一种显示装置制造方法及图纸

本发明专利技术公开了一种显示装置，包括：衬底基板，底电极和顶电极，底电极和顶电极之间包括至少两个叠层设置的量子点发光单元，叠层设置的量子点发光单元构成串联结构，使量子点发光二极管具有更低的电流密度，提高量子点发光二极管的电流效率。相邻两个所述量子点发光单元中的所述空穴注入层与所述电子传输层直接接触，构成p-n结电荷生成结构，不需要单独设置电荷生成层，简化器件结构和制程。简化器件结构和制程。简化器件结构和制程。

【技术实现步骤摘要】
一种显示装置


[0001]本专利技术涉及显示
，尤其涉及一种显示装置。

技术介绍

[0002]量子点发光材料具有发光光谱可调节、发光色纯度高、光化学稳定性及热稳定性好等特点，目前已经被广泛应用在新型显示领域。而以量子点材料为发光材料的量子点发光二极管(Quantum Dot Light Emitting Diodes，简称QLED)，相比于有机发光二极管(Organic Light Emitting Diode，简称OLED)具有更宽的色域、更高的显色指数、更好的溶液加工性能等特性，因此在显示领域的应用前景十分巨大。然而与OLED相比，QLED器件仍存在效率低、稳定性差等缺点。

