本发明专利技术的显示装置，在对应于ＲＧＢ像素电极的像素电极（Ⅰ、Ⅱ、Ⅲ）上，连接有通过栅极线（Ｇ）成为开启状态的ＴＦＴ，此外，将连接在透明像素电极（Ⅱ、Ⅲ）上的ＴＦＴ的漏电极和源电极连接。像素电极（Ⅰ）在栅极线（Ｇ１ａ）是开启的状态下被写入信号电压，像素电极（Ⅱ）在栅极线（Ｇ１ｂ）是开启的状态下被写入信号电压，像素电极（Ⅲ）在栅极线（Ｇ１ａ）和栅极线（Ｇ１ｂ）都开启的状态下被写入信号电压。写入的顺序为像素电极（Ⅲ）、像素电极（Ⅰ）、像素电极（Ⅱ）。
【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及在具备以矩阵状配置的多个像素的显示装置中、特别是 液晶显示装置中被分时驱动的像素电极的结构。
技术介绍
近年来，在各种显示装置中，特别是液晶显示装置不论大型小型， 其利用都飞速扩大。在一般的液晶显示装置中，以矩阵状配置的多个像 素的驱动是选择驱动多个扫描线(栅极线)中的1个扫描线、并从多根 信号线(数据线)对各像素供给信号电压。即，利用1个扫描线和1个 信号线控制1个像素。在日本专利文献特开平5-188395号公报中，记载了如下的液晶显示 元件，在该液晶显示元件中，在1个信号线上连接两个像素，两个像素 中的一个像素被1个栅极线控制，另一个像素被与控制一个像素的栅极 线相邻的栅极线控制，由此将信号线数削减为1/2。此外，在日本专利文献特开平5-265045号公报中，记载了如下的液 晶显示装置，在该液晶显示装置中，对由相邻的两个栅极线控制的两个 像素从1根信号线分时供给信号电压，由此将信号线数削减为1/2。在上述日本专利文献特开平5-188395号公报中，由于在由两个TFT 元件控制的像素内需要进行用来传送栅极信号及信号电压的布线，所以 开口率降低。此外，在上述日本专利文献特开平5-265045号公报中，在从1个信号线向两个像素供给信号的情况下，栅极线的根数也增加，所以开口率降低。这些日本专利文献特开平5-188395号公报及日本专利文 献特开平5-265045号公报记载的技术，都从1个信号线向两个像素供给 信号电压，所以只能处理2分割驱动。因而，在使用产品化不断发展的3 分割驱动(RGB分时驱动用)用的LSI (从1个信号线分时输出RGB各 自的信号电压的LSI)的情况下，电路结构变复杂。
技术实现思路
本专利技术的特征是使相邻的两个栅极线的选择状态(开启关闭状态) 不同，从1个信号线向3个像素供给信号电压。即，如果设栅极线为a、 b，则3个像素中的l个仅通过栅极线a成为选择状态，另一个像素仅通 过栅极线b成为选择状态，最后的像素在栅极线a、 b都开启时成为选择 状态。此外，在经由连接在3个像素上的TFT从信号线供给信号电压的情 况下，经由信号电压的供给路径使用像素电极。以上，根据本专利技术，发挥以下(1)到(7)的效果。(1) 由于能够削减信号线的数量，所以开口率提高。(2) 由于对像素需要的布线数变少，所以能够实现高精细面板。(3) 由于能够削减信号线的数量，所以能够削减周边电路的端子数， 能够削减成本。同时，由于连接数减少，所以能够削减故障发生量。(4) 由于能够从1根信号线对3个像素分配信号电压，所以能够挪 用RGB分时用的LSI，能够抑制成本。(5) 在将信号电压在像素内传送的情况下，由于能够使用透明像素 电极，所以能够不降低开口率而实现高精细面板。(6) 如果是相同的布线数，则能够增加像素数而提高精细度。(7) 如果是相同的像素数，则能够减少布线数而提高开口率。附图说明6图1是本专利技术的显示装置的实施例1的像素结构图。图2是图1的时间图。图3是本专利技术的实施例2的像素结构图。图4是图3的时间图。图5是本专利技术的实施例3的像素结构图。图6是图5的时间图。图7是本专利技术的实施例4的像素结构图。图8是图7的时间图。图9是表示滤色器的配置例的图。图10是本专利技术的实施例5的像素结构图。图11是图IO的时间图。图12是本专利技术的实施例6的像素结构图。图13是图12的时间图。图14是表示图12的滤色器的配置例的图。图15是本专利技术的实施例7的像素结构图。图16是图15的时间图。具体实施例方式以下，利用附图说明本专利技术的实施例。实施例1图1是本专利技术的显示装置的像素结构图，图2是表示其驱动方法的 时间图。