一种坩埚和碳化硅生长装置制造方法及图纸

本实用新型专利技术涉及碳化硅晶体生长技术领域，具体而言，涉及一种坩埚和碳化硅生长装置。该坩埚包括料筒、盖体及导流板；其中，料筒具备容腔以及与容腔连通的开口；盖体与料筒连接，盖体用于封闭开口；导流板容置于容腔内，导流板将容腔分隔为容纳腔室以及沉积腔室，物料容纳于容纳腔室内；导流板开设有多个导流通道，导流通道连通容纳腔室及沉积腔室；导流板用于使得容纳腔室内的气流在经多个导流通道进入沉积腔室后，在沉积腔室内形成旋转气流。由此，当位于容腔中的物料为碳化硅原料及掺杂物质时，在料筒被加热后，碳化硅原料及掺杂物质开始升华成气态，该坩埚保证了碳化硅晶体掺杂的均匀性，进而保证了单片内电阻率的均匀性。进而保证了单片内电阻率的均匀性。进而保证了单片内电阻率的均匀性。

【技术实现步骤摘要】
一种坩埚和碳化硅生长装置


[0001]本技术涉及碳化硅晶体生长
，具体而言，涉及一种坩埚和碳化硅生长装置。

技术介绍

[0002]目前大部分碳化硅晶体生长均采用如下坩埚结构进行晶体生长。碳化硅原料与掺杂物质在加热后由固态变为气态升华，气体会直接沉积在坩埚盖的籽晶上面，在这个过程中碳化硅原料与掺杂物质没有经过充分的混合，在生长成晶体后做成碳化硅衬底，衬底的整面的电阻率高低不同，会呈现很大的差异性。

