CMOS结构、半导体芯片及电子装置制造方法及图纸

本实用新型专利技术涉及半导体技术领域，提供一种CMOS结构、半导体芯片及电子装置，CMOS结构包括：第一金属层；介质层，介质层形成于第一金属层上；以及第二金属层，第二金属层形成于介质层上，第二金属层具有刻蚀槽，刻蚀槽的深度的为H，刻蚀槽的宽度为L，其中，2μm≤H≤6μm，L＝a+2b，a为预刻蚀宽度，b为横向刻蚀尺寸，2μm≤b≤6μm；利于刻蚀槽采用干法刻蚀与湿法刻蚀结合的方式刻蚀而成，可采用干法刻蚀和湿法刻蚀分别对第二金属层刻蚀一部分，以减小刻蚀槽的横向刻蚀尺寸，从而可有效减小因全采用湿法刻蚀而导致的较大的芯片设计尺寸。法刻蚀而导致的较大的芯片设计尺寸。法刻蚀而导致的较大的芯片设计尺寸。

【技术实现步骤摘要】
CMOS结构、半导体芯片及电子装置


[0001]本技术涉及半导体
，尤其涉及一种CMOS结构、半导体芯片及电子装置。

技术介绍

[0002]CMOS全称为Complementary Metal Oxide Semiconductor，中文名为互补金属氧化物半导体。普通的铝栅CMOS只有一层金属，该层金属既要负担器件间的逻辑连线，又要负担焊垫的功能，因此导致在焊垫的下方不能再放置器件，一定程度上浪费芯片面积。于是诞生了双层金属的铝栅CMOS，其第一层金属可以负责器件间的逻辑连线，第二层金属负责做焊垫，如此，焊垫下方则可以放置电路器件，从而可提高集成度，适当缩小面积。
[0003]但是，为了使后续绑定金属线时不至于损伤到焊垫下面的电路器件，需要将双层金属的铝栅CMOS的第二层金属的厚度制成较厚，如此则会导致以下问题：在对第二层金属进行刻蚀时，若采用干法刻蚀，则因刻蚀效率和光刻工艺限制而难以实现对较厚的第二层金属进行刻蚀，若采用湿法刻蚀，则因其各项同性的特征，在刻蚀较厚的第二层金属时易导致横向刻蚀尺寸较大而需扩大铝栅CMOS结构设计尺寸，因此导致芯片设计尺寸扩大。