技术实现思路

[0003]本专利技术一些实施例中，在所述底电极和所述顶电极之间设置至少两个量子点发光单元，所述量子点发光单元的结构相同，所述量子点发光单元叠层设置，相邻两个所述量子点发光单元直接接触。叠层设置的量子点发光单元构成串联结构，使量子点发光二极管具有更低的电流密度，提高量子点发光二极管的电流效率。
[0004]本专利技术一些实施例中，相邻两个所述量子点发光单元中的所述空穴注入层与所述电子传输层直接接触，构成p-n结电荷生成结构，不需要单独设置电荷生成层，简化器件结构和制程。
[0005]本专利技术一些实施例中，所述底电极为阳极，所述顶电极为阴极；
[0006]所述量子点发光单元包括：
[0007]空穴注入层，位于所述底电极之上；
[0008]空穴传输层，位于所述空穴注入层背离所述底电极的一侧；
[0009]量子点发光层，位于所述空穴传输层背离所述空穴注入层的一侧；
[0010]电子传输层，位于所述量子点发光层背离所述量子点发光层的一侧。
[0011]量子点发光二极管为正置结构。
[0012]本专利技术一些实施例中，所述底电极为阴极，所述顶电极为阳极；
[0013]所述量子点发光单元包括：
[0014]电子传输层，位于所述底电极之上；
[0015]量子点发光层，位于所述电子传输层背离所述底电极的一侧；
[0016]空穴传输层，位于所述量子点发光层背离所述电子传输层的一侧；
[0017]空穴注入层，位于所述空穴传输层背离所述量子点发光层的一侧。
[0018]量子点发光二极管为倒置结构。
[0019]本专利技术一些实施例中，所述量子点发光单元中的其中一层采用蒸镀或旋涂的方式制作而成，其它各层采用喷墨打印的方式制作而成。采用旋涂或蒸镀的方式制作功能层可以优化成膜性，在此基础上再进行喷墨打印功能层的制作，提高器件电流效率的同时降低
了喷墨打印制程的难度，减少了由于喷墨打印功能层成膜性不好而带来的器件无法点亮和性能降低等现象。
[0020]本专利技术一些实施例中，所述电子传输层采用蒸镀或旋涂的方式制作而成。
[0021]本专利技术一些实施例中，所述电子传输层的材料采用氧化锌、锂掺杂氧化锌、镁掺杂氧化锌或富勒烯中的任意一种。
[0022]本专利技术一些实施例中，所述空穴注入层采用蒸镀或旋涂的方式制作而成。
[0023]本专利技术一些实施例中，所述空穴注入层的材料采用聚(3,4-乙烯二氧噻吩):聚(苯乙烯磺酸)、4,4
’-
N,N
’-
二咔唑联苯N,N'-二苯基-N,N'-(1-萘基)-1,1'-联苯-4,4'-二胺、聚(9,9-二辛基芴-CO-N-(4-丁基苯基)二苯胺)、氧化钒、氧化钼或氧化钨中的任意一种。
[0024]本专利技术一些实施例中，所述空穴注入层的厚度为5nm-200nm，所述空穴传输层的厚度为5nm-200nm，所述量子点发光层的厚度为5nm-200nm，所述电子传输层的厚度为5nm-200nm，所述阴极的厚度为50nm-800nm，所述阳极的厚度大于150nm。
附图说明
[0025]为了更清楚地说明本专利技术实施例的技术方案，下面将对本专利技术实施例中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面所介绍的附图仅仅是本专利技术的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
[0026]图1为本专利技术实施例提供的显示装置的截面结构示意图；
[0027]图2为本专利技术实施例提供的正置结构的量子点发光二极管的截面结构示意图；
[0028]图3为本专利技术实施例提供的倒置结构的量子点发光二极管的截面结构示意图；
[0029]图4为本专利技术实施例提供的显示装置的制作方法流程图。
[0030]其中，11-衬底基板，12-底电极，13-顶电极，14-量子点发光单元，141-空穴注入层，142-空穴传输层，143-量子点发光层，144-电子传输层。
具体实施方式
[0031]为使本专利技术的上述目的、特征和优点能够更为明显易懂，下面将结合附图和实施例对本专利技术做进一步说明。然而，示例实施方式能够以多种形式实施，且不应被理解为限于在此阐述的实施方式；相反，提供这些实施方式使得本专利技术更全面和完整，并将示例实施方式的构思全面地传达给本领域的技术人员。在图中相同的附图标记表示相同或类似的结构，因而将省略对它们的重复描述。本专利技术中所描述的表达位置与方向的词，均是以附图为例进行的说明，但根据需要也可以做出改变，所做改变均包含在本专利技术保护范围内。本专利技术的附图仅用于示意相对位置关系不代表真实比例。
[0032]量子点(Quantum Dots，简称QD)是一种尺寸微小的半导体纳米颗粒，一般包括Cd基量子点、Pd基量子点、InP系量子点、钙钛矿量子点、Zn基量子点等。
[0033]量子点受到光或电的刺激，可被激发出有色光线，光线的颜色由量子点的组成材料和尺寸决定，这一特性使得量子点能够转换光源发出的光线颜色。
[0034]由于量子点材料具有发光光谱可调节、发光色纯度高、光化学稳定性及热稳定性好等特点，在显示领域可将量子点材料应用于发光二极管中，形成量子点发光二极管，在显
示领域具有巨大潜力。
[0035]图1为本专利技术实施例提供的显示装置的截面结构示意图。
[0036]参照图1，本专利技术实施例中的显示装置包括：衬底基板11、底电极12、顶电极13以及位于底电极和顶电极之间的量子点发光单元14。
[0037]衬底基板11一般位于显示装置的底部，用于支撑和承载显示装置中的所有元件。衬底基板11的形状与显示装置的形状相适应，目前应用于电视或移动终端等领域的显示装置均为矩形，因此衬底基板11也可以设置为矩形；除此之外，如果显示装置应用于智能手表等异形显示设备，衬底基板相应地也可以设置为圆形等形状，在此不做限定。
[0038]本专利技术实施例中的显示装置可以为硬性显示装置或柔性显示装置。硬性显示装置的衬底基板11的材料可以采用玻璃等硬性材质时，柔性显示装置的衬底基板11可以采用聚酰亚胺(PI)等柔性材料。
[0039]在衬底基板11上制作量子点发光二极管本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种显示装置，其特征在于，包括：衬底基板，具有承载作用；底电极，位于所述衬底基板之上；顶电极，位于所述底电极背离所述衬底基板的一侧；至少两个量子点发光单元，叠层设置于所述底电极与所述顶电极之间，所述量子点发光单元的结构相同，相邻两个所述量子点发光单元直接接触。2.如权利要求1所述的显示装置，其特征在于，所述底电极为阳极，所述顶电极为阴极；所述量子点发光单元包括：空穴注入层，位于所述底电极之上；空穴传输层，位于所述空穴注入层背离所述底电极的一侧；量子点发光层，位于所述空穴传输层背离所述空穴注入层的一侧；电子传输层，位于所述量子点发光层背离所述量子点发光层的一侧。3.如权利要求1所述的显示装置，其特征在于，所述底电极为阴极，所述顶电极为阳极；所述量子点发光单元包括：电子传输层，位于所述底电极之上；量子点发光层，位于所述电子传输层背离所述底电极的一侧；空穴传输层，位于所述量子点发光层背离所述电子传输层的一侧；空穴注入层，位于所述空穴传输层背离所述量子点发光层的一侧。4.如权利要求2或3所述的显示装置，其特征在于，相邻的所述电子传输层和所述空穴注入层构成电荷生成结构。5.如权利要求2或3所述的显示装置，其特征在于，所述量子点发光单元中...

【专利技术属性】
技术研发人员：杨兰兰，岳春波，唐兆兵，金南德，
申请(专利权)人：海信视像科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：