封装结构及其形成方法技术

示例性结构包括：第一半导体器件，通过第一导电连接件接合至第一再分布结构的第一侧；第一半导体器件包括形成在第一衬底上的第一多个无源元件，第一再分布结构包括其中具有金属化图案的多个介电层，第一再分布结构的金属化图案电耦接至第一多个无源元件；第二半导体器件，通过第二导电连接件接合至第一再分布结构的第二侧，第一再分布结构的第二侧与第一再分布结构的第一侧相对，第二半导体器件包括形成在第二衬底上的第二多个无源元件，第一再分布结构的金属化图案电耦接至第二多个无源元件。本申请的实施例还涉及封装结构及其形成方法。法。法。

【技术实现步骤摘要】
封装结构及其形成方法


[0001]本申请的实施例涉及封装结构及其形成方法。

技术介绍

[0002]半导体器件用于各种电子应用中，诸如例如，个人计算机、手机、数码相机和其它电子设备。半导体器件通常通过在半导体衬底上方依次沉积材料的绝缘层或介电层、导电层和半导体层并且使用光刻和蚀刻工艺图案化各个材料层以在它们上形成电路组件和元件来制造。
[0003]半导体工业通过不断减小最小部件尺寸来不断提高各个电子组件(例如，晶体管、二极管、电阻器、电容器等)的集成密度，这允许更多的组件集成至给定区域中。但是，随着最小部件尺寸的减小，在使用的工艺中的每个中出现额外的问题，并且这些额外的问题应得到解决。

