半导体晶圆保护片制造技术

本发明专利技术是关于一种用于半导体晶圆的保护片，其包括具有良好包覆性的软质层，和用于贴附在半导体晶圆的电路形成面上的黏着层。其中，该软质层包含热塑性聚氨酯系，且于25℃和下70℃下取得该二温度下的储存模数范围，以及维卡软化点的储存模数与损失模数的比值等数据。该保护片可进一步设置基材层于软质层之下。下。下。

【技术实现步骤摘要】
半导体晶圆保护片


[0001]本专利技术是关于一种半导体晶圆表面保护片，特别是一种对于半导体晶圆所具有的线路形成面的高低差部分有优异吸收性、可抑制线路高低差与研磨片的间产生空隙的半导体晶圆表面保护片。

技术介绍

[0002]为因应电子产品小型化和薄型化的需求，电子组件及芯片皆要求在尺寸及厚度上尽可能减少，藉此缩小电路板体积。另一方面，芯片的厚度降低亦有助于芯片散热。在芯片方面，为了使芯片薄型化，因此会使用在芯片制造及封装等步骤进行制程改进。
[0003]为使晶粒得以变薄，会先将半导体晶圆片先行研磨至一定厚度。此一作法虽然降低了芯片厚度，然而因为半导体晶圆研磨变薄后，材料强度下降，使得该半导体晶圆在运送至其他机台时容易破损，另外，在后续制程时也常因局部应力使得晶圆破裂，造成相当的损失。
[0004]为改善此一问题，可于半导体晶圆装置制造过程中，先于晶圆的一面形成电路后，再对晶圆的非电路形成层进行研磨，使芯片厚度得以进一步缩减，此一技术已成为业界习知的常规制程。
[0005]而进行晶圆研磨制程时，必须将电路形成面先以其它方式先行覆盖，避免于研磨过程中电路受到损伤，故研发出半导体晶圆保护片，于晶圆电路形成面完成后，贴附于半导体晶圆的电路形成面作为保护。
[0006]然而，半导体晶圆的电路形成面上除上述的电路外，亦包含半导体凸块等具较大阶差的凹凸，因此在设计保护片时，若未考虑上述情况，则贴附保护片后可能会出现对贴附面的包覆性不足，使半导体晶圆的非电路形成面进行研磨时晶圆面内应力分布不均，进而造成损伤或破裂；此外，包覆性较差时也会形成研磨片与贴附面间的间隙，使得研磨过程中液体从间隙中渗入造成电路形成面的污染。因此，所欲的保护片在使用时必须具备可良好贴附于半导体晶圆的凹凸表面的特性。
[0007]常见的半导体晶圆保护片结构一般包含三层，即最下层的基材层、作为中间层的软质层、以及最上层的黏着层。其中决定保护片与电路形成面间包覆能力者为软质层，故软质层的材料选择对半导体晶圆保护片的效果有重要影响。为达到良好包覆且贴附于半导体晶圆此一需求，软质层一般使用软化流动性较佳的树脂。本专利技术人研究发现，当使用较常使用的PU系材料于半导体晶圆的软质层时，对线路的包覆性均无法达到要求。因此既有半导体晶圆保护片的软质层所使用的材料，针对复杂凹凸表面及线路的包覆性仍有改善空间。
[0008]于此，遂有针对上述等缺失进行改善的必要性。职是之故，本创作人鉴于上述所衍生的问题进行改良，兹思及创作改良的意念着手研发解决方案，遂经多时的构思而有本创作的产生，以服务社会大众以及促进此业的发展。