技术实现思路

[0003]本技术的目的在于提供一种坩埚和碳化硅生长装置，其能够保证在碳化硅生长过程中与掺杂物质的均匀性，从而保证了单片内电阻率的均匀性。
[0004]本技术的实施例是这样实现的：
[0005]第一方面，本技术提供一种坩埚，包括料筒盖体以及导流板；
[0006]料筒具备容纳物料的容腔以及与容腔连通的开口；
[0007]盖体与料筒连接，盖体用于封闭开口；
[0008]导流板容置于容腔内，导流板将容腔分隔为容纳腔室以及沉积腔室，物料容纳于容纳腔室内；导流板开设有多个导流通道，导流通道连通容纳腔室及沉积腔室；导流板用于使得容纳腔室内的气流在经多个导流通道进入沉积腔室后，在沉积腔室内形成旋转气流。
[0009]在可选的实施方式中，导流通道相对于料筒的中心轴线倾斜。
[0010]在可选的实施方式中，多个导流通道均绕导流板的中心轴线依次间隔设置。
[0011]在可选的实施方式中，料筒的内周面开设有用于与导流板抵接的环形台，环形台与料筒的底部间隔。
[0012]在可选的实施方式中，盖体朝向容腔的一侧设置有安装台，安装台朝向容腔的方向凸出，安装台用于安装籽晶。
[0013]在可选的实施方式中，坩埚还包括容置于沉积腔室内的挡流板，挡流板开设有导流孔，挡流板与导流板共同形成混合腔室，导流孔及多个导流通道均与混合腔室连通；导流孔用于引导导流板输出的气流朝向盖体的方向流动。
[0014]在可选的实施方式中，挡流板与导流板抵接。
[0015]在可选的实施方式中，挡流板朝向导流板的一侧开设有导流槽，导流槽为弧形槽。
[0016]在可选的实施方式中，盖体朝向容腔的一侧设置有安装台；
[0017]安装台的中心轴线与导流孔的中心轴线重合。
[0018]第二方面，本技术提供一种碳化硅生长装置，碳化硅生长装置包括籽晶、加热装置以及上述的坩埚；
[0019]籽晶容置于沉积腔室内并与盖体连接，加热装置用于加热料筒。
[0020]本技术实施例的有益效果包括：
[0021]该坩埚包括料筒、盖体及导流板；其中，料筒具备容腔以及与容腔连通的开口；盖体与料筒连接，盖体用于封闭开口；导流板容置于容腔内，导流板将容腔分隔为容纳腔室以及沉积腔室，物料容纳于容纳腔室内；导流板开设有多个导流通道，导流通道连通容纳腔室及沉积腔室；导流板用于使得容纳腔室内的气流在经多个导流通道进入沉积腔室后，在沉积腔室内形成旋转气流。由此，当位于容腔中的物料为碳化硅原料及掺杂物质时，在料筒被加热后，碳化硅原料及掺杂物质开始升华成气态，并且生成的气体在经多个导流通道进入沉积腔室后，会在沉积腔室内形成旋转气流，从而在旋转的过程中使得气体充分混合，进而随着气体的旋转上升，沉积在籽晶上面，从而保证了碳化硅晶体掺杂的均匀性，进而保证了单片内电阻率的均匀性。
附图说明
[0022]为了更清楚地说明本技术实施例的技术方案，下面将对实施例中所需要使用的附图作简单地介绍，应当理解，以下附图仅示出了本技术的某些实施例，因此不应被看作是对范围的限定，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他相关的附图。
[0023]图1为本技术实施例中坩埚的结构示意图；
[0024]图2为本技术实施例中导流板第一视角的结构示意图；
[0025]图3为本技术实施例中导流板第二视角的结构示意图；
[0026]图4为本技术实施例中导流板的剖视图；
[0027]图5为本技术实施例中挡流板的结构示意图；
[0028]图6为本技术实施例中挡流板的剖视图。
[0029]图标:200
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坩埚；210
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料筒；211
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容腔；212
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开口；220
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盖体；230
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导流板；213
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容纳腔室；214
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沉积腔室；10
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物料；231
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导流通道；215
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环形台；221
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安装台；240
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挡流板；241
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导流孔；242
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导流槽；216
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混合腔室。
具体实施方式
[0030]为使本技术实施例的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合本技术实施例中的附图，对本技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例是本技术一部分实施例，而不是全部的实施例。通常在此处附图中描述和示出的本技术实施例的组件可以以各种不同的配置来布置和设计。
[0031]因此，以下对在附图中提供的本技术的实施例的详细描述并非旨在限制要求保护的本技术的范围，而是仅仅表示本技术的选定实施例。基于本技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本技术保护的范围。
[0032]应注意到：相似的标号和字母在下面的附图中表示类似项，因此，一旦某一项在一个附图中被定义，则在随后的附图中不需要对其进行进一步定义和解释。
[0033]在本技术的描述中，需要说明的是，术语“中心”、“上”、“下”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“内”、“外”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，或者
是该技术产品使用时惯常摆放的方位或位置关系，仅是为了便于描述本技术和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本技术的限制。此外，术语“第一”、“第二”、“第三”等仅用于区分描述，而不能理解为指示或暗示相对重要性。
[0034]此外，术语“水平”、“竖直”等术语并不表示要求部件绝对水平或悬垂，而是可以稍微倾斜。如“水平”仅仅是指其方向相对“竖直”而言更加水平，并不是表示该结构一定要完全水平，而是可以稍微倾斜。
[0035]在本技术的描述中，还需要说明的是，除非另有明确的规定和限定，术语“设置”、“安装”、“相连”、“连接”应做广义理解，例如，可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或一体地连接；可以是机械连接，也可以是电连接；可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连，可以本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种坩埚，其特征在于，包括：料筒，所述料筒具备容腔以及与所述容腔连通的开口；盖体，所述盖体与所述料筒连接，所述盖体用于封闭所述开口；以及导流板，所述导流板容置于所述容腔内，所述导流板用于将所述容腔分隔为容纳腔室以及沉积腔室，所述容纳腔室用于容纳物料；所述导流板开设有多个导流通道，所述导流通道连通所述容纳腔室及沉积腔室；所述导流板用于使得所述容纳腔室内的气流在经多个所述导流通道进入所述沉积腔室后，在所述沉积腔室内形成旋转气流。2.根据权利要求1所述的坩埚，其特征在于：所述导流通道相对于所述料筒的中心轴线倾斜。3.根据权利要求1所述的坩埚，其特征在于：多个所述导流通道均绕所述导流板的中心轴线依次间隔设置。4.根据权利要求1所述的坩埚，其特征在于：所述料筒的内周面开设有用于与所述导流板抵接的环形台，所述环形台与所述料筒的底部间隔。5.根据权利要求1所述的坩埚，其特征在于：所述盖体朝向所述容腔的一侧设置有安装台，所述安装台朝向所述...

【专利技术属性】
技术研发人员：汪良，张洁，王旻峰，
申请(专利权)人：湖南三安半导体有限责任公司，
类型：新型
国别省市：