本发明专利技术实施例提供一种显示面板及显示装置，显示面板包括：第一电极、第二电极及位于第一电极和第二电极之间的发光结构层，发光结构层包括：发光层；空穴传输层，位于发光层和第一电极之间，空穴传输层的材料包括第一空穴传输材料，其中，第一空穴传输材料至少包括第一传输材料和第二传输材料，第一传输材料的最高占据分子轨道能级大于第二传输材料的最高占据分子轨道能级，且第一传输材料的空穴迁移率大于第二传输材料的空穴迁移率。本发明专利技术实施例中显示面板的空穴传输层的材料通过混合第一传输材料和第二传输材料，既能够提高显示面板的器件寿命，也能够降低显示面板的功耗。也能够降低显示面板的功耗。也能够降低显示面板的功耗。
【技术实现步骤摘要】
显示面板及显示装置
[0001]本专利技术涉及显示
，尤其涉及一种显示面板及显示装置。
技术介绍
[0002]有机发光二极管(Organic Light
‑
Emitting Diode；OLED)是主动发光器件。与传统的液晶显示(Liquid Crystal Display；LCD)显示方式相比，OLED显示技术无需背光灯，具有自发光的特性。OLED采用较薄的有机材料膜层和玻璃基板，当有电流通过时，有机材料就会发光。因此OLED显示面板能够显著节省电能，可以做得更轻更薄，比LCD显示面板耐受更宽范围的温度变化，而且可视角度更大。OLED显示面板有望成为继LCD之后的下一代平板显示技术，是目前平板显示技术中受到关注最多的技术之一。
[0003]对OLED显示面板来说效率、电压和寿命是一对难以兼顾的指标。
技术实现思路
[0004]本专利技术实施例提供一种显示面板及显示装置，旨在提高显示面板的发光效率，同时降低显示面板的功耗。
[0005]本专利技术第一方面的实施例提供了一种显示面板，显示面板包括：第一电极、第二电极及位于第一电极和第二电极之间的发光结构层，发光结构层包括：发光层；空穴传输层，位于发光层和第一电极之间，空穴传输层的材料包括第一空穴传输材料，其中，第一空穴传输材料至少包括第一传输材料和第二传输材料，第一传输材料的最高占据分子轨道能级大于第二传输材料的最高占据分子轨道能级，且第一传输材料的空穴迁移率大于第二传输材料的空穴迁移率。
[0006]根据本专利技术第一方面的实施方式，第一传输材料和第二传输材料中至少一者的空穴迁移率大于或等于第一预设空穴迁移率，第一传输材料和第二传输材料混合后的空穴迁移率大于或等于第一预设空穴迁移率的百分之九十。
[0007]根据本专利技术第一方面前述任一实施方式，第一预设空穴迁移率为10
‑5cm2/vs。
[0008]根据本专利技术第一方面前述任一实施方式，第一传输材料和第二传输材料的最高占据分子轨道能级差小于或等于0.05eV。
[0009]根据本专利技术第一方面前述任一实施方式，第一传输材料和第二传输材料中，至少一者的最高占据分子轨道能级小于或等于
‑
5.1eV。
[0010]根据本专利技术第一方面前述任一实施方式，第一传输材料和第二传输材料的混合比例值为0.4～2.4。
[0011]根据本专利技术第一方面前述任一实施方式，第一传输材料和第二传输材料的混合比例为1:1。
[0012]根据本专利技术第一方面前述任一实施方式，第一传输材料的最高占据分子轨道能级为
‑
5.15eV，第二传输材料的最高占据分子轨道能级为
‑
5.18eV。
[0013]根据本专利技术第一方面前述任一实施方式，第一传输材料的空穴迁移率为5*10
‑
4
cm2/vs，第二传输材料的空穴迁移率为5*10
‑5cm2/vs。
[0014]根据本专利技术第一方面前述任一实施方式，发光结构层还包括：
[0015]空穴注入层，位于空穴传输层和第一电极之间，空穴注入层的材料包括空穴注入材料及第二空穴传输材料，
[0016]其中，第二空穴传输材料至少包括第三传输材料和第四传输材料，第三传输材料的最高占据分子轨道能级大于第四传输材料的最高占据分子轨道能级，且第三传输材料的空穴迁移率大于第四传输材料的空穴迁移率。
[0017]根据本专利技术第一方面前述任一实施方式，第三传输材料和第四传输材料中至少一者的空穴迁移率大于或等于第二预设空穴迁移率，第三传输材料和第四传输材料混合后的空穴迁移率大于或等于第二预设空穴迁移率的百分之九十。
[0018]根据本专利技术第一方面前述任一实施方式，第二预设空穴迁移率为10
‑5cm2/vs。
[0019]根据本专利技术第一方面前述任一实施方式，第三传输材料和第四传输材料的最高占据分子轨道能级差小于或等于0.05eV。
[0020]根据本专利技术第一方面前述任一实施方式，第三传输材料和第四传输材料中，至少一者的最高占据分子轨道能级小于或等于
‑
5.1eV。
[0021]根据本专利技术第一方面前述任一实施方式，第一空穴传输材料与第二空穴传输材料的材料相同。
[0022]根据本专利技术第一方面前述任一实施方式，第一传输材料和第二传输材料的混合比例与第三传输材料和第四传输材料的混合比例相同。