在本实施例中，如图l、图2所示，通过两个栅极线和l个信号 线对3个像素分配信号电压。在图1中，多个Gla、 Glb、 G2a、 G2b、 表示栅极线G，与该栅极线G交叉的多个D1、 D2……表示信号线D。此夕卜，I、 II、 III是配 置在栅极线G与信号线D的交叉部的透明像素电极，这些透明像素电极 I、 II、 III成为1个基本结构的像素11。该基本结构的像素11纵横以矩 阵状排列在显示面板的薄膜晶体管(TFT)基板12上。另外，在透明像素电极i、 n、 in内所示的()表示基本结构的像素的(行，列)。 在透明像素电极i、 n、 m上，连接有分别驱动透明像素电极i、 ii、III的TFT，连接于透明像素电极I、 m上的TFT的栅电极连接在前面的 栅极线上，连接于透明像素电极II上的TFT的栅电极连接在下一个栅极 线上。此外，连接于透明像素电极II、 III上的TFT的漏电极(或源电极) 与源电极(或漏电极)通过布线连接。另夕卜，虽然没有图示，但TFT基 板12上的夹持液晶层的滤色器基板与TFT基板12相对置地配置。扫描电路13依次选择栅极线Gl、 G2……。对应于该选择的栅极线 G，从影像信号生成电路14对各信号线D分时输出3个信号电压如RGB 信号电压。在图2中，Gla、 Glb、 G2a、 G2b的波形表示栅极线Gl、 G2的栅 极电压，High电平表示TFT开启状态，Low电平表示关闭状态。将1电 平期间(1H)分时为Tl、 T2、 T3的3个期间，在各个期间中将信号电 压写入到透明像素电极I、 II、 III的电容中。保持在各透明像素电极I、 II、 III的电容中的信号电压确定的是栅极线G下降的时间。首先，在期间Tl中，通过使栅极线Gla、 Glb都为High电平，连 接在第1行的透明像素电极I、 II、 m上的TFT变为开启状态，在透明像 素电极I、 II、 III的各电容中，从信号线D1、 D2、 D3……写入透明像素 电极III用的信号电压。接着，在期间T2中，栅极线Gla为High电平的原样，通过使栅极 线Glb为Low电平，连接在透明像素电极II、 III上的TFT成为关闭状 态，连接在透明像素电极I上的TFT成为开启状态，将写入在透明像素 电极I中的透明像素电极III用的信号电压改写为透明像素电极I用的信 号电压。进而，在期间T3中，通过使栅极线Gla为Low电平、栅极线Glb 为High电平，连接在透明像素电极I、 III上的TFT成为关闭状态，连接 在透明像素电极II上的TFT成为开启状态，将写入透明像素电极II中的 透明像素电极III用的信号电压改写为透明像素电极II用的信号电压。这样，在第i行的透明像素电极i、 n、 in中，分时写入对应于它们 的信号电压。在接着的电平期间(ih)，也同样重复该动作，在第2行的透明像素 电极i、 n、 in中分时写入对应于它们的信号电压。实施例2利用图3和图4对本实施例进行说明。在本实施例的图3中，与实 施例1的图1的不同点是，在实施例1中，将连接在透明像素电极II、 III 上的TFT的漏电极与源电极通过布线连接，但在本实施例中，通过代替该布线连接而挪用透明像素电极n，利用该透明像素电极n连接，由此能够防止开口率的降低。此外，在实施例1的图2中，将期间Tl、 T2、 T3等分，但在本实施 例的图4中，使T1〉T2:T3。这是因为，在将透明像素电极II作为连接 布线共用的情况下，该透明像素电极II的电阻为比信号线D的金属线高的电阻，所以将本文档来自技高网...
【技术保护点】
一种显示装置，其特征在于，具备：以两根以上为单位的多根栅极线；与上述以两根以上为单位的栅极线交叉的多根信号线；和配置在上述以两根以上为单位的栅极线与信号线的交叉部的多个像素电极；对于上述多个像素电极，使以两根以上为单位的多根 栅极线的选择状态不同，从信号线分时供给对应于各像素电极的信号电压。
【技术特征摘要】
...
【专利技术属性】
技术研发人员：万场则夫，古桥勉，小村真一，
申请(专利权)人：株式会社日立显示器，
类型：发明
国别省市：JP[日本]
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