树脂膜、覆金属层叠板及电路基板制造技术

本发明专利技术提供一种即便在高频信号的传输中也能减少传输损耗且尺寸稳定性优异的树脂膜、覆金属层叠板及电路基板。树脂膜(A)包括：液晶聚合物层(L)；第一粘接剂层(B1)，层叠于液晶聚合物层(L)的单侧；以及第二粘接剂层(B2)，层叠于液晶聚合物层(L)的与第一粘接剂层(B1)相反的一侧。第一粘接剂层(B1)及第二粘接剂层(B2)的50℃下的储存弹性模量分别独立地为1800MPa以下，180℃～260℃下的储存弹性模量的最大值为800MPa以下。树脂膜整体的10GHz下的介电损耗正切优选为0.005以下。耗正切优选为0.005以下。耗正切优选为0.005以下。

【技术实现步骤摘要】
树脂膜、覆金属层叠板及电路基板


[0001]本专利技术涉及一种例如有效用作电路基板材料的树脂膜、使用其的覆金属层叠板及电路基板。

技术介绍

[0002]近年来，伴随电子设备的小型化、轻量化、省空间化的进展，薄且轻量、具有可挠性并且即便反复弯曲也具有优异的耐久性的柔性印刷布线板(Flexible Printed Circuits，FPC)的需要增大。FPC即便在有限的空间中也能实现立体且高密度的安装，因此，例如在硬盘驱动器(Hard Disk Drive，HDD)、数字视频光盘(Digital Video Disk，DVD)、智能手机等电子设备的可动部分的布线或电缆、连接器等零件中其用途正逐渐扩大。
[0003]除高密度化以外，设备的高性能化得到推进，因此也必须应对传输信号的高频化。在传输高频信号时，在传输路径中的传输损耗大的情况下，产生电信号的损失或信号的延迟时间变长等不良情况。因此，今后在FPC中，传输损耗的减少也变得重要。为了应对高频信号传输，而研究有：将作为FPC材料的、吸湿性低、低介电常数、低介电损耗正切的液晶聚合物设为介电层。
[0004]液晶聚合物虽然介电特性优异，但是热特性或尺寸稳定性有改善的余地。为了改善这些特性，提出有在聚酰亚胺层的两面上设置有液晶聚合物层的树脂膜(例如，专利文献1)。然而，液晶聚合物层与金属箔的粘接性有改善的余地，为了获得充分的粘接性，而需要使用表面粗糙度大的金属箔。所述情况下，有传输损耗变大的担忧。另外，提出有在液晶聚合物层上设置有聚酰亚胺层的树脂膜(例如，专利文献2)。然而，在将聚酰亚胺膜与液晶聚合物膜粘接时，需要利用等离子体处理进行的表面粗糙化，制造工序变得复杂，或者为了抑制树脂膜的卷曲，需要选择热膨胀系数的差小的聚酰亚胺膜与液晶聚合物膜，存在可应用的材料受到制约的问题。
[0005][现有技术文献][0006][专利文献][0007][专利文献1]日本专利特开2016
‑
117281号公报
[0008][专利文献2]日本专利特开2015
‑
74157号公报

