部之间设有第二耦合槽，所述第一耦合槽和所述第二耦合槽贯穿所述介质基体，所述介质基体的第二侧位于与所述耦合深孔相对应的位置处设有嵌套环孔，所述嵌套环孔环设在所述耦合深孔的外侧。本实用新型专利技术的介质波导滤波器能够直接消除传统负耦合结构带来的通带低端谐振峰，有效的提高系统的响应性能。提高系统的响应性能。提高系统的响应性能。

【技术实现步骤摘要】
一种介质波导滤波器


[0001]本技术涉及滤波器
，特别涉及一种带负耦合无低端谐振峰的介质波导滤波器。

技术介绍

[0002]随着5G通信系统的飞速发展，传统的金属滤波器已无法满足小型化、低成本的要求，因而衍生出了介质波导滤波器，并得到了广泛的应用。如图1和图2所示，目前常用的介质波导滤波器的容性交叉耦合结构包括：介质基体、多组设置在介质基体上谐振盲孔、以及设置在一侧谐振盲孔之间的耦合深孔，耦合深孔用于形成负耦合，但现有的介质波导滤波器的耦合深孔易在通带低端产生谐振峰，从而影响系统的响应性能。

技术实现思路

[0003]为解决上述技术问题，本技术提供了一种介质波导滤波器，具有可去除通带低端产生的谐振峰、提高系统响应性能的优点。
[0004]为达到上述目的，本技术的技术方案如下：
[0005]一种介质波导滤波器，包括：介质基体，所述介质基体的第一侧设有若干组谐振部，所述谐振部包括两个对称设置的谐振盲孔，位于其中一侧的所述谐振部的两所述谐振盲孔之间设有耦合深孔，所述耦合深孔的一侧设有第一耦合槽，位于另一侧的两组所述谐振部之间设有第二耦合槽，所述第一耦合槽和所述第二耦合槽贯穿所述介质基体，所述介质基体的第二侧位于与所述耦合深孔相对应的位置处设有嵌套环孔，所述嵌套环孔环设在所述耦合深孔的外侧。
[0006]作为本技术的一种优选方案，所述第一耦合槽为条形耦合槽，所述第二耦合槽包括一纵向槽和一横向槽，所述纵向槽与所述横向槽垂直交叉设置，所述横向槽位于两谐振盲孔之间，所述介质基体的第二侧位于所述纵向槽的两侧对称设有输入盲孔和输出盲孔。
[0007]作为本技术的一种优选方案，所述耦合深孔的深度大于所述谐振盲孔的深度。
[0008]作为本技术的一种优选方案，所述输入盲孔、所述输出盲孔均与所述谐振盲孔相对齐，且所述输入盲孔与所述谐振盲孔的深度之和、所述输出盲孔与所述谐振盲孔的深度之和均小于所述介质基体的厚度。
[0009]作为本技术的一种优选方案，所述耦合深孔的中轴线与所述第一耦合槽的中轴线相对齐。
[0010]作为本技术的一种优选方案，所述横向槽的中轴线与所述第一耦合槽的中轴线相对齐。
[0011]作为本技术的一种优选方案，所述介质基体的外侧、所述第一耦合槽内和所述第二耦合槽内均设有金属屏蔽层。
[0012]综上所述，本技术具有如下有益效果：
[0013]本技术实施例通过提供一种介质波导滤波器，包括：介质基体，所述介质基体的第一侧设有若干组谐振部，所述谐振部包括两个对称设置的谐振盲孔，位于其中一侧的所述谐振部的两所述谐振盲孔之间设有耦合深孔，所述耦合深孔的一侧设有第一耦合槽，位于另一侧的两组所述谐振部之间设有第二耦合槽，所述第一耦合槽和所述第二耦合槽贯穿所述介质基体，所述第一耦合槽为条形耦合槽，所述第二耦合槽包括一纵向槽和一横向槽，所述纵向槽与所述横向槽垂直交叉设置，所述横向槽位于两谐振盲孔之间，所述介质基体的第二侧位于所述纵向槽的两侧对称设有输入盲孔和输出盲孔，所述介质基体的第二侧位于与所述耦合深孔相对应的位置处设有嵌套环孔，所述嵌套环孔环设在所述耦合深孔的外侧。本技术的介质波导滤波器能够直接消除传统负耦合结构带来的通带低端谐振峰，有效的提高系统的响应性能。
附图说明
[0014]为了更清楚地说明本技术实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本技术的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
[0015]图1为现有的介质波导滤波器的结构示意图。
[0016]图2为现有的介质波导滤波器的响应曲线，其中在A处的通带低端具有谐振峰。