[0023]根据本专利技术第一方面前述任一实施方式，第三传输材料和第四传输材料的混合比例值为0.4～2.4。
[0024]根据本专利技术第一方面前述任一实施方式，第三传输材料和第四传输材料的混合比例为1:1。
[0025]根据本专利技术第一方面前述任一实施方式，第三传输材料的最高占据分子轨道能级为
‑
5.15eV，第四传输材料的最高占据分子轨道能级为
‑
5.18eV。
[0026]根据本专利技术第一方面前述任一实施方式，第三传输材料的空穴迁移率为5*10
‑4cm2/vs，第四传输材料的空穴迁移率为5*10
‑5cm2/vs。
[0027]根据本专利技术第一方面前述任一实施方式，空穴注入层中，空穴注入材料和第二空穴传输材料的混合比例小于或等于1:19。
[0028]根据本专利技术第一方面前述任一实施方式空穴注入层中，第三传输材料的最高占据分子轨道能级与空穴注入材料的最低未占分子轨道的能级之差小于或等于0.2ev。
[0029]本专利技术第二方面的实施例提供了一种显示装置，包括上述任一第一方面实施例的显示面板。
[0030]在本专利技术实施例的显示面板中，显示面板包括第一电极、第二电极及位于第一电极和第二电极之间的发光结构层，通过第一电极和第二电极的作用，使得发光结构层能够发光。发光结构层包括空穴传输层，空穴传输层在第一电极和第二电极的作用下能够传输空穴。空穴传输层的材料包括第一空穴传输材料，第一空穴传输材料至少包括第一传输材料和第二传输材料。第一输材料和第二传输材料的最高占据分子轨道能级(highest occupied molecular orbitals，HOMO)能级、及空穴迁移率均不同。第一传输材料的HOMO能
级大于第二传输材料的HOMO能级，第二传输材料的HOMO能级较深，HOMO能级较深的第二传输材料能够提高显示面板的器件寿命。第一传输材料的空穴迁移率大于第二传输材料的空穴迁移率，即第一传输材料和第二传输材料中第一传输材料的空穴迁移率较大，空穴迁移率较大的第一传输材料能够保证显示面板具有较低的驱动电压，降低显示面板的功耗。因此本专利技术实施例中显示面板的空穴传输层的材料通过混合第一传输材料和第二传输材料，既能够提高显示面板的器件寿命，也能够降低显示面板的功耗。
附图说明
[0031]通过阅读以下参照附图对非限制性实施例所作的详细描述，本专利技术的其它特征、目的和优点将会变得更明显，其中，相同或相似本文档来自技高网...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种显示面板，其特征在于，包括：第一电极、第二电极及位于所述第一电极和所述第二电极之间的发光结构层，所述发光结构层包括：发光层；空穴传输层，位于所述发光层和所述第一电极之间，所述空穴传输层的材料包括第一空穴传输材料，其中，所述第一空穴传输材料至少包括第一传输材料和第二传输材料，所述第一传输材料的最高占据分子轨道能级大于所述第二传输材料的最高占据分子轨道能级，且所述第一传输材料的空穴迁移率大于所述第二传输材料的空穴迁移率。2.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述第一传输材料和所述第二传输材料中至少一者的空穴迁移率大于或等于第一预设空穴迁移率，所述第一传输材料和所述第二传输材料混合后的空穴迁移率大于或等于所述第一预设空穴迁移率的百分之九十；优选的，所述第一预设空穴迁移率为10
‑5cm2/vs；优选的，所述第一传输材料和所述第二传输材料的最高占据分子轨道能级差小于或等于0.05eV；优选的，所述第一传输材料和所述第二传输材料中，至少一者的最高占据分子轨道能级小于或等于
‑
5.1eV。3.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述第一传输材料和所述第二传输材料的混合比例值为0.4～2.4；优选的，所述第一传输材料和所述第二传输材料的混合比例为1:1。4.根据权利要求3所述的显示面板，其特征在于，所述第一传输材料的最高占据分子轨道能级为
‑
5.15eV，所述第二传输材料的最高占据分子轨道能级为
‑
5.18eV；和/或，所述第一传输材料的空穴迁移率为5*10
‑4cm2/vs，所述第二传输材料的空穴迁移率为5*10
‑5cm2/vs。5.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述发光结构层还包括：空穴注入层，位于所述空穴传输层和所述第一电极之间，所述空穴注入层的材料包括空穴注入材料及第二空穴传输材料，其中，所述第二空穴传输材料至少包括第三传输材料和第四传输材料，所述第三传输材料的最...
【专利技术属性】
技术研发人员：颜志敏，韩建厅，刘俊伟，
申请(专利权)人：云谷固安科技有限公司，
类型：发明
国别省市：
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