一种阻变存储单元的电导线性对称调节方法技术

本发明专利技术属于非易失存储器技术领域，涉及一种阻变存储单元的电导线性对称调节方法，通过调节阻变存储单元晶体管的栅极电压来实现阻变存储单元的电导的线性对称调节，在一晶体管一阻变存储器件的阻变存储单元结构下，在晶体管源极和漏极施加电压时，通过控制晶体管的栅极电压，使得阻变存储单元的电导状态发生改变，在高阻向低阻转变过程中，当晶体管的栅极电压较大时，器件电阻处于高电导状态；当晶体管的栅极电压较小时，忆阻器处于低电导状态。本发明专利技术方法通过调节栅极电压，得到电导呈线性对称变化，在多个周期性的测试中都保持较大的窗口，多次循环操作的电导变化差异很小，耐久性较好，可以解决传统阻变存储器编程方案的电导精准调控难题。导精准调控难题。导精准调控难题。

【技术实现步骤摘要】
一种阻变存储单元的电导线性对称调节方法


[0001]本专利技术属于非易失存储器
，涉及一种阻变存储单元的电导线性对称调节方法。

技术介绍

[0002]阻变存储器作为一种新型的非易失存储器，在近几年来，受到学术界和产业界的广泛关注。由于其具有电导连续可调的特性，所以可以做成多值存储单元。由于其具有可微缩性较好的特点，所以可以做成大规模的阵列，并且它可以很好的与硅基半导体工艺兼容。除此之外，器件阵列在存储信息的同时能够利用欧姆定律和基尔霍夫定律完成乘累加运算，具有计算并行度高、功耗低、速度快的显著优势，被学术界广泛的应用于神经网络的研究。神经网络计算对阻变存储器的性能提出了很高的要求，其中，阻变存储器电导的线性对称调节是困扰学术界和产业界的巨大难题。
[0003]目前，阻变存储器电导的线性对称调节的方式主要有：（1）调节脉冲宽度。即在电导的上升阶段，施加连续的SET脉冲，每次施加在漏极上的脉冲宽度逐渐增大；在电导的下降阶段，施加连续的RESET脉冲，每次施加在源极上的脉冲宽度逐渐增大，最终实现电导的线性上升和下降调节。（2）调节脉冲个本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种阻变存储单元的电导线性对称调节方法，采用的阻变存储单元为1T1R结构的阻变存储阵列，包括晶体管和阻变存储器，阻变存储器的上电极连接晶体管的漏极，下电极连接晶体管的源极，其特征在于，该调节方法具体包括以下步骤：步骤一，初始化操作：初始化阻变存储单元，后进行读操作，通过读取源极的电流I，得到阻变存储单元的阻值R1，并根据R1值判断完成初始化操作；步骤二，RESET操作：对已完成初始化操作的阻变存储单元进行RESET操作，即在源极施加脉冲，漏极接地，再进行与步骤一中相同的读操作，得到RESET后的阻变存储单元的阻值R3，并根据R3值判断进行下一步骤；步骤三，电导线性上升阶段：在电导线性上升阶段，在存储单元的漏极上施加脉冲，源极接地，即进行SET操作，使得电导线性增加；步骤四，电导线性下降阶段：在电导线性下降阶段，在存储单元的漏极上进行连续的SET操作，每次SET操作前进行与步骤二相同的RESET操作，使得电导的线性减小；步骤五，多次循环调节：重复进行步骤三和步骤四，得到多个循环的电导数据，实现电导的线性对称调节。2.如权利要求1所述的一种阻变存储单元的电导线性对称调节方法，其特征在于，所述步骤一，具体包括：步骤（1），对选取的阻变存储单元进行初始化操作，将源极接地，栅极施加偏置电压U，漏极上施加一个从0V开始的步进增加幅度电压值为U1的直流电压；步骤（2），然后进行读操作，栅极保持电压U不变，在漏极上施加一个脉冲方波，源极接地，从源极端获取读出的电流I，用漏极上的脉冲电压除以I得到阻变存储单元的阻值R1，若阻值R1大于阈值R2，则再进行步骤（1）的初始化操作，在漏极上施加一个从0V开始的步进增加幅度电压值为U2的直流电压，U2＞U1，其他条件不变；若阻值R1小于阈值R2，则初始化操作完成。3.如权利要...

【专利技术属性】
技术研发人员：时拓，唐双柱，刘琦，王睿，卢建，
申请(专利权)人：之江实验室，
类型：发明
国别省市：