[0017]图3为本技术实施例第一视角的结构示意图。
[0018]图4为本技术实施例第二视角的结构示意图。
[0019]图5为本技术实施例的主视图。
[0020]图6为沿图5中A
‑
A向的剖视图。
[0021]图7为沿图5中B
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B向的剖视图。
[0022]图8为沿图5中C
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C向的剖视图。
[0023]图9为本技术实施例的响应曲线，其通带低端无谐振峰。
[0024]图中数字和字母所表示的相应部件名称：
[0025]100、介质基体；101、耦合深孔；102、输入盲孔；103、输出盲孔；200、谐振部；201、谐振盲孔；300、第一耦合槽；400、第二耦合槽；401、纵向槽；402、横向槽；500、嵌套环孔。
具体实施方式
[0026]下面将结合本技术实施例中的附图，对本技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本技术保护的范围。
[0027]实施例
[0028]一种介质波导滤波器，如图3至图9所示，包括：介质基体100，介质基体100的第一侧设有若干组谐振部200，谐振部200包括两个对称设置的谐振盲孔201，位于其中一侧的谐振部200的两谐振盲孔201之间设有耦合深孔101，耦合深孔101的一侧设有第一耦合槽300，
位于另一侧的两组谐振部200之间设有第二耦合槽400，第一耦合槽300和第二耦合槽400贯穿介质基体100，第一耦合槽300为条形耦合槽，第二耦合槽400包括一纵向槽401和一横向槽402，纵向槽401与横向槽402垂直交叉设置，横向槽402位于两谐振盲孔201之间，介质基体100的第二侧位于纵向槽401的两侧对称设有输入盲孔102和输出盲孔103，介质基体100的第二侧位于与耦合深孔101相对应的位置处设有嵌套环孔500，嵌套环孔500环设在耦合深孔101的外侧。
[0029]具体的，本实施例中，介质基体100优选由陶瓷材料一体压制成型，谐振部200设置有三组，每组谐振部200的两个谐振盲孔201的直径可以相等或者不相等，耦合深孔101的深度大于谐振盲孔201的深度，输入盲孔102、输出盲孔103均与谐振盲孔201相对齐，且输入盲孔102与谐振盲孔201的深度之和、输出盲孔103与谐振盲孔201的深度之和均小于介质基体100的厚度。
[0030]本实施例中，耦合深孔101的中轴线与第一耦合槽300的中轴线相对齐，横向槽402的中轴线与第一耦合槽300的中轴线相对齐，在其他实施例中，隔离槽的数量和形状也可以采用其他形状，只要能调谐相邻谐振部200之间的耦合度即可。
[0031]进一步的，介质基体100的外侧、第一耦合槽300内和第二耦合槽400内均设有金属屏蔽层。
[0032]本技术的介质波导滤波本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种介质波导滤波器，其特征在于，包括：介质基体，所述介质基体的第一侧设有若干组谐振部，所述谐振部包括两个对称设置的谐振盲孔，位于其中一侧的所述谐振部的两所述谐振盲孔之间设有耦合深孔，所述耦合深孔的一侧设有第一耦合槽，位于另一侧的两组所述谐振部之间设有第二耦合槽，所述第一耦合槽和所述第二耦合槽贯穿所述介质基体，所述介质基体的第二侧位于与所述耦合深孔相对应的位置处设有嵌套环孔，所述嵌套环孔环设在所述耦合深孔的外侧。2.根据权利要求1所述的介质波导滤波器，其特征在于，所述第一耦合槽为条形耦合槽，所述第二耦合槽包括一纵向槽和一横向槽，所述纵向槽与所述横向槽垂直交叉设置，所述横向槽位于两谐振盲孔之间，所述介质基体的第二侧位于所述纵向槽的两侧对称设有输入盲孔...

【专利技术属性】
技术研发人员：黄振新，唐春宝，孙佳佳，詹绪明，李凯，许金山，王汝青，
申请(专利权)人：苏州威洁通讯科技有限公司，
类型：新型
国别省市：