显示装置制造方法及图纸

公开了显示装置，该显示装置包括包含半导体层的薄膜晶体管、有机发光元件以及包含将薄膜晶体管与有机发光元件连接的第一接触孔的钝化层，其中，钝化层包括顺序地堆叠的第一钝化层、第二钝化层和第三钝化层，并且第一钝化层包括SiON，以及形成在第一钝化层的面对第一接触孔的侧表面与钝化层的下表面之间的第一角度小于形成在第二钝化层的面对第一接触孔的侧表面与钝化层的下表面之间的第二角度和形成在第三钝化层的面对第一接触孔的侧表面与钝化层的下表面之间的第三角度中的每个。

【技术实现步骤摘要】

本公开涉及显示装置的结构。

技术介绍

1、显示装置在视觉上显示数据。显示装置可包括包含显示区域和外围区域的衬底。在显示区域中，扫描线和数据线彼此绝缘，并且布置有多个像素。此外，在显示区域中，可与像素中的每个对应地提供薄膜晶体管和电连接到薄膜晶体管的像素电极。此外，在显示区域中，可对像素公共地提供相对电极。在外围区域中，可提供有用于向显示区域传输电信号的各种信号线、扫描驱动器、数据驱动器、控制器、焊盘部等。

2、这种显示装置的用途已多样化。相应地，已经以各种方式进行了用于改善显示装置的品质的设计。

技术实现思路

1、一个或多个实施例可提供可通过防止层翘起和层剥落缺陷并且改善台阶覆盖来实现优异品质的图像的显示装置。然而，本公开的范围不由此限制。

2、额外的方面将在下面的描述中部分地阐述，并且部分地将通过本描述而显而易见，或者可通过实践所呈现的本公开的实施例而习得。

3、显示装置的实施例可包括包含半导体层、栅电极和电极的薄膜晶体管；电连接到薄膜晶体管并且包括第一电极、发射层和第二本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种显示装置，包括：

2.如权利要求1所述的显示装置，其中，所述第二钝化层和所述第三钝化层中的每个包括SiNx。

3.如权利要求1所述的显示装置，其中，所述第一角度为20°至30°，所述第二角度为50°至60°，并且所述第三角度为40°至50°。

4.如权利要求1所述的显示装置，其中，所述第一钝化层的下表面比所述第二钝化层的下表面和所述第三钝化层的下表面朝向所述第一接触孔的中心进一步突出。

5.如权利要求4所述的显示装置，其中，所述第一钝化层的所述下表面比所述第二钝化层的所述下表面朝向所述第一接触孔的所述中心进一步突出的长度为0.1μm...

【技术特征摘要】

1.一种显示装置，包括：

2.如权利要求1所述的显示装置，其中，所述第二钝化层和所述第三钝化层中的每个包括sinx。

3.如权利要求1所述的显示装置，其中，所述第一角度为20°至30°，所述第二角度为50°至60°，并且所述第三角度为40°至50°。

4.如权利要求1所述的显示装置，其中，所述第一钝化层的下表面比所述第二钝化层的下表面和所述第三钝化层的下表面朝向所述第一接触孔的中心进一步突出。

5.如权利要求4所述的显示装置，其中，所述第一钝化层的所述下表面比所述第二钝化层的所述下表面朝向所述第一接触孔的所述中心进一步突出的长度为0.1μm至0.2μm。

6.如权利要求1所述的显示装置，其中，所述第一钝化层的厚度为所述第二钝化层的厚度和所述第三钝化层的厚度之和的0.10至0.25倍。

7.如权利要求6所述的显示装置，其中，所述第一钝化层的所述厚度为至以及

8.如权利要求1至7中的任一项所述的显示装置，其中，包含在所述第一钝化层中的氧与硅的比率为1.6∶1至1.8∶1。

9.如权利要求1至7中的任一项所述的显示装置，其中，包含在所述钝化层中的氢的量为通过二次离子质谱法检测的1.0×1021原子/cm3至2.5×1021原子/cm3。

10.如权利要求1至7中的任一项所述的显示装置，其中，所述钝化层具有通过热脱附光谱法测量的3.0×1019ea/cm2至7.5×1019ea/cm2的氢释放量以及3.5×1020ea/cm2至10.0×1020ea/cm2的氨释放量。

11.如权利要求1至7中的任一项所述的显示装置，其中，所述第一钝化层的压缩应力小于所述第二钝化层的压缩应力和所述第三钝化层的压缩应力中的每个。

12.如权利要求11所述的显示装置，其中，所述第一钝化层的所述压缩应力为-40mpa至-52mp...

【专利技术属性】
技术研发人员：朴柾株，姜东汉，文成权，孙昇锡，梁伸赫，尹甲洙，李金熙，李禹根，
申请(专利权)人：三星显示有限公司，
类型：发明
国别省市：