技术实现思路

[0004]本技术的一个目的在于提供一种CMOS结构，以解决现有技术中双层金属CMOS结构的第二层金属难以刻蚀而导致CMOS结构设计尺寸扩大的技术问题。
[0005]为实现上述目的，本技术采用的技术方案是：提供一种CMOS结构，所述CMOS结构包括：第一金属层；介质层，所述介质层形成于所述第一金属层上；以及第二金属层，所述第二金属层形成于所述介质层上，所述第二金属层具有刻蚀槽，所述刻蚀槽的深度的为H，所述刻蚀槽的宽度为L，其中，2μm≤H≤6μm，L＝a+2b，a为预刻蚀宽度，b为横向刻蚀尺寸，2μm≤b≤6μm。
[0006]在一个实施例中，所述刻蚀槽的深度范围为3μm≤H≤5μm，所述横向刻蚀尺寸范围为3μm≤b≤5μm。
[0007]在一个实施例中，所述刻蚀槽的深度H的值与所述横向刻蚀尺寸b的值相同。
[0008]在一个实施例中，所述刻蚀槽的侧壁呈弧形。
[0009]在一个实施例中，所述第二金属层的厚度与所述刻蚀槽的深度相同。
[0010]在一个实施例中，所述第一金属层为用于所述CMOS结构内部电路连接的金属布线层，所述第二金属层具有焊垫区域部。
[0011]在一个实施例中，所述介质层具有通孔，所述第二金属层覆盖所述通孔并通过所述通孔与所述第一金属层电性连接。
[0012]在一个实施例中，所述CMOS结构还包括衬底和形成于所述衬底上的栅极、源极、漏极、接触孔，所述第一金属层形成于所述衬底上。
[0013]在一个实施例中，所述CMOS结构为铝栅CMOS结构。
[0014]本技术的另一个目的在于提供一种半导体芯片，所述半导体芯片包括上述任一实施例所述的CMOS结构。
[0015]本技术的又一个目的在于提供一种电子装置，所述电子装置包括上述实施例所述的半导体芯片。
[0016]本技术实施例中上述的一个或多个技术方案，至少具有如下技术效果或优点：
[0017]本技术实施例提供的CMOS结构，通过设置第一金属层、形成于第一金属层上的介质层和形成于介质层上的第二金属层，以利于第一金属层负责CMOS结构的逻辑连线，而第二金属层可作为焊垫，从而可提高CMOS结构集成度，并利于减小芯片面积，同时，通过设置第二金属层具有刻蚀槽，且刻蚀槽的深度为H，刻蚀槽的宽度为L，且2μm≤H≤6μm，L＝a+2b，a为预刻蚀宽度，b为横向刻蚀尺寸，2μm≤b≤6μm，在如此尺寸范围内，则利于刻蚀槽采用干法刻蚀与湿法刻蚀结合的方式刻蚀而成，可采用干法刻蚀和湿法刻蚀分别对第二金属层刻蚀一部分，以减小刻蚀槽的横向刻蚀尺寸，从而可有效减小因全采用湿法刻蚀而导致的较大的芯片设计尺寸。
附图说明
[0018]为了更清楚地说明本技术实施例中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本技术的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
[0019]图1为本技术实施例提供的CMOS结构(第二金属层未刻蚀)的结构示意图；
[0020]图2为本技术实施例提供的CMOS结构(第二金属层进行光刻形成光刻胶后)的结构示意图；
[0021]图3为本技术实施例提供的CMOS结构(第二金属层进行干法刻蚀后)的结构示意图；
[0022]图4为本技术实施例提供的CMOS结构(第二金属层进行湿法刻蚀后)的结构示意图；
[0023]图5为本技术实施例提供的CMOS结构(第二金属层去除光刻胶后)的结构示意图。
[0024]其中，图中各附图标记：
[0025]100、CMOS结构；M1、第一金属层；10、介质层；M2、第二金属层；101、刻蚀槽；PR、光刻胶。
具体实施方式
[0026]下面详细描述本技术的实施例，所述实施例的示例在附图中示出，其中自始至终相同或类似的标号表示相同或类似的元件或具有相同或类似功能的元件。下面通过参考附图描述的实施例是示例性的，旨在用于解释本技术，而不能理解为对本技术的限制。
[0027]在本技术的描述中，需要理解的是，术语“长度”、“宽度”、“上”、“下”、“前”、
“
后”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“顶”、“底”“内”、“外”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本技术和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本技术的限制。
[0028]此外，术语“第一”、“第二”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此，限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括一个或者更多个该特征。在本技术的描述中，“多个”的含义是两个或两个以上，除非另有明确具体的限定。
[0029]在本技术中，除非另有明确的规定和限定，术语“安装”、“相连”、“连接”、“固定”等术语应做广义理解，例如，可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或成一体；可以是机械连接，也可以是电连接；可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连，可以是两个元件内部的连通或两个元件的相互作用关系。对于本领域的普通技术人员而言，可以根据具体情况理解上述术语在本技术中的具体含义。
[0030]作为本申请专利技术创造过程的一部分，专利技术人经过多次试验和验证，发现为使双层金属的铝栅CMOS的第二层金属在后续绑定金属线时不至于损伤到焊垫下面的电路器件，需将双层金属的铝栅CMOS的第二层金属的厚度制成2μm～6μm范围，同时发现在对第二层金属进行刻蚀以去除多余部分时本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种CMOS结构，其特征在于，所述CMOS结构包括：第一金属层；介质层，所述介质层形成于所述第一金属层上；以及第二金属层，所述第二金属层形成于所述介质层上，所述第二金属层具有刻蚀槽，所述刻蚀槽的深度为H，所述刻蚀槽的宽度为L，其中，2μm≤H≤6μm，L＝a+2b，2μm≤b≤6μm，a为预刻蚀宽度，b为横向刻蚀尺寸。2.根据权利要求1所述的CMOS结构，其特征在于：所述刻蚀槽的深度范围为3μm≤H≤5μm，所述横向刻蚀尺寸范围为3μm≤b≤5μm。3.根据权利要求1所述的CMOS结构，其特征在于：所述刻蚀槽的深度H的值与所述横向刻蚀尺寸b的值相同。4.根据权利要求1所述的CMOS结构，其特征在于：所述刻蚀槽的侧壁呈弧形；所述第二金属层的厚度与所述刻蚀槽的深度相同。5.根据权利要求...

【专利技术属性】
技术研发人员：曹进伟，陈孟邦，卢玉玲，邹云根，蔡文前，张丹丹，肖敏，陈航强，林丽菲，
申请(专利权)人：宗仁科技平潭股份有限公司，
类型：新型
国别省市：