扫描方向控制电路和显示装置制造方法及图纸

一种扫描方向控制电路，包括：　　　　双向移位寄存器（１２），由与时钟信号同步工作的多个触发器（Ｆ１～Ｆ６）构成，并且可对应切换信号双向切换；　　　　电平移动器（１５、１５ａ），将振幅比所述双向移位寄存器（１２）的驱动电压更小的所述切换信号的振幅升压；　　　　锁存电路（１６、１６ａ），保持升压的所述切换信号的信号电平；　　　　控制电路（１７、１７ａ、１７ｂ），使用所述多个触发器（Ｆ１～Ｆ６）的输出信号使所述锁存电路（１６、１６ａ）执行锁存工作的同时，控制所述电平移动器（１５、１５ａ）的工作。（*该技术在2023年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及适合于在矩阵型显示装置的扫描信号线驱动电路和数据信号线驱动电路等中使用的扫描方向控制电路和包括该扫描方向控制电路的显示装置。
技术介绍
上述矩阵型显示装置的扫描信号线驱动电路和数据信号线驱动电路中，为生成对各扫描信号线提供的扫描信号或取得从影像信号采样向各数据信号线提供的电压时的定时，广泛应用移位寄存器。并且，近年来，如录像机、数码相机的监视屏所代表的那样，可显示对应图像显示部的方向反向显示图像的上下和左右的镜像的装置也实用化了。这样，在可反向显示图像的显示装置中，作为上述移位寄存器，使用可切换数据的移位方向的双向移位寄存器。通过使用该双向移位寄存器，仅借助切换移位方向，不需要存储上述影像信号就可以显示上述镜像。另一方面，电子电路的功耗与频率、负载电容和电压的2次方成比例增大。因此，生成对显示装置的影像信号的电路等的连接该显示装置的周边电路、该显示装置自身为降低功耗也有将驱动电压设置得更低的倾向。但是，为确保宽大的显示面积，在不仅将像素区域的电路、还将扫描信号线驱动电路和数据信号线驱动电路等的驱动电路单片集成地形成在同一衬底上的显示装置中，尤其是在用多晶硅薄膜晶体管形成上述扫描信号线驱动电路和数据信号线驱动电路的显示装置中，在衬底间或同一衬底内阈值电压的差别到达数V左右，因此难以充分降低驱动电压。因此，如上述影像信号的生成电路等那样，在使用单晶硅晶体管、输入来自将驱动电压设定在3.3V、5V或其以下的值的电路的信号的上述扫描信号线驱动电路和数据信号线驱动电路中，设置施加比移位寄存器的驱动电压更低的输入信号、升压该输入信号的电平移动器。具体说，如图21的扫描方向控制电路1所示，向例如6个触发器f1～f6和12个模拟开关a1～a6、b1～b6构成的双向移位寄存器2(下面简称移位寄存器2)提供例如上述5V左右的振幅的时钟信号CK、开始信号SP、移位方向的切换信号L/R时，电平移动器3～5将各个信号升压到作为移位寄存器2的驱动电压的例如15V。通过电平移动器5升压的切换信号L/R和用反相器电路6反向了该切换信号L/R的信号，切换对触发器f1～f6的输入的模拟开关a1～a6和b1～b6进行相反工作，与上述时钟信号CK同步地渐渐移位上述开始信号SP，可将该移位方向切换为f1、f2、...、f6和f6、f5、...、f1。图22和图23是表示一般的电平移动器的具体结构例子的电路图。图22的电平移动器包括NMOS晶体管qn1、qn2、PMOS晶体管qp1～qp4和反相器电路inv。并且，PMOS晶体管qp1、qp2和NMOS晶体管qn1串联插入在高电平VDD的电源线和接地电平的电源线之间，同样，PMOS晶体管qp3、qp4和NMOS晶体管qn2串联插入在上述电源线之间。向PMOS晶体管qp2和NMOS晶体管qn1的栅极端子提供输入信号IN，将上述输入信号IN用反相器电路inv反向并提供给PMOS晶体管qp4和NMOS晶体管qn2的栅极端子，PMOS晶体管qp2和NMOS晶体管qn1的漏极端子连接PMOS晶体管qp3的栅极端子，PMOS晶体管qp4和NMOS晶体管qn2的漏极端子连接PMOS晶体管qp1的栅极端子，同时成为输出端子，输出输出信号OUT。因此，输入信号IN为高电平时，NMOS晶体管qn1导通，PMOS晶体管qp3导通，PMOS晶体管qp4导通，NMOS晶体管qn2截止，PMOS晶体管qp1截止，输出信号OUT为高电平(VDD)。