小型化中心结及环形器制造技术

本发明专利技术涉及一种小型化中心结，包括一体成型的谐振电阻、回路电感和匹配电容，所述回路电感与所述匹配电容相连接，所述谐振电阻设置在相邻所述回路电感之间；所述谐振电阻包括连接段和弧形外扩段，所述弧形外扩段的外径大于所述连接段且所述弧形外扩段的两侧倾斜设置；所述匹配电容包括：主基体和设置在所述主基体两侧的副基体，所述主基体上开设有通孔，且其中一所述主基体的外端呈弧形设置；通过本发明专利技术中心结的结构和尺寸选择，解决了小尺寸隔离器及环行器的性能指标差和一致性差的问题，优化了插入损耗、互调性能和工作带宽，且成本低，能够更高效满足系统指标要求，稳定性好，批量化可制造性强。可制造性强。可制造性强。

【技术实现步骤摘要】
小型化中心结及环形器


[0001]本专利技术涉及微波与射频通讯器件
，特别涉及一种小型化中心结及环形器。

技术介绍

[0002]随着4G、5G技术的飞速发展，环形器和隔离器的小型化和高性能成为当前的发展趋势，由于中心结的设计范围窄、加工工艺复杂，使得以往小尺寸设计较为困难，难以满足当前的使用需求。因此需要提供一种小型化中心结以满足当前对产品性能的要求，以为5G小型化提供新的解决方案。

