发光装置及包括所述发光装置的设备制造方法及图纸

本申请涉及发光装置，包括：第一电极；与所述第一电极相对的第二电极；以及在所述第一电极与所述第二电极之间的中间层，其中所述中间层包括发射层、第一发射辅助层、第二发射辅助层和空穴传输区，所述空穴传输区设置在所述第一电极与所述发射层之间，所述第一发射辅助层和所述第二发射辅助层设置在所述发射层与所述空穴传输区之间，所述第一发射辅助层包含第一化合物，所述第二发射辅助层包含第二化合物，所述空穴传输区包含空穴传输化合物，以及所述第一化合物和所述空穴传输化合物满足不等式1：|E

【技术实现步骤摘要】
发光装置及包括所述发光装置的设备
[0001]相关申请的交叉引用
[0002]本申请要求于2020年3月27日提交的第10
‑
2020
‑
0037793号韩国专利申请的优先权和权益，所述韩国专利申请出于所有目的通过援引据此并入，如同在本文中完全阐述一样。


[0003]本专利技术的示例性实施方式一般涉及发光装置及包括所述发光装置的设备。

技术介绍

[0004]有机发光装置是产生全色图像的自发射装置，并且与本领域的装置相比，还具有广视角，高对比度，短响应时间，以及在亮度、驱动电压和响应速度方面的优异的特性。
[0005]有机发光装置的一个实例可以包括设置在衬底上的第一电极，以及依次设置在第一电极上的空穴传输区、发射层、电子传输区和第二电极。由第一电极提供的空穴可以通过空穴传输区朝向发射层移动，并且由第二电极提供的电子可以通过电子传输区朝向发射层移动。诸如空穴和电子的载流子在发射层中复合以产生激子。这些激子从激发态跃迁至基态，从而产生光。
[0006]本
技术介绍
章节中公开的以上信息仅用于对本专利技术构思的背景的理解，并且因此它可以含有不构成现有技术的信息。