技术实现思路

[0009][专利技术所要解决的问题][0010]本专利技术的目的为提供一种即便在高频信号的传输中也能减少传输损耗且尺寸稳定性优异的树脂膜、覆金属层叠板及电路基板。
[0011][解决问题的技术手段][0012]本专利技术者们进行努力研究，结果发现，通过制成用具有规定的储存弹性模量的粘接剂层夹持液晶聚合物层的夹层结构的树脂膜，可解决所述课题，从而完成了本专利技术。
[0013]本专利技术的树脂膜包括：液晶聚合物层；第一粘接剂层，层叠于所述液晶聚合物层的
单侧；以及第二粘接剂层，层叠于所述液晶聚合物层的与所述第一粘接剂层相反的一侧。
[0014]本专利技术的树脂膜所述第一粘接剂层及所述第二粘接剂层的50℃下的储存弹性模量分别独立地为1800MPa以下，180℃～260℃下的储存弹性模量的最大值分别独立地为800MPa以下。
[0015]本专利技术的树脂膜中，树脂膜整体的10GHz下的介电损耗正切可为0.005以下。
[0016]在本专利技术的树脂膜中，所述第一粘接剂层及所述第二粘接剂层的玻璃化转变温度(Tg)分别可为180℃以下。
[0017]本专利技术的树脂膜中，所述第一粘接剂层及所述第二粘接剂层可含有聚酰亚胺作为树脂成分。所述情况下，所述聚酰亚胺可含有由四羧酸酐成分衍生的酸酐残基及由二胺成分衍生的二胺残基，并且相对于全部二胺残基而含有50摩尔％以上的由二聚酸的两个末端羧酸基被一级氨基甲基或氨基取代而成的源自二聚酸的二胺衍生的二胺残基。
[0018]本专利技术的树脂膜可在将所述液晶聚合物层的厚度设为TL、将所述第一粘接剂层的厚度设为TB1、将所述第二粘接剂层的厚度设为TB2时，具有以下关系。
[0019]0.15≦(TB1+TB2)/(TL+TB1+TB2)≦0.70
[0020]本专利技术的覆金属层叠板包括：第一单面覆金属层叠板，具有第一金属层与层叠于所述第一金属层的至少单侧的面上的第一绝缘树脂层；
[0021]第二单面覆金属层叠板，具有第二金属层与层叠于所述第二金属层的至少单侧的面上的第二绝缘树脂层；以及
[0022]中间树脂层，以与所述第一绝缘树脂层及所述第二绝缘树脂层抵接的方式配置，并层叠于所述第一单面覆金属层叠板与所述第二单面覆金属层叠板之间。
[0023]而且，本专利技术的覆金属层叠板所述中间树脂层包含所述任一树脂膜。
[0024]本专利技术的覆金属层叠板中，所述第一绝缘树脂层、所述中间树脂层及所述第二绝缘树脂层的合计厚度T1可为50μm～500μm的范围内，且所述中间树脂层的厚度T2相对于所述合计厚度T1的比率(T2/T1)可为0.50～0.90的范围内。
[0025]在本专利技术的覆金属层叠板中，所述第一绝缘树脂层及所述第二绝缘树脂层均可具有依序层叠热塑性聚酰亚胺层、非热塑性聚酰亚胺层及热塑性聚酰亚胺层而成的多层结构，所述中间树脂层可与两个所述热塑性聚酰亚胺层相接设置。
[0026]在本专利技术的覆金属层叠板中，构成所述非热塑性聚酰亚胺层的非热塑性聚酰亚胺包含四羧酸残基及二胺残基，相对于全部二胺残基的100摩尔份，由下述通式(A1)所表示的二胺化合物衍生的二胺残基的含量可为80摩尔份以上。
[0027][化1][0028][0029]在式(A1)中，连结基Z表示单键或
‑
COO
‑
，Y独立地表示可经卤素原子或苯基取代的碳数1～3的一价烃基、或者碳数1～3的烷氧基或碳数1～3的全氟烷基或烯基，n表示0～2的整数，p及q独立地表示0～4的整数。
[0030]本专利技术的电路基板包括：第一电路基板，具有第一布线层与层叠于所述第一布线层的至少单侧的面上的第一绝缘树脂层；
[0031]第二电路基板，具有第二布线层与层叠于所述第二布线层的至少单侧的面上的第二绝缘树脂层；以及
[0032]中间树脂层，以与所述第一绝缘树脂层及所述第二绝缘树脂层抵接的方式配置，并层叠于所述第一电路基板与所述第二电路基板之间。
[0033]而且，本专利技术的电路基板所述中间树脂层包含所述任一树脂膜。
[0034][专利技术的效果][0035]本专利技术的树脂膜含有用具有规定的储存弹性模量的粘接剂层夹持液晶聚合物层的夹层结构，因此介电特性及尺寸稳定性优异。因此，在使用本专利技术的树脂膜的电路基板中，能减少高频信号传输时的传输损耗，且可确保尺寸稳定性。
[0036]另外，本专利技术的覆金属层叠板是介在所述树脂膜而将两个单面覆金属层叠板贴合而成的结构，因此能增大绝缘树脂层的厚度，能减少高频信号传输时的传输损耗，而且尺寸稳定性优异。
[0037]因此，通过使用本专利技术的树脂膜或覆金属层叠板，能应对电路基板中的高频化，也可实现可靠性及良率的提高。
附图说明
[0038]图1是表示本专利技术的一实施方式的树脂膜的剖面结构的示意图。
本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种树脂膜，其特征在于，包括：液晶聚合物层；第一粘接剂层，层叠于所述液晶聚合物层的单侧；以及第二粘接剂层，层叠于所述液晶聚合物层的与所述第一粘接剂层相反的一侧，其中，所述第一粘接剂层及所述第二粘接剂层的50℃下的储存弹性模量分别独立地为1800MPa以下，180℃～260℃下的储存弹性模量的最大值分别独立地为800MPa以下。2.根据权利要求1所述的树脂膜，其中，树脂膜整体的10GHz下的介电损耗正切为0.005以下。3.根据权利要求1所述的树脂膜，其中，所述第一粘接剂层及所述第二粘接剂层的玻璃化转变温度分别为180℃以下。4.根据权利要求1所述的树脂膜，其中，所述第一粘接剂层及所述第二粘接剂层含有聚酰亚胺作为树脂成分，所述聚酰亚胺含有由四羧酸酐成分衍生的酸酐残基及由二胺成分衍生的二胺残基，并且相对于全部二胺残基而含有50摩尔％以上的由二聚酸的两个末端羧酸基被一级氨基甲基或氨基取代而成的源自二聚酸的二胺衍生的二胺残基。5.根据权利要求1所述的树脂膜，其中，在将所述液晶聚合物层的厚度设为TL、将所述第一粘接剂层的厚度设为TB1、将所述第二粘接剂层的厚度设为TB2时，具有以下关系；0.15≦(TB1+TB2)/(TL+TB1+TB2)≦0.70。6.一种覆金属层叠板，其特征在于，包括：第一单面覆金属层叠板，具有第一金属层与层叠于所述第一金属层的至少单侧的面上的第一绝缘树脂层；第二单面覆金属层叠板，具有第二金属层与层叠于所述第二金属层的至少单侧的面上的第二绝缘树脂层；以及中间树脂层，以与所述第一绝缘树脂层及所述第二绝缘树脂层抵接的方式配置，并层叠于所述第一单面覆金属层叠板与所述第二单面覆金属层叠板之间...

【专利技术属性】
技术研发人员：铃木智之，
申请(专利权)人：日铁化学材料株式会社，
类型：发明
国别省市：