这样，与低振幅的输入信号IN同相地输出电平移动到VDD的输出信号OUT。为使该图22的电平移动器工作，输入信号IN的电压电平需要为比NMOS晶体管qn1、qn2的阈值电压大一定程度的电平，由于小于阈值电压或接近阈值电压，出现不能工作，或输出信号OUT的延迟时间非常大的问题。然而，上述PMOS晶体管qp1、qp2和NMOS晶体管qn1的串联电路以及PMOS晶体管qp3、qp4和NMOS晶体管qn2的串联电路中，由于几个元件截止，电平移动部不流过恒定电流，可构成低功耗的系统。另一方面，图23的电平移动器包括NMOS晶体管qn11～qn14和PMOS晶体管qp11～qp14。并且，栅极端子连接接地电位的PMOS晶体管qp11和连接二极管的NMOS晶体管qn11串联插入在高电平VDD的电源线和接地电平的电源线之间。栅极端子连接接地电位的PMOS晶体管qp12和与上述NMOS晶体管qn11构成电流镜面电路的NMOS晶体管qn12串联插入在上述高电平VDD的电源线和输入端子之间。来自上述PMOS晶体管qp12和上述NMOS晶体管qn12的漏极端子的输出由PMOS晶体管qp13和NMOS晶体管qn13构成的CMOS反相器反向，再由PMOS晶体管qp14和NMOS晶体管qn14构成的CMOS反相器反向后输出。上述结构中，PMOS晶体管qp11和上述NMOS晶体管qn11中一直流过恒定电流，该恒定电流流过PMOS晶体管qp12和NMOS晶体管qn12。由此，生成规定的栅极电压，PMOS晶体管qp11和上述NMOS晶体管qn11工作。对应输入信号IN改变PMOS晶体管qp12的源极-栅极间电压，改变PMOS晶体管qp13和NMOS晶体管qn13的栅极电压。伴随此，PMOS晶体管qp13和NMOS晶体管qn13构成的CMOS反相器和PMOS晶体管qp14和NMOS晶体管qn14构成的CMOS反相器工作，电平移动低振幅的输入信号IN，作为输出信号OUT输出。为使如该图23所示构成的电平移动器工作，输入信号IN的电压电平不需要为比晶体管的阈值电压大一定程度的电平，替代其的是，电平移动部一直流过恒定电流，有功耗增加的问题。一般地，使用单晶硅晶体管的电路中，由于晶体管的阈值电压小到某程度，多使用图22的电平移动器，使用多晶硅晶体管的电路中，由于晶体管的阈值电压大到某程度，多使用图23的电平移动器，用作上述扫描信号线驱动电路和数据信号线驱动电路的图21的扫描方向控制电路1中，使用多晶硅薄膜晶体管的情况下，如上所述，使用图23的电平移动器。但是，对于像上述时钟信号CLK和移位开始信号SP那样频繁变化的信号，除恒定电流外，通过电路工作产生功耗，其功耗占主导，因此使用图23的电平移动器没有问题，然而，对于几乎没有变化的切换双向移位寄存器2的移位方向的切换信号，上述功耗成为了问题。切换双向移位寄存器2的移位方向时，移位寄存器2的移位工作结束，到重新向该移位寄存器2提供开始信号SP之前的期间中，需要改变切换信号。这是由于移位寄存器2的信号移位中改变了切换信号时，构成该移位寄存器2的触发器f1～f6之间某个地方由于输入输出短路而产生过电流，可能在移位工作中产生误工作。另外，装载该移位寄存器2的显示装置的情况下，例如扫描信号线驱动电路中，在移位寄存器的移位途中改变切换信号时，也可能产生上述问题，出现了产生在画面中途改变扫描方向、不能显示正常图像的期间的问题。针对这些问题，为按规定定时提供切换信号，需要构成一种逻辑电路，无论何时切换信号产生变化，在移位寄存器的信号移位工作结束后到输入开始信号的期间都输入信号。
技术实现思路
本专利技术考虑上述问题而作出，其目的是提供一种扫描方向控制电路和包括其的显示装置，按规定本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：业天诚二郎，辻野幸生，鹫尾一，松田英二，伊奈惠一，村上祐一郎，林俊辅，恩田卫，
申请(专利权)人：夏普株式会社，
类型：发明
国别省市：