技术实现思路

[0004]本申请的一些实施例提供了一种封装结构，包括：第一半导体器件，通过第一导电连接件接合至第一再分布结构的第一侧，所述第一半导体器件包括形成在第一衬底上的第一多个无源元件，所述第一再分布结构包括其中具有金属化图案的多个介电层，所述第一再分布结构的所述金属化图案电耦接至所述第一多个无源元件；第一电连接件，位于所述第一再分布结构的第一侧上，所述第一电连接件与所述第一半导体器件间隔开；第一密封剂，位于所述第一半导体器件和所述第一电连接件的侧壁上；第二半导体器件，通过第二导电连接件接合至所述第一再分布结构的第二侧，所述第一再分布结构的第二侧与所述第一再分布结构的第一侧相对，所述第二半导体器件包括形成在第二衬底上的第二多个无源元件，所述第一再分布结构的所述金属化图案电耦接至所述第二多个无源元件；第二电连接件，位于所述第一再分布结构的第二侧上，所述第二电连接件与所述第二半导体器件间隔开；以及第二密封剂，位于所述第二半导体器件和所述第二电连接件的侧壁上。
[0005]本申请的另一些实施例提供了一种封装结构，包括：第一无源封装件，包括：第一封装组件，包括第一无源管芯、第二无源管芯、第一再分布结构和第一电连接件，所述第一无源管芯和所述第二无源管芯接合至第一再分布结构的相对侧；第二封装组件，接合至所述第一封装组件，所述第二封装组件包括第三无源管芯、第四无源管芯、第二再分布结构、第二电连接件和第三电连接件，所述第三无源管芯和所述第四无源管芯接合至所述第二再分布结构的相对侧，所述第二电连接件通过所述第一焊料凸块接合至所述第一电连接件；以及第三封装组件，接合至所述第二封装组件，所述第三封装组件包括第五无源管芯、第三再分布结构和第四电连接件，所述第五无源管芯接合至所述第三再分布结构的第一侧，所述第四电连接件通过第二焊料凸块接合至所述第三电连接件，所述第一再分布结构、第二再分布结构和第三再分布结构中的每个包括其中具有金属化图案的多个介电层，所述第一无源管芯、第二无源管芯、第三无源管芯、第四无源管芯和第五无源管芯中的每个包括多个
无源器件；第一集成电路封装件，包括至少一个集成电路管芯，所述至少一个集成电路管芯包括多个有源器件；第一密封剂，至少横向密封所述第一无源封装件和所述第一集成电路封装件；以及第四再分布结构，位于所述第一密封剂、所述第一集成电路封装件和所述第一无源封装件上，所述第四再分布结构包括其中具有金属化图案的多个介电层，所述第四再分布结构的所述金属化图案电耦接至所述第一集成电路封装件和所述第一无源封装件。
[0006]本申请的又一些实施例提供了一种形成封装结构的方法，包括：形成第一封装组件，包括：在第一载体衬底上方形成第一再分布结构，所述第一再分布结构包括其中具有金属化图案的多个介电层；将第一半导体器件接合至所述第一再分布结构，所述第一半导体器件包括第一多个无源元件；在所述第一再分布结构上方形成第一电连接件；用第一密封剂密封所述第一半导体器件和所述第一电连接件；去除所述第一载体衬底；将所述第一密封剂附接至第二载体衬底；将第二半导体器件接合至所述第一再分布结构，所述第二半导体器件包括第二多个无源元件，所述第二半导体器件和所述第一半导体器件接合至所述第一再分布结构的相对侧；在所述第一再分布结构上方形成第二电连接件；用第二密封剂密封所述第二半导体器件和所述第二电连接件；以及去除所述第二载体衬底；形成第二封装组件，包括：在第三载体衬底上方形成第二再分布结构，所述第二再分布结构包括其中具有金属化图案的多个介电层；将第三半导体器件接合至所述第二再分布结构，所述第三半导体器件包括第三多个无源元件；在所述第二再分布结构上方形成第三电连接件；以及用第三密封剂密封所述第三半导体器件和所述第三电连接件；用第一组导电连接件将所述第一封装组件接合至第二封装组件，所述第一组导电连接件中的至少一个电接触所述第一电连接件和所述第二电连接件；在所述第一封装组件和所述第二封装组件之间形成第一底部填充物，所述第一底部填充物围绕所述第一组导电连接件；去除所述第三载体衬底；以及在所述第二再分布结构上形成第二组导电连接件，所述第二组导电连接件位于所述第二再分布结构的与所述第三半导体器件相对的侧上。
附图说明
[0007]当结合附图进行阅读时，从以下详细描述可最佳理解本专利技术的各个方面。应该指出，根据工业中的标准实践，各个部件未按比例绘制。实际上，为了清楚的讨论，各个部件的尺寸可以任意地增大或减小。
[0008]图1至图6示出了根据一些实施例的半导体器件的制造的各个中间阶段的截面图。
[0009]图7至图22示出了根据一些实施例的半导体封装件的制造的各个中间阶段的截面图。
[0010]图23至图35示出了根据一些实施例的半导体封装件的制造的各个中间阶段的截面图。
