用于射频传输的多层布线转接板及其制备方法技术

本发明专利技术提供一种用于射频传输的多层布线转接板及其制备方法，通过在基底的凹槽中制备具有一定金属布线层的第一重新布线结构，而后在基底上制备与TSV柱及第一重新布线结构电连接的第二重新布线结构，从而多层布线转接板划分为布线密集区及布线稀疏区，其中，第一重新布线结构位于布线密集区，且布线密集区中的金属布线层数大于布线稀疏区中的金属布线层数，该多层布线转接板可解决由于多层布线所造成的应力较大的问题所导致的翘曲及分层等质量问题，且可降低工艺难度；进一步还可包括与第一重新布线结构电连接的第一TSV柱，以将芯片信号自基底的第一面直接传输至第二面，从而可缩短信号传输路径。缩短信号传输路径。缩短信号传输路径。

【技术实现步骤摘要】
用于射频传输的多层布线转接板及其制备方法


[0001]本专利技术涉及半导体
，特别是涉及一种用于射频传输的多层布线转接板及其制备方法。

技术介绍

[0002]毫米波射频技术在半导体行业发展迅速，其在高速数据通信、汽车雷达、机载导弹跟踪系统以及空间光谱检测和成像等领域都得到广泛应用。新的应用对产品的电气性能、紧凑结构和系统可靠性都提出了新的要求。对于无线发射和接收系统，目前还不能集成到同一颗芯片上(SOC)，因此需要把不同的芯片如射频单元、滤波器、功率放大器等通过集成的方式集成到一个独立的系统中，以实现发射和接收信号的功能。
[0003]对于绝大多数射频芯片来说，其射频信号的传输因为需要跨层，必须用到多层布线，以通过厚度较大的金属线来匹配电阻。而这种设置对于后面的封装基板的布线挑战性较大，尤其是对于硅基封装转接板，如在做3D封装的过程中，绝大多数公司都在尽量减少硅基转接板表面的布线层数，以减少硅基中由于布线层过多导致的硅基转接板的翘曲。虽然通过增加布线密度可减少布线层数，但是在射频走线特殊的布线设置中，考虑到层间信号间的串扰、插损等问题，往往模组是不能通过增加某些层的布线密度来减少层数的。从而在射频芯片中厚度较大的多层布线，对于尺寸较大、厚度较薄的转接板的制作工艺和后续的微组装工艺都是较大的挑战，同时过多的布线层数还容易出现因应力较大导致的布线层分层(peeling)问题。
[0004]因此，提供一种用于射频传输的多层布线转接板及其制备方法，实属必要。

