集成电路结构及其形成方法技术

IC结构包括：第一晶体管、第二晶体管、第三晶体管和第四晶体管，位于衬底上；以及第一金属化层和第二金属化层，位于晶体管上方。第一金属化层具有多个第一金属线，多个第一金属线沿第一方向横向延伸并且具有在第二方向上测量的第一线宽度。第一金属线中的一个或多个是电连接第一晶体管和第二晶体管的第一网的一部分。第二金属化层具有多个第二金属线，多个第二金属线沿第二方向横向延伸并且具有在第一方向上测量并且小于第一线宽度的第二线宽度。第二金属线中的一个或多个是电连接第三晶体管和第四晶体管的第二网的一部分，并且第二网的总长度小于第一网的总长度。本申请的实施例还涉及形成IC结构的方法。例还涉及形成IC结构的方法。例还涉及形成IC结构的方法。

【技术实现步骤摘要】
集成电路结构及其形成方法


[0001]本申请的实施例涉及集成电路结构及其形成方法。

技术介绍

[0002]由于各种电子组件(即，晶体管、二极管、电阻器、电容器等)的集成密度的不断提高，半导体工业经历了快速的增长。在大多数情况下，集成密度的提高来自最小部件尺寸的重复减小，这允许更多的组件可以集成至给定区域中。

技术实现思路

[0003]本申请的一些实施例提供了一种集成电路(IC)结构，包括：第一晶体管、第二晶体管、第三晶体管和第四晶体管，形成在衬底上；第一金属化层，位于所述第一晶体管、所述第二晶体管、所述第三晶体管和所述第四晶体管之上，所述第一金属化层具有多个第一金属线，所述多个第一金属线沿第一方向横向延伸并且具有在垂直于所述第一方向的第二方向上测量的第一线宽度，其中，所述多个第一金属线中的一个或多个是电连接所述第一晶体管和所述第二晶体管的第一网的一部分；以及第二金属化层，位于所述第一金属化层上方，所述第二金属化层具有多个第二金属线，所述多个第二金属线沿所述第二方向横向延伸并且具有在所述第一方向上测量的第二线宽度，其中，所述第二金本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种集成电路(IC)结构，包括：第一晶体管、第二晶体管、第三晶体管和第四晶体管，形成在衬底上；第一金属化层，位于所述第一晶体管、所述第二晶体管、所述第三晶体管和所述第四晶体管之上，所述第一金属化层具有多个第一金属线，所述多个第一金属线沿第一方向横向延伸并且具有在垂直于所述第一方向的第二方向上测量的第一线宽度，其中，所述多个第一金属线中的一个或多个是电连接所述第一晶体管和所述第二晶体管的第一网的一部分；以及第二金属化层，位于所述第一金属化层上方，所述第二金属化层具有多个第二金属线，所述多个第二金属线沿所述第二方向横向延伸并且具有在所述第一方向上测量的第二线宽度，其中，所述第二金属线的所述第二线宽度小于所述第一金属线的所述第一线宽度，所述多个第二金属线中的一个或多个是电连接所述第三晶体管和所述第四晶体管的第二网的一部分，并且所述第二网的总长度小于所述第一网的总长度。2.根据权利要求1所述的集成电路结构，还包括：第三金属化层，位于所述第一金属化层下方，所述第三金属化层具有多个第三金属线，所述多个第三金属线沿所述第二方向延伸并且具有在所述第一方向上测量的第三线宽度，其中，所述第三金属线的第三线宽度小于所述第一金属线的第一线宽度。3.根据权利要求2所述的集成电路结构，其中，所述第三金属线的第三线宽度大于所述第二金属线的第二线宽度。4.根据权利要求2所述的集成电路结构，还包括：第四金属化层，位于所述第二金属化层上方，所述第四金属化层包括多个第四金属线，所述多个第四金属线沿所述第一方向延伸并且具有在所述第二方向上测量的第四线宽度，其中，所述第四金属线的第四线宽度小于所述第一金属线的第一线宽度。5.根据权利要求4所述的集成电路结构，其中，所述第四金属线的第四线宽度大于所述第二金属线的第二线宽度。6.根据权利要求4所述的集成电路结构，其中，所述第四金属线的第四线宽度与所述第三金属线的第三线宽度相同。7.根据权利要求2所述的集成电路结构，还包括：第四金属化层...

【专利技术属性】
技术研发人员：张洸鋐，侯元德，王中兴，侯永清，
申请(专利权)人：台湾积体电路制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：