存储器单元、集成芯片及操作存储器件的方法技术

本申请的各种实施例针对存储器单元、包括存储器单元的集成芯片和操作存储器件的方法。在一些实施例中，存储器单元包括具有可变电阻的数据存储元件和与该数据存储元件串联电耦合的单极性选择器。该存储器单元被配置成通过在数据存储元件和单极性选择器上施加的具有单极性的写入电压来写入。单极性的写入电压来写入。单极性的写入电压来写入。

【技术实现步骤摘要】
存储器单元、集成芯片及操作存储器件的方法


[0001]本专利技术的实施例涉及存储器单元、集成芯片及操作存储器件的方法。

技术介绍

[0002]许多现代电子器件都包括电子存储器。电子存储器可以是易失性存储器或非易失性存储器(NVM)。非易失性存储器能够在没有电源的情况下存储数据，而易失性存储器则不能。诸如磁阻式随机存取存储器(MRAM)和电阻式随机存取存储器(RRAM)的非易失性存储器由于相对简单的结构及其与互补金属氧化物半导体(CMOS)逻辑制造过程的兼容性而成为下一代非易失性存储器技术的有希望的候选者。

技术实现思路

[0003]根据本专利技术实施例的一个方面，提供了一种存储器单元，包括：数据存储元件，具有可变电阻；以及单极性选择器，与数据存储元件串联电耦合。其中，存储器单元被配置成通过在数据存储元件和单极性选择器上施加的单极性写入电压而从第一数据状态写入至第二数据状态。
[0004]根据本专利技术实施例的另一个方面，提供了一种集成芯片，包括：第一存储器阵列，设置在衬底上方并且包括以行和列布置的第一多个存储器单元，其中本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种存储器单元，包括：数据存储元件，具有可变电阻；以及单极性选择器，与所述数据存储元件串联电耦合；其中，所述存储器单元被配置成通过在所述数据存储元件和所述单极性选择器上施加的单极性写入电压而从第一数据状态写入至第二数据状态。2.根据权利要求1所述的存储器单元，还包括磁场发生器，被配置成产生耦合至所述数据存储元件的磁场且将所述数据存储元件从所述第二数据状态重设至所述第一数据状态。3.根据权利要求1所述的存储器单元，其中，仅所述数据存储元件被读取，且被配置成通过在所述数据存储元件和所述单极性选择器上施加与所述写入电压具有所述相同极性的读取电压而被读取。4.根据权利要求1所述的存储器单元，其中，所述数据存储元件包括磁隧道结(MTJ)，并且其中，所述MTJ包括通过隧穿势垒层分离的参考铁磁元件和自由铁磁元件。5.根据权利要求4所述的存储器单元，其中，所述单极性选择器的阴极直接连接至所述MTJ的所述参考铁磁元件；其中，所述单极性选择器的阳极直接连接至源极线；并且其中，所述MTJ的所述自由铁磁元件直接连接至位线。6.根据权利要求1所述的存储器单元，其中，所述单极性选择器是PIN二极管。7.一种集成芯片，包括：第一存储器阵列，设置在衬底上方并且包括以行和列布置的第一多个存储器单元，其中，所述第一多个存储器单元分别包括串联电耦合的单极性选择器和数据存储元件；...

【专利技术属性】
技术研发人员：赖昇志，
申请(专利权)人：台湾积体电路制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：