技术实现思路

[0005]鉴于以上所述现有技术的缺点，本专利技术的目的在于提供一种用于射频传输的多层布线转接板及其制备方法，用于解决现有技术中在制备多层布线转接板时所遇到的上述一系列的质量及工艺的问题。
[0006]为实现上述目的及其他相关目的，本专利技术提供一种用于射频传输的多层布线转接板，所述多层布线转接板包括：
[0007]基底，所述基底包括第一面及对应的第二面，且所述基底中具有TSV柱及凹槽，所述TSV柱贯穿所述基底；
[0008]第一重新布线结构，所述第一重新布线结构位于所述凹槽中；
[0009]第二重新布线结构，所述第二重新布线结构位于所述基底的第一面上，且与所述TSV柱的第一端以及所述第一重新布线结构电连接；
[0010]金属连接件，所述金属连接件位于所述基底的第二面上，且与所述TSV柱的第二端电连接；
[0011]其中，所述多层布线转接板划分为布线密集区及布线稀疏区，所述第一重新布线结构位于所述布线密集区，且所述布线密集区中的金属布线层数大于所述布线稀疏区中的
金属布线层数。
[0012]可选地，还包括第一TSV柱，所述第一TSV柱的第一端与所述第一重新布线结构电连接，且所述第一TSV柱的第二端显露于所述基底的第二面。
[0013]可选地，还包括射频芯片，所述射频芯片位于所述布线密集区，并与所述第二重新布线结构电连接。
[0014]可选地，所述金属连接件包括金属布线或金属凸点。
[0015]可选地，所述凹槽的宽度为1μm～1000μm，所述凹槽的深度为10μm～2000μm。
[0016]本专利技术还提供一种用于射频传输的多层布线转接板的制备方法，包括以下步骤：
[0017]提供基底，所述基底包括第一面及对应的第二面；
[0018]于所述基底中形成TSV柱，所述TSV柱的第一端显露于所述基底的第一面；
[0019]于所述基底中形成凹槽；
[0020]于所述凹槽中形成第一重新布线结构；
[0021]于所述基底的第一面上形成第二重新布线结构，所述第二重新布线结构与所述TSV柱的第一端以及所述第一重新布线结构电连接；
[0022]减薄所述基底，以在所述基底的第二面显露所述TSV柱的第二端；
[0023]于所述基底的第二面上形成金属连接件，且所述金属连接件与所述TSV柱的第二端电连接；
[0024]其中，所述多层布线转接板划分为布线密集区及布线稀疏区，所述第一重新布线结构位于所述布线密集区，且所述布线密集区中的金属布线层数大于所述布线稀疏区中的金属布线层数。
[0025]可选地，在形成所述TSV柱的同时还包括形成第一TSV柱的步骤，且形成所述凹槽后，所述第一TSV柱的第一端显露于所述凹槽，以及在减薄所述基底时，在所述基底的第二面显露所述TSV柱的第二端的同时显露所述第一TSV柱的第二端。
[0026]可选地，还包括提供射频芯片，并将所述射频芯片贴合于所述第二重新布线结构上的步骤，且所述射频芯片位于所述布线密集区，并与所述第二重新布线结构电连接。
[0027]可选地，形成的所述金属连接件包括金属布线或金属凸点。
[0028]可选地，形成的所述凹槽的宽度为1μm～1000μm，形成的所述凹槽的深度为10μm～2000μm；所述基底为晶圆级基底，所述晶圆级基底的尺寸包括4寸～12寸。
[0029]如上所述，本专利技术的用于射频传输的多层布线转接板及其制备方法，通过在基底的凹槽中制备具有一定金属布线层的第一重新布线结构，而后在基底上制备与TSV柱及第一重新布线结构电连接的第二重新布线结构，从而多层布线转接板划分为布线密集区及布线稀疏区，其中，第一重新布线结构位于布线密集区，且布线密集区中的金属布线层数大于布线稀疏区中的金属布线层数，该多层布线转接板可解决由于多层布线所造成的应力较大的问题所导致的翘曲及分层等质量问题，且可降低工艺难度；进一步的由于第一TSV柱的第一端与第一重新布线结构电连接，且第一TSV柱的第二端显露于基底的第二面，从而位于布线密集区的射频芯片可通过电连接的第二重新布线结构、第一重新布线结构及第一TSV柱将信号自基底的第一面直接传输至第二面，从而可缩短信号传输路径。
附图说明
[0030]图1显示为本专利技术实施例一中形成TSV柱后的结构示意图。
[0031]图2显示为本专利技术实施例一中形成凹槽后的结构示意图。
[0032]图3显示为本专利技术实施例一中形成第一绝缘介质层及第一金属布线层后的结构示意图。
[0033]图4显示为本专利技术实施例一中形成第一互联通孔后的结构示意图。
[0034]图5显示为本专利技术实施例一中形成第一重新布线结构后的结构示意图。
[0035]图6显示为本专利技术实施例一中形成第二绝缘介质层后的结构示意图。
[0036]图7显示为本专利技术实施例一中形成第二金属布线层后的结构示意图。
[0037]图8显示为本专利技术实施例一中形成第二互联通孔后的结构示意图。
[0038]图9显示为本专利技术实施例一中形成第二重新布线结构后的结构示意图。
[0039]图10显示为本专利技术实施例一中形成金属连接件后的结构示意图。
[0040]图11显示为本专利技术实施例二中形成TSV柱及第一TSV柱后的结构示意图。
[0041]图12显示为本专利技术实施例二中形成凹槽后的结构示意图。
[0042]图本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种用于射频传输的多层布线转接板，其特征在于，所述多层布线转接板包括：基底，所述基底包括第一面及对应的第二面，且所述基底中具有TSV柱及凹槽，所述TSV柱贯穿所述基底；第一重新布线结构，所述第一重新布线结构位于所述凹槽中；第二重新布线结构，所述第二重新布线结构位于所述基底的第一面上，且与所述TSV柱的第一端以及所述第一重新布线结构电连接；金属连接件，所述金属连接件位于所述基底的第二面上，且与所述TSV柱的第二端电连接；其中，所述多层布线转接板划分为布线密集区及布线稀疏区，所述第一重新布线结构位于所述布线密集区，且所述布线密集区中的金属布线层数大于所述布线稀疏区中的金属布线层数。2.根据权利要求1所述的多层布线转接板，其特征在于：还包括第一TSV柱，所述第一TSV柱的第一端与所述第一重新布线结构电连接，且所述第一TSV柱的第二端显露于所述基底的第二面。3.根据权利要求1所述的多层布线转接板，其特征在于：还包括射频芯片，所述射频芯片位于所述布线密集区，并与所述第二重新布线结构电连接。4.根据权利要求1所述的多层布线转接板，其特征在于：所述金属连接件包括金属布线或金属凸点。5.根据权利要求1所述的多层布线转接板，其特征在于：所述凹槽的宽度为1μm～1000μm，所述凹槽的深度为10μm～2000μm。6.一种用于射频传输的多层布线转接板的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：提供基底，所述基底包括第一面及对应的第二面；于所述基底中形成TSV柱，所述TSV柱的第一端显露于所述基底的第一...

【专利技术属性】
技术研发人员：冯光建，黄雷，郭西，高群，顾毛毛，
申请(专利权)人：浙江集迈科微电子有限公司，
类型：发明
国别省市：