一种用于生长N型碳化硅晶体的坩埚及装置制造方法及图纸

本实用新型专利技术提供了一种用于生长N型碳化硅晶体的坩埚及装置，坩埚的顶部外壁向内凹陷形成环形气槽，环形气槽的圆心与坩埚顶部的圆心重合；该装置包括任一项的坩埚，还包括炉体，坩埚置于炉体内；炉体由下至上分别设置有第一通气孔和第二通气孔，第一通气孔用于向炉体内通入惰性气体，第二通气孔用于向炉体内通入氮源气体。通过坩埚环形气槽的设置，使得气体可沿着环形气槽流动，气流流速较快，气体扩散到坩埚内部，使得坩埚内远离中心轴线热量传输加快，减少了坩埚径向温度梯度，通过炉体设置的第二通气孔，第二通气孔与环形气槽连通，加快了坩埚上部的散热，使得坩埚的轴向温度梯度增加，径向梯度温度降低，进一步提高了晶体生长的质量。的质量。的质量。

【技术实现步骤摘要】
一种用于生长N型碳化硅晶体的坩埚及装置


[0001]本技术涉及一种用于生长N型碳化硅晶体的坩埚及装置，属于半导体材料制备


技术介绍

[0002]碳化硅材料由于其具有优良的半绝缘特性而受到广泛关注，特别是对于具有特殊需求的大功率半导体器件，碳化硅因所具有的高温、高频、大功率等特点成为这些器件选择的潜力材料。
[0003]目前碳化硅晶体工业生产多采用PVT法进行生产，但由于其生长条件要求较高，在生长过程中引入的缺陷限制了其性能的提高和进一步的应用与发展。因此，对缺陷的改善成为提高碳化硅衬底质量的首要前提。
[0004]位错，作为一种线缺陷，依据其形成机理的不同和造成的半原子面的差异，可分为贯穿刃位错(TED)、贯穿螺位错(TSD)及基平面位错(BPD)。不同位错及其密度的大小对后续外延生长的影响也各不相同。其中BPD大部分在外延生长初期会转化为TED，少数贯穿到外延层的BPD会对器件性能产生影响。而TSD易在外延层表面形成小坑、胡萝卜缺陷等缺陷，对器件的性能、成品率及可靠性产生重要影响。而碳化硅衬底位错对下游器件的影响除不本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种用于生长N型碳化硅晶体的坩埚，其特征在于，所述坩埚的顶部外壁向内凹陷形成环形气槽，所述环形气槽的圆心与坩埚顶部的圆心重合；所述坩埚的顶部外壁同心设置有多个环形气槽。2.根据权利要求1所述的用于生长N型碳化硅晶体的坩埚，其特征在于，多个环形气槽的深度由内向外依次增加。3.根据权利要求1所述的用于生长N型碳化硅晶体的坩埚，其特征在于，多个环形气槽内壁的宽度由内向外依次降低。4.根据权利要求1所述的用于生长N型碳化硅晶体的坩埚，其特征在于，多个环形气槽内壁的宽度由内向外依次增加。5.一种用于生长N型碳化硅晶体的装置，其特征在于，所述装置包括权利要求1～4任一项所述的坩埚，所述装置还包括炉体，所述坩埚置于所述炉体内；所述炉体由下至上分别设置有第一通气孔和第二通气孔，所述第一通气孔用于向炉体内通入惰性气体...

【专利技术属性】
技术研发人员：张九阳，方帅，高宇晗，李霞，赵树春，高超，
申请(专利权)人：山东天岳先进科技股份有限公司，
类型：新型
国别省市：