技术实现思路

[0009]本专利技术的主要目的在于提供一种半导体晶圆表面保护片，藉由使用本专利技术人所提出的软质层材料，以获得较佳的线路包覆性。
[0010]为达到上述所欲的目的，本专利技术人提出一种半导体晶圆表面保护片，其包含一软质层；及一黏着层，其设置于该软质层之上；其中该软质层含有热塑性聚氨酯系，且符合于25℃下的储存模数(G
25
)为5
×
106～1
×
108dyne/cm2、于70℃下的储存模数(G
70
)为5
×
104～1
×
107dyne/cm2、维卡软化点为60℃～90℃，且于软化点
±
10℃的储存模数与损失模数的比值tan(δ)为0.7～10。
[0011]该软质层于上述各温度的储存模数范围时，将具有较佳的流动性而良好包覆电路，且不会因流动性过高造成溢出沾附、或流动性不足使得弯曲卷收困难。
[0012]本专利技术提供一实施例，其内容在于该热塑性聚氨酯系系由异氰酸酯与多元醇反应生成。
[0013]本专利技术提供一实施例，其内容在于该黏着层的材料包含选自由聚乙烯系弹性体及聚苯乙烯系弹性体所组成的组群中的至少一者。
[0014]本专利技术提供一实施例，其内容在于该黏着层不需经能量束照射处理。
[0015]本专利技术提供一实施例，其内容在于该黏着层透过能量束以硬化并降低黏性。
[0016]本专利技术提供一实施例，其内容在于该软质层下设置一基材层；该基材层选自由聚烯烃层、聚酯层所组成的群组的至少一者所形成的薄膜层。
附图说明
图1：其为本专利技术的半导体晶圆保护片的第一实施例的示意图；图2：其为本专利技术的半导体晶圆保护片的第二实施例的示意图。【图号对照说明】10
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半导体晶圆保护片110
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软质层120
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黏着层210
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基材层
具体实施方式
[0017]为了使本专利技术的结构特征及所达成的功效有更进一步的了解与认识，特用较佳的实施例及配合详细的说明，说明如下：
[0018]有鉴于现有的半导体晶圆保护片材料不足以提供所欲的线路包覆性，且其构造应可进一步简化。据此，本专利技术遂提出一种半导体晶圆保护片，以解决习知技术所造成的问题。
[0019]以下将进一步说明本专利技术的半导体晶圆保护片其包含的特性、所搭配的结构及方法：
[0020]在下文中，将藉由图式来说明本专利技术的各种实施例来详细描述本专利技术。然而本专利技术的概念可能以许多不同型式来体现，且不应解释为限于本文中所阐述的例式性实施例。
[0021]首先，请参阅图1，图1为本专利技术的半导体晶圆保护片的第一实施例的示意图；该半
导体晶圆保护片10包含一软质层110，以及一黏着层120设置于其上。
[0022]该半导体晶圆保护片10的该软质层110含有热塑性聚氨酯系成分，且符合(1)于25℃下的储存模数(G
25
)为5
×
106～1
×
108dyne/cm2；(2)于70℃下的储存模数(G
70
)为5
×
104～1
×
107dyne/cm2；(3)维卡软化点为60℃～90℃，且于软化点
±
10℃的储存模数与损失模数的比值tan(δ)为0.7～10。以下对此三项条件进行说明。
[0023]于条件(1)中，若25℃下的储存模数(G
25
)小于5
×
106dyne/cm2，则在收卷该半导体晶圆保护片10时，该软质层110容易出现变形纹路；而当储存模数(G
25
)大于1
×
108dyne/cm2，则该软质层110的硬挺度将提高，造成收卷该半导体晶圆保护片10时不易弯曲。
[0024]于条件(2)中，若70℃下的储存模数(G
70
)小于5本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种半导体晶圆保护片，其特征在于，其包含:一软质层；及一黏着层，其设置于该软质层之上；其中该软质层含有一热塑性聚氨酯，且符合于25℃下的储存模数(G
25
)为5
×
106～1
×
108dyne/cm2、于70℃下的储存模数(G
70
)为5
×
104～1
×
107dyne/cm2、维卡软化点为60℃～90℃，且于软化点
±
10℃的储存模数与损失模数的比值tan(δ)为0.7～10。2.如权利要求1的半导体晶圆保护片，其特征在于...

【专利技术属性】
技术研发人员：杨允斌，
申请(专利权)人：硕正科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：