技术实现思路

[0003]为解决上述技术问题，本专利技术提供了一种小型化中心结及环形器，解决了小尺寸环行器的性能指标差、一致性差的问题。
[0004]为达到上述目的，本专利技术的技术方案如下：
[0005]一种小型化中心结，包括一体成型的谐振电阻、回路电感和匹配电容，所述谐振电阻、所述回路电感和所述匹配电容均呈环形阵列形式设置有三组，所述回路电感与所述匹配电容相连接，所述谐振电阻设置在相邻所述回路电感之间；所述谐振电阻包括连接段和弧形外扩段，所述弧形外扩段的外径大于所述连接段且所述弧形外扩段的两侧倾斜设置；所述匹配电容包括：主基体和设置在所述主基体两侧的副基体，所述主基体上开设有通孔，且其中一所述主基体的外端呈弧形设置；
[0006]其中，所述弧形外扩段两侧的夹角为67.9
°‑
71.4
°
、半径为 3.35
‑
3.85mm，所述连接段的宽度为2.65
‑
2.85mm，所述连接段的末端与中心结的中心点之间的间距为2.5<br/>‑
2.91mm；
[0007]所述回路电感的宽度为0.49
‑
0.65mm；
[0008]所述主基体的宽度为1.17
‑
1.23mm，所述通孔的半径为0.26
‑
0.32mm。
[0009]作为本专利技术的一种优选方案，所述弧形外扩段两侧的夹角为71.31
°
、半径为3.38mm，所述连接段的宽度为2.8mm，所述连接段的末端与中心结的中心点之间的间距为2.53mm。
[0010]作为本专利技术的一种优选方案，所述连接段与所述弧形外扩段之间设置过渡凹口，所述过渡凹口与所述连接段之间设有斜接边；所述连接段的端部与所述斜接边外端的间距为0.49mm，所述斜接边的外端与中心结的中心点之间的间距为2.04mm，所述连接段位于所述过渡凹口处的宽度为2.1mm，两所述斜导边之间形成的夹角为105.71
°
。
[0011]作为本专利技术的一种优选方案，三个所述回路电感的宽度分别为0.59mm、 0.59mm和0.62mm。
[0012]作为本专利技术的一种优选方案，所述副基体的内侧面设有相连接的第一斜边和第二斜边，所述副基体的外侧面设有相连接的第三斜边和第四斜边，所述主基体与所述副基体
之间设有外凹口；所述主基体的宽度为1.2mm，两所述副基体外侧端之间的间距为2.11mm，所述第一斜边之间的夹角为 116.63
°
，所述第三斜边之间的夹角为116.63
°
，所述第三斜边的半径为 3.68mm，所述第四斜边的半径为4.02mm，设置弧形边的主基体的宽度为 1.12mm，设置弧形边的副基体外侧端之间的间距为2.15mm，所述主基体的内侧端与中心结的中心点之间的间距为3.76mm，所述外凹口的外侧端与中心结的中心点之间的间距为4.49mm，所述外凹口的内侧端与中心结的中心点之间的间距为4.11mm，所述通孔的半径为0.29mm，所述主基体的弧形边的半径为0.6mm。
[0013]作为本专利技术的一种优选方案，所述弧形外扩段两侧的夹角为68
°
、半径为3.82mm，所述连接段的宽度为2.7mm，所述连接段的末端与中心结的中心点之间的间距为2.88mm。
[0014]作为本专利技术的一种优选方案，三个所述回路电感的宽度分别为0.52mm、 0.52mm和0.53mm。
[0015]作为本专利技术的一种优选方案，所述副基体与所述主基体之间设有相连的第五斜边和过渡弧边，所述副基体的内侧端设有过渡圆角；所述主基体的宽度为1.2mm，两所述副基体外侧端之间的夹角为49
°
，所述过渡圆角的半径为0.15mm，两所述副基体内侧边之间夹角为120
°
，两所述副基体朝向所述回路电感的一侧之间的间距为1.27mm，设置弧形边的副基体的内侧边之间的夹角为146
°
，所述过渡弧边的半径为3.96mm，设置弧形边的副基体的外侧端之间的间距为3.44mm，所述第五斜边的外端与中心结的中心点之间的间距为4.46mm，所述副基体的内侧凹口与中心结的中心点之间的间距为3.96mm，所述通孔的半径为0.29mm，所述主基体的弧形边的半径为0.6mm。
[0016]作为本专利技术的一种优选方案，所述中心结由铜或铜合金制成，且在中心结的表面设有镀银层。
[0017]另一方面，本专利技术还提供一种环形器，包括：下腔体、如上述任一技术方案所述的中心结、以及上盖，所述中心结嵌设于所述下腔体，所述上盖螺纹连接于所述下腔体、并将所述中心结压紧。
[0018]综上所述，本专利技术具有如下有益效果：
[0019]本专利技术实施例通过提供一种小型化中心结及环形器，由谐振电阻为环形器确定工作的主谐振频率和主截止频率，并产生谐振，在线性系统中降低非线性的影响，回路电感用于储存信号，并与匹配电容形成LC匹配回路，提供容性匹配，起到优化主谐振频率和主截止频率作用，同时也为谐振频率提供不同的阻抗和带宽；通过本专利技术中心结的结构和尺寸选择，解决了小尺寸隔离器及环行器的性能指标差和一致性差的问题，优化了插入损耗、互调性能和工作带宽，且成本低，能够更高效满足系统指标要求，稳定性好，批量化可制造性强，为环行器的最终性能提供适合的欧姆匹配值，从而使其在通信系统的S波段和C波段的信号得到稳定表现，满足5G小型化的需求。
附图说明
[0020]为了更清楚地说明本专利技术实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本专利技术的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
[0021]图1为本专利技术实施例一的结构示意图。
[0022]图2为本专利技术实施例一中谐振电阻的尺寸位置示意图。
[0023]图3为本专利技术实施例一中回路电容的尺寸位置示意图。
[0024]图4为本专利技术实施例一中匹配电容的尺寸位置示意图。
[0025]图5为本专利技术实施例一中心结性能的仿真曲线图。
[0026]图6为本专利技术实施例一中心结性能实测曲线图。
[0027]图7为本专利技术实施例二的结构示意图。
[0028]图8为本专利技术实施例二中谐振电阻的尺寸位置示意图。
[0029]图9为本专利技术实施例二中回路本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种小型化中心结，其特征在于，包括一体成型的谐振电阻、回路电感和匹配电容，所述谐振电阻、所述回路电感和所述匹配电容均呈环形阵列形式设置有三组，所述回路电感与所述匹配电容相连接，所述谐振电阻设置在相邻所述回路电感之间；所述谐振电阻包括连接段和弧形外扩段，所述弧形外扩段的外径大于所述连接段且所述弧形外扩段的两侧倾斜设置；所述匹配电容包括：主基体和设置在所述主基体两侧的副基体，所述主基体上开设有通孔，且其中一所述主基体的外端呈弧形设置；其中，所述弧形外扩段两侧的夹角为67.9
°‑
71.4
°
、半径为3.35
‑
3.85mm，所述连接段的宽度为2.65
‑
2.85mm，所述连接段的末端与中心结的中心点之间的间距为2.5
‑
2.91mm；所述回路电感的宽度为0.49
‑
0.65mm；所述主基体的宽度为1.17
‑
1.23mm，所述通孔的半径为0.26
‑
0.32mm。2.根据权利要求1所述的小型化中心结，其特征在于，所述弧形外扩段两侧的夹角为71.31
°
、半径为3.38mm，所述连接段的宽度为2.8mm，所述连接段的末端与中心结的中心点之间的间距为2.53mm。3.根据权利要求2所述的小型化中心结，其特征在于，所述连接段与所述弧形外扩段之间设置过渡凹口，所述过渡凹口与所述连接段之间设有斜接边；所述连接段的端部与所述斜接边外端的间距为0.49mm，所述斜接边的外端与中心结的中心点之间的间距为2.04mm，所述连接段位于所述过渡凹口处的宽度为2.1mm，两所述斜导边之间形成的夹角为105.71
°
。4.根据权利要求3所述的小型化中心结，其特征在于，三个所述回路电感的宽度分别为0.59mm、0.59mm和0.62mm。5.根据权利要求4所述的小型化中心结，其特征在于，所述副基体的内侧面设有相连接的第一斜边和第二斜边，所述副基体的外侧面设有相连接的第三斜边和第四斜边，所述主基体与所述副基体之间设有外凹口；所述主基体的宽度为1.2mm，两所述副基体外侧端之间的间距为2.11mm，所...

【专利技术属性】
技术研发人员：唐春宝，黄振新，李凯，孙佳佳，许金山，
申请(专利权)人：苏州威洁通讯科技有限公司，
类型：发明
国别省市：