技术实现思路

[0007]根据本专利技术的原理和示例性实施方式构造的发光装置和设备具有低驱动电压、高效率和长使用寿命。例如，当根据一些示例性实施方式构造的发光装置满足本文公开的不等式1时，根据由发射层发射的光的波长来补偿光学共振距离，使得光发射效率增加，这促进了空穴从空穴传输区通过发射辅助层有效注入至发射层。因此，根据一些示例性实施方式构造的发光装置在效率和使用寿命方面具有显著且出乎意料地改善的特性。
[0008]作为另一个实例，当根据一些示例性实施方式构造的发光装置满足如本文公开不等式1和不等式2两者使得空穴传输区与第二发射辅助层之间的最高占据分子轨道(HOMO)能级的差是小的时，第一发射辅助层与第二发射辅助层之间的能量势垒是低的。因此，由于存在所述第二发射辅助层，所以从空穴传输区移动至第一发射辅助层的空穴可以有效地流向发射层，并且发光装置的效率和使用寿命特性得到显著且出乎意料地改善。
[0009]本专利技术构思的其它特征将在以下描述中阐述，并且在某种程度上根据所述描述将是显而易见的，或者可以通过本专利技术构思的实践而获悉。
[0010]根据本专利技术的一个方面，发光装置包括：第一电极；与所述第一电极相对的第二电极；以及在所述第一电极与所述第二电极之间的中间层，其中所述中间层包括发射层、第一发射辅助层、第二发射辅助层和空穴传输区，所述空穴传输区设置在所述第一电极与所述发射层之间，所述第一发射辅助层和所述第二发射辅助层设置在所述发射层与所述空穴传
输区之间，所述第一发射辅助层包含第一化合物，所述第二发射辅助层包含第二化合物，所述空穴传输区包含空穴传输化合物，以及所述第一化合物和所述空穴传输化合物满足以下不等式1：
[0011]<不等式1>
[0012]|E
1AU,HOMO
‑
E
HT,HOMO
|≤0.15eV
[0013]其中，在不等式1中，
[0014]E
1AU,HOMO
是所述第一化合物的HOMO能级，以及
[0015]E
HT,HOMO
是所述空穴传输化合物的HOMO能级。
[0016]所述空穴传输区可以包括空穴传输层，并且所述空穴传输层可以包含所述空穴传输化合物。
[0017]所述空穴传输层可以与所述第一发射辅助层直接接触。
[0018]所述第二化合物和所述空穴传输化合物可以满足如本文定义的不等式2。
[0019]所述第二发射辅助层可以与所述发射层直接接触。
[0020]所述第一发射辅助层可以具有约1nm至约40nm的厚度。
[0021]所述第二发射辅助层可以具有约1nm至约20nm的厚度。
[0022]所述第一发射辅助层和所述第二发射辅助层中的至少一个可以不包含p
‑
掺杂剂。
[0023]所述第一化合物和所述第二化合物可以各自彼此独立地是含芴的化合物、含咔唑的化合物、二芳基胺化合物、三芳基胺化合物、含二苯并呋喃的化合物、含二苯并噻吩的化合物或含二苯并噻咯的化合物。
[0024]所述第一化合物和所述第二化合物可以各自彼此独立地是由如本文定义的式1或式2表示的化合物。
[0025]所述第一化合物和所述第二化合物可以各自彼此独立地是由如本文定义的式1
‑
1和式2
‑
1中的任一种表示的化合物。
[0026]所述空穴传输化合物可以是由如本文定义的式201
‑
1或式202
‑
1表示的化合物。
[0027]所述第一电极可以是阳极；所述第二电极可以是阴极；所述发光装置可以进一步包括设置在所述发射层与所述第二电极之间的电子传输区；所述电子传输区可以包括缓冲层、空穴阻挡层、电子控制层、电子传输层、电子注入层或其任意组合；以及所述空穴传输区可以进一步包括空穴注入层、电子阻挡层或其任意组合。
[0028]所述空穴传输区可以包含电荷产生材料。
[0029]所述发射层可以包含一定量的主体和一定量的掺杂剂，并且所述主体的量可以大于所述掺杂剂的量。
[0030]所述主体可以包括两种或多于两种的不同的主体化合物。
[0031]所述发射层可以包含一种或多于一种的量子点。
[0032]所述电子传输区可以包含含金属的材料。
[0033]设备可以包括如上定义的发光装置。
[0034]所述设备可以进一步包括薄膜晶体管，其中所述薄膜晶体管可以包括源电极和漏电极，并且所述发光装置的所述第一电极可以与所述源电极或所述漏电极电连接。
[0035]应理解，前述一般描述和以下详细描述两者均是示例性和解释性的，并且旨在提供对所要求保护的专利技术的进一步解释。
附图说明
[0036]包括附图以提供对本专利技术的进一步理解，以及将附图并入本说明书中并且构成本说明书的一部分，附图例示出本专利技术的示例性实施方案，并且与描述一起用于解释本专利技术构思。
[0037]图1是根据本专利技术原理构造的发光装置的示例性实施方案的示意性横截面图。
具体实施方式
[0038]在以下的描述中，出于解释的目的，阐述了许多具体细节以便提供对本专利技术的各种示例性实施方案或实施方式的透彻理解。如本文使用，“实施方案”和“实施方式”是可互换的词语，其是采用本文公开的专利技术构思中的一种或多于一种的装置或方法的非限制性实例。然而，明显地，各种示例性实施方案可以在没有这些具体细节的情况下实践，或者可以用一种或多于一种的等同的布置实践。在其它情况中，以框图形式显示公知的结构和装置以便避免不必要地混淆各种示例性实施方案。此外，各种示例性实施方案可以是不同的，但不必是排它的。例如，在不背离本专利技术本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.发光装置，包括：第一电极；与所述第一电极相对的第二电极；以及在所述第一电极与所述第二电极之间的中间层，其中所述中间层包括发射层、第一发射辅助层、第二发射辅助层和空穴传输区，所述空穴传输区设置在所述第一电极与所述发射层之间，所述第一发射辅助层和所述第二发射辅助层设置在所述发射层与所述空穴传输区之间，所述第一发射辅助层包含第一化合物，所述第二发射辅助层包含第二化合物，所述空穴传输区包含空穴传输化合物，以及所述第一化合物和所述空穴传输化合物满足以下不等式1：<不等式1>|E
1AU,HOMO
‑
E
HT,HOMO
|≤0.15eV其中，在不等式1中，E
1AU,HOMO
是所述第一化合物的HOMO能级，以及E
HT,HOMO
是所述空穴传输化合物的HOMO能级。2.如权利要求1所述的发光装置，其中所述空穴传输区包括空穴传输层，并且所述空穴传输层包含所述空穴传输化合物。3.如权利要求2所述的发光装置，其中所述空穴传输层与所述第一发射辅助层直接接触。4.如权利要求1所述的发光装置，其中所述第二化合物和所述空穴传输化合物满足以下不等式2：<不等式2>|E
2AU,...

【专利技术属性】
技术研发人员：金美更，李宰贤，郭志元，金憓临，徐智贤，李宽熙，张韩星，
申请(专利权)人：三星显示有限公司，
类型：发明
国别省市：