[0011]图36至图44示出了根据一些实施例的封装件的制造的各个中间阶段的截面图。
[0012]图45至图51示出了根据一些实施例的封装件的制造的各个中间阶段的截面图。
具体实施方式
[0013]以下公开内容提供了许多用于实现本专利技术的不同特征的不同实施例或实例。下面描述了组件和布置的具体实例以简化本专利技术。当然，这些仅仅是实例，而不旨在限制本发
明。例如，以下描述中，在第二部件上方或上形成第一部件可以包括第一部件和第二部件直接接触形成的实施例，并且也可以包括在第一部件和第二部件之间可以形成额外的部件，从而使得第一部件和第二部件可以不直接接触的实施例。此外，本专利技术可在各个实例中重复参考标号和/或字符。该重复是为了简单和清楚的目的，并且其本身不指示所讨论的各个实施例和/或配置之间的关系。
[0014]而且，为了便于描述，在此可以使用诸如“在
…
之下”、“在
…
下方”、“下部”、“在
…
之上”、“上部”等空间相对术语，以描述如图所示的一个元件或部件与另一个(或另一些)元件或部件的关系。除了图中所示的方位外，空间相对术语旨在包括器件在使用或操作中的不同方位。器件可以以其它方式定向(旋转90度或在其它方位上)，而本文使用的空间相对描述符可以同样地作出相应的解释。
[0015]可以在具体的上下文中讨论本文讨论的实施例，即具有垂直堆叠并且连接以有效地形成更大的半导体器件的一个或本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种封装结构，包括：第一半导体器件，通过第一导电连接件接合至第一再分布结构的第一侧，所述第一半导体器件包括形成在第一衬底上的第一多个无源元件，所述第一再分布结构包括其中具有金属化图案的多个介电层，所述第一再分布结构的所述金属化图案电耦接至所述第一多个无源元件；第一电连接件，位于所述第一再分布结构的第一侧上，所述第一电连接件与所述第一半导体器件间隔开；第一密封剂，位于所述第一半导体器件和所述第一电连接件的侧壁上；第二半导体器件，通过第二导电连接件接合至所述第一再分布结构的第二侧，所述第一再分布结构的第二侧与所述第一再分布结构的第一侧相对，所述第二半导体器件包括形成在第二衬底上的第二多个无源元件，所述第一再分布结构的所述金属化图案电耦接至所述第二多个无源元件；第二电连接件，位于所述第一再分布结构的第二侧上，所述第二电连接件与所述第二半导体器件间隔开；以及第二密封剂，位于所述第二半导体器件和所述第二电连接件的侧壁上。2.根据权利要求1所述的封装结构，其中，所述第一多个无源元件是并联电耦接在一起的第一多个深沟槽电容器。3.根据权利要求1所述的封装结构，其中，所述第一多个无源元件是第一多个深沟槽电容器，并且其中，所述第二多个无源元件是第二多个深沟槽电容器，所述第一多个深沟槽电容器和所述第二多个深沟槽电容器并联电耦接在一起。4.根据权利要求1所述的封装结构，其中，所述第一导电连接件包括焊料凸块，其中，所述第一电连接件包括焊料凸块，其中，所述第一电连接件的焊料凸块大于所述第一导电连接件的焊料凸块中的每个。5.根据权利要求1所述的封装结构，还包括：第三半导体器件，通过第三导电连接件接合至第二再分布结构的第一侧，所述第三半导体器件包括形成在第三衬底上的第三多个无源元件，所述第二再分布结构包括其中具有金属化图案的多个介电层，所述第二再分布结构的所述金属化图案电耦接至所述第三多个无源元件，所述第二再分布结构的第一侧面向所述第一再分布结构的第二侧；第三电连接件，位于所述第二再分布结构的第一侧上，所述第三电连接件与所述第三半导体器件间隔开，所述第三电连接件接合至具有第一焊料凸块的所述第二电连接件；以及第三密封剂，位于所述第三半导体器件和所述第三电连接件的侧壁上。6.根据权利要求5所述的封装结构，还包括：第一底部填充物，位于所述第二密封剂和所述第三密封剂之间并且接触所述第二密封剂和所述第三密封剂，所述第一底部填充物围绕所述第一焊料凸块。7.根据权利要求1所述的封装结构，其中，所述第一导电连接件包括焊料凸块，其中，所述第一电连接件包括焊料凸块，其中，所述第一电连接件的焊料凸块大于所述第一导电连接件的焊料凸块中的每个。8.根据权利要求1所述的封装结构，其中，所述第一电连接件包括延伸穿过所述第一密
封剂的焊料凸块，并且其中，所述第二电连接件包括延伸穿过所述第二密封剂的导电柱。9.一种封装结构，包括：第一无源封装件，包括：第一封装组件，包括第一无源管芯、第二无源管芯、第一再分...

【专利技术属性】
技术研发人员：郑心圃，翁得期，庄博尧，陈硕懋，周孟纬，
申请(专利权)人：台湾积体电路制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：