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IC结构包括：第一晶体管、第二晶体管、第三晶体管和第四晶体管，位于衬底上；以及第一金属化层和第二金属化层，位于晶体管上方。第一金属化层具有多个第一金属线，多个第一金属线沿第一方向横向延伸并且具有在第二方向上测量的第一线宽度。第一金属线中的一...
该专利属于台湾积体电路制造股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过台湾积体电路制造股份有限公司